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基于模糊解耦的坩埚下降法晶体生长炉温度控制系统
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作者 陈祥烨 王森林 陈豪 《自动化与仪表》 2024年第4期37-41,共5页
针对坩埚下降法晶体生长炉温度控制系统存在的非线性、滞后性、多温区耦合性等问题。设计了模糊解耦控制器来对生长炉上、下两个温区的温度进行控制,该控制器能够根据上、下温区的实时温度误差以及温度误差变化率,调节两个温区加热棒的... 针对坩埚下降法晶体生长炉温度控制系统存在的非线性、滞后性、多温区耦合性等问题。设计了模糊解耦控制器来对生长炉上、下两个温区的温度进行控制,该控制器能够根据上、下温区的实时温度误差以及温度误差变化率,调节两个温区加热棒的功率。与传统解耦和PID算法相比,该方法具有不依赖被控对象的精确数学模型,计算量小,算法设计简单等特点。通过仿真将该方法分别与传统PID算法和传统解耦PID算法进行比较,仿真结果表明,该方法具有很好的动态性能、解耦能力和鲁棒性,有利于提升晶体生长炉的控温精度和加热效率。 展开更多
关键词 坩埚下降法 晶体生长炉 多温区耦合系统 解耦控制 模糊控制
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大尺寸高质量CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)钙钛矿单晶的生长机理、相转变与光学性能
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作者 南瑞华 武春燕 +3 位作者 刘腾 罗家欣 魏永星 坚增运 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第13期221-229,共9页
在传统逆温差结晶法基础上,通过引入高质量籽晶,采用籽晶诱导逆温差结晶法生长出尺寸为11mm×11mm×2mm的CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)钙钛矿单晶.X射线衍射和Rietveld精修结果表明,室温下CH3NH3PbCl3单晶是立方相,其空间群为Pm3m,晶... 在传统逆温差结晶法基础上,通过引入高质量籽晶,采用籽晶诱导逆温差结晶法生长出尺寸为11mm×11mm×2mm的CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)钙钛矿单晶.X射线衍射和Rietveld精修结果表明,室温下CH3NH3PbCl3单晶是立方相,其空间群为Pm3m,晶格常数a=0.56877 nm.偏光显微镜研究结果表明,CH3NH3PbCl3单晶的生长机理遵循光滑界面的台阶横向长大机制,并沿着台阶的外法线方向长大.变温拉曼光谱研究表明CH3NH3PbCl3单晶在温度160 K发生了正交-四方相转变,但四方相结构不稳定,存在的温度区间非常狭窄,故再次转变为立方相(Pm3m).紫外-可见-近红外吸收光谱和光致发光谱研究表明,CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)单晶的吸收截止边约在波长442 nm,光致发光峰为450 nm,通过拟合计算得到其带隙值约为2.93 eV,稍大于第一性原理计算的理论带隙值(2.55 eV),分析认为这与籽晶的引入有关,因为籽晶作为异质形核的核心被引入晶体生长过程中,使晶格对称性下降,引起CH_(3)NH_(3)PbCl_(3)带隙增大. 展开更多
关键词 CH3NH3PbCl3单晶 籽晶诱导逆温差结晶法 台阶横向长大机制 第一性原理计算
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晶形助长剂对磷石膏制硫酸钙晶须性能的影响 被引量:12
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作者 杨林 周杰 +1 位作者 李贺军 曹建新 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2012年第10期41-43,共3页
借助X射线衍射、扫描电子显微镜等分析方法,研究了晶形助长剂对以磷石膏为原料水热法制备硫酸钙晶须生长行为的影响。结果表明,以磷石膏为原料制备硫酸钙晶须适宜的晶形助长剂为氯化镁(掺量为磷石膏质量的1.0%),其次为十二烷基磺酸钠,... 借助X射线衍射、扫描电子显微镜等分析方法,研究了晶形助长剂对以磷石膏为原料水热法制备硫酸钙晶须生长行为的影响。结果表明,以磷石膏为原料制备硫酸钙晶须适宜的晶形助长剂为氯化镁(掺量为磷石膏质量的1.0%),其次为十二烷基磺酸钠,效果最差的是硫酸铝。 展开更多
关键词 磷石膏 硫酸钙晶须 晶形助长剂
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猪油干法分提 被引量:4
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作者 朱向菊 裘爱泳 +1 位作者 史小华 潘秋琴 《中国油脂》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期44-47,共4页
我国猪油来源丰富 ,但其晶型为 β晶体 ,颗粒较大 ,影响口感 ,故对其进行干法分提改性。干法分提是基于不同类型的甘三酯熔点的差异 ,将高熔点组分与低熔点组分分离。经干法二次分提的猪油 ,液体油熔点可达到 11.4℃ ,在室温下呈液态 ,... 我国猪油来源丰富 ,但其晶型为 β晶体 ,颗粒较大 ,影响口感 ,故对其进行干法分提改性。干法分提是基于不同类型的甘三酯熔点的差异 ,将高熔点组分与低熔点组分分离。经干法二次分提的猪油 ,液体油熔点可达到 11.4℃ ,在室温下呈液态 ,分提后的固脂经脱臭后可作为人造奶油、起酥油的原料。影响干法分提的因素主要有结晶温度、冷却速率、养晶时间、搅拌速率 ,通过正交实验确定干法一次分提的最优条件为 :结晶温度 2 1℃ ,冷却速率 2℃ /h ,养晶时间 9h ,慢速搅拌。二次干法分提的条件为 :结晶温度 16℃ ,养晶时间 30h。 展开更多
关键词 分提 猪油 干法 起酥油 人造奶油 脱臭 口感 结晶温度 组分分离 高熔点
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反应合成六钛酸钾晶须的微结构及其晶体学生长研究 被引量:3
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作者 戚玉敏 崔春翔 +2 位作者 申玉田 王新 高鑫 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1117-1119,共3页
通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等测试方法分析反应合成的六钛酸钾(K2Ti6O13)晶须的形态、晶体结构及其结晶生长。结果表明,采用烧结法一次反应合成的K2Ti6O13晶须为柱状单晶,在确定的工艺条件下获得... 通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等测试方法分析反应合成的六钛酸钾(K2Ti6O13)晶须的形态、晶体结构及其结晶生长。结果表明,采用烧结法一次反应合成的K2Ti6O13晶须为柱状单晶,在确定的工艺条件下获得的晶须表面质量很好,内部原子排列规则,没有晶体缺陷存在,外侧面和断面有一层紊乱的过渡层,晶须沿轴向和径向生长,且沿轴向生长快,其轴向生长方向平行于[010]方向。 展开更多
关键词 六钛酸钾 晶须 微结构 晶体生长
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基于自适应噪声抵消的CZ单晶炉炉膛温度信号处理 被引量:7
6
作者 梁炎明 刘丁 赵跃 《控制理论与应用》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期94-100,共7页
为滤除CZ单晶炉炉膛温度信号在单晶生长过程中存在的低频干扰,提出一种基于噪声抵消技术的滤波方法.首先利用傅立叶级数构造出低频干扰的逼近信号,然后根据炉温信号的缓变特征建立能够获取低频干扰逼近信号的抵消器误差函数,最后利用一... 为滤除CZ单晶炉炉膛温度信号在单晶生长过程中存在的低频干扰,提出一种基于噪声抵消技术的滤波方法.首先利用傅立叶级数构造出低频干扰的逼近信号,然后根据炉温信号的缓变特征建立能够获取低频干扰逼近信号的抵消器误差函数,最后利用一种改进的粒子群优化算法优化误差函数获得低频干扰的逼近信号,并用该逼近信号抵消低频干扰.实验结果表明,所提出的自适应噪声抵消滤波算法能够有效滤除CZ单晶炉炉膛温度信号中的低频干扰,并优于常用的滤波方法. 展开更多
关键词 CZ单晶炉 炉膛温度信号 低频干扰 滤波 傅立叶级数 自适应噪声抵消 粒子群优化
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磁控溅射沉积铀薄膜组织结构研究 被引量:4
7
作者 鲜晓斌 汪小琳 +5 位作者 吕学超 柏朝茂 李科学 伏晓国 唐凯 任大鹏 《真空》 CAS 北大核心 2000年第3期22-24,共3页
采用扫描透射电镜 (STEM) ,研究了铝上磁控溅射沉积铀薄膜的形貌、组织、结构以及铀薄膜的生长模型。结果表明 :磁控溅射沉积铀薄膜是由微晶和非晶态两态组成 ,属层状 +岛状生长模型。
关键词 铀薄膜 非晶态 生长模型 磁控油射沉积
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造纸专用碳酸钙的制备及其影响因素 被引量:6
8
作者 蔡俊青 何豫基 曹吉林 《无机盐工业》 CAS 2004年第2期30-32,共3页
通过加入特定的晶形控制剂,制得了适合造纸填料及颜料使用的菱形轻质碳酸钙。并对碳化过程中的一系列影响因素,如碳化温度、石灰乳质量浓度、二氧化碳体积分数、晶形控制剂用量、分散剂用量,进行了研究,确定了制备菱形碳酸钙的最佳工艺... 通过加入特定的晶形控制剂,制得了适合造纸填料及颜料使用的菱形轻质碳酸钙。并对碳化过程中的一系列影响因素,如碳化温度、石灰乳质量浓度、二氧化碳体积分数、晶形控制剂用量、分散剂用量,进行了研究,确定了制备菱形碳酸钙的最佳工艺条件。 展开更多
关键词 造纸 碳酸钙 制备 影响因素 晶形控制剂 碳化温度 石灰乳质量浓度 二氧化碳体积分数
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湿法磷酸工艺对磷石膏中可溶磷含量的影响 被引量:3
9
作者 李美 彭家惠 张欢 《非金属矿》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期43-46,75,共5页
采用模拟湿法磷酸工艺,研究了湿法磷酸的过滤、洗涤工艺和养晶工艺对磷石膏中可溶磷含量的影响。当萃取反应料浆液固比为2.5:1时,絮凝剂的适宜掺量为12 mg/kg料浆,在料浆中适宜停留时间为3~5 min,得到的磷石膏中可溶磷含量仅为0.48%,... 采用模拟湿法磷酸工艺,研究了湿法磷酸的过滤、洗涤工艺和养晶工艺对磷石膏中可溶磷含量的影响。当萃取反应料浆液固比为2.5:1时,絮凝剂的适宜掺量为12 mg/kg料浆,在料浆中适宜停留时间为3~5 min,得到的磷石膏中可溶磷含量仅为0.48%,与没有添加絮凝剂的磷石膏相比,可溶磷含量降低了57%;洗涤水温度应控制在80℃左右,洗涤液固比(2~2.5):1,洗涤3次,得到的磷石膏中可溶磷含量为0.14%,与现有的工艺相比降低了86%;在磷酸萃取反应之后,过滤、洗涤之前,应增加养晶工艺,养晶温度为85℃,养晶时间1h,得到的磷石膏中可溶磷含量仅为0.6%,与没有养晶工艺的相比降低了39%。 展开更多
关键词 养晶工艺 洗涤工艺 絮凝剂 磷石膏 可溶磷
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一种T-S模糊模型的自组织辨识算法及应用 被引量:8
10
作者 梁炎明 刘丁 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1941-1947,共7页
提出了一种新的具有自适应学习能力的T-S模糊模型辨识算法。该算法通过使同一条规则的高斯函数的宽度参数彼此相等建立与支持向量机等效的T-S模糊模型,在此基础上,利用模糊聚类算法和支持向量机分别建立前后件辨识模型,并利用一种改进... 提出了一种新的具有自适应学习能力的T-S模糊模型辨识算法。该算法通过使同一条规则的高斯函数的宽度参数彼此相等建立与支持向量机等效的T-S模糊模型,在此基础上,利用模糊聚类算法和支持向量机分别建立前后件辨识模型,并利用一种改进粒子群优化算法优化输出误差函数使前后件参数联合辨识,从而获得T-S模糊模型的结构和参数。仿真结果表明,相比其它方法,文中方法具有较高的逼近精度和较好的泛化能力,由此算法获得的直拉单晶炉热场模型具有0.1171的均方差,完全符合均方差小于0.5的要求。 展开更多
关键词 T—S模糊模型 自组织 支持向量机 模糊聚类 粒子群优化 直拉单晶炉热场
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实时研究KDP和DKDP晶体生长边界层的分子结构 被引量:1
11
作者 于锡铃 尤静林 +7 位作者 王燕 程振翔 王晶晶 周赫田 余昺鲲 张树君 孙大亮 蒋国昌 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期19-,共1页
When the crystal grows from solution,a sharp variated fluid layer of the solute concentration exists against crystal surface.The sharp variated fluid layer is defined the boundary layer in crystal growth.The molecular... When the crystal grows from solution,a sharp variated fluid layer of the solute concentration exists against crystal surface.The sharp variated fluid layer is defined the boundary layer in crystal growth.The molecular structure of the boundary layers plays a key role in crystal composition,morphology,growth rate and crystal growth mechanism.However,owing to the lacking of suitable probe technique,it is difficult to obtain the information of the moving construction of the boundary layers.Here,the laser Raman Microprobe combining with holographic phase contrast interferometric microphotography is used to probe in situ the molecular structure of the boundary layers during the crystal growth processes of KH 2PO 4(KDP) and KD 2PO 4(DKDP).In supersaturations ranging from 1% to 14%,Raman scattering states at the different positions within the boundary layers have been investigated,and compared with the bands of different concentration solutions alone using laser Raman spectroscopy between 600 and 1350cm -1 .The changes in band parameters of the phosphates within the boundary layers of crystal growth are different from those in solution alone.The influence of the solution concentration on the band parameters of anion phosphate within the layers is nonlinear.With increasing supersaturation,the full width at half height of the P=O 2 symmetric stretch band increases.The new 918(938)cm -1 H(D)O P OH(D) asymmetric stretch,1120(DKDP 1200)cm -1 O P O asymmetric stretch,and extremely weak 1210cm -1 P O H in plane deformation bands appear in the characteristic boundary layers.These new bands show that the cations have direct effects on the phosphate group(aggregates).Under the driving of concentration gradient field of supersaturation,the effects of cations cause the changes of O P O bond angle,atomic charge redistribution,and lead to readjust geometry of anion phosphate group and desolvation.The trend of readjust is close to the geometry of the crystal structure unit and the formation of the cations phosphate crystallization unit. 展开更多
关键词 in situ research growth boundary layer molecular structure solution growing crystal
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SiGe合金单晶生长研究 被引量:1
12
作者 刘锋 毛陆虹 +3 位作者 韩焕鹏 王义猛 李丹 何秀坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期328-332,共5页
通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%~12.92%... 通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%~12.92%、Φ为50~60mm的SiGe单晶。可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底。 展开更多
关键词 锗硅单晶 锗的质量分数 单晶生长 直拉法 位错密度
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Cr:KTP晶体生长及其有关性能研究 被引量:1
13
作者 张克从 刘军 王希敏 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1995年第3期1-11,共11页
采用高温溶液法在不同温度下生长了掺质量分别为摩尔原子质量的0.03%和0.1%的Cr:KTP晶体,确定了它们的最佳生长温度区间,并讨论了不同生长温度区间对Cr:KTP晶体形态的影响。利用光学显微镜和扫描电镜观察了Cr... 采用高温溶液法在不同温度下生长了掺质量分别为摩尔原子质量的0.03%和0.1%的Cr:KTP晶体,确定了它们的最佳生长温度区间,并讨论了不同生长温度区间对Cr:KTP晶体形态的影响。利用光学显微镜和扫描电镜观察了Cr:KTP的3种生长缺陷。利用差热分析法分析了Cr2O3对KTP晶体分解温度的影响。测定了Cr:KTP品体的吸收光谱和蓝绿波段的荧光光谱,并用间接法估计了晶体中Cr4+离子的含量。确定了摩尔原子质量的0.03%为Cr:KTP晶体的最佳掺质浓度,并用激光激发实验予以证明。 展开更多
关键词 晶体生长 掺质浓度 磷酸钛氧钾 溶液法
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肺炎链球菌SPD1587蛋白的表达纯化及晶体生长研究 被引量:1
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作者 黄健 黄美容 +2 位作者 骆诗露 朱杰华 闵迅 《生物技术通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期226-230,共5页
SPD1587蛋白是肺炎链球菌D39菌株中的一种转录因子,其在鼻咽部定植和肺部感染过程中发挥着重要作用。生物信息学分析提示其具有与A群链球菌的转录因子Mga蛋白相似的结构,目前其三维结构尚未被解析。成功构建了SPD1587蛋白的全长表达载体... SPD1587蛋白是肺炎链球菌D39菌株中的一种转录因子,其在鼻咽部定植和肺部感染过程中发挥着重要作用。生物信息学分析提示其具有与A群链球菌的转录因子Mga蛋白相似的结构,目前其三维结构尚未被解析。成功构建了SPD1587蛋白的全长表达载体PET28a-spd1587,利用大肠杆菌BL21(DE3)菌株进行原核表达,获得了以可溶形式表达的目的蛋白。经Ni-NTA柱亲和层析及DEAE阴离子交换层析纯化后,获得了高纯度的目的蛋白。采用悬滴气相扩散法获得了SPD1587蛋白晶体。 展开更多
关键词 肺炎链球菌 SPD1587蛋白 原核表达 晶体生长
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高温热管MCT晶体材料生长炉 被引量:5
15
作者 虞斌 朱亚军 +1 位作者 刘铁臣 涂善东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期53-56,共4页
介绍了同轴径向传热的高温热管结构、工作原理及其传热特性。根据这种高温热管的传热特性 ,结合Bridgman晶体生长法 ,研制了碲镉汞 (MCT)晶体材料生长炉 ,并利用该热管炉生长出了合格的 MCT晶体材料试样。
关键词 高温热管 MCT晶体材料 生长炉
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铁电铌酸钾锂晶体的缺陷研究 被引量:2
16
作者 徐家跃 范世 +1 位作者 林雅芳 孙仁英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期201-,共1页
铌酸钾锂 (K3 Li2 -xNb5 +xO15 +2x∶KLN)铁电固溶体晶体被认为是具有良好应用前景的蓝光倍频晶体之一。到目前为止 ,有关相图、晶体生长和性能等方面的工作已经有了大量的研究 ,而关于KLN晶体缺陷研究少见报道。本文研究了KLN晶体的云... 铌酸钾锂 (K3 Li2 -xNb5 +xO15 +2x∶KLN)铁电固溶体晶体被认为是具有良好应用前景的蓝光倍频晶体之一。到目前为止 ,有关相图、晶体生长和性能等方面的工作已经有了大量的研究 ,而关于KLN晶体缺陷研究少见报道。本文研究了KLN晶体的云层、裂纹、畴结构等宏观缺陷以及晶体化学组成的不均匀性。本实验所用KLN晶体是坩埚下降法生长的。尺寸为1 0mm× 2 8mm、浅黄色透明KLN晶体被切割为小圆片并抛光 ,加工好的圆片厚度为 1mm。将KLN圆片在煮沸的氢氟酸或 2HNO3∶HF混合酸中腐蚀 5~ 1 0min ,然后用清水冲洗干净。用光学显微镜观察晶体样品表面的腐蚀形貌 ,放大倍数为 1 0 0或 2 0 0。可以看到正负 ( 0 0 1 )面的腐蚀坑皆为三角锥形 ,但表面粗糙度不同 ,说明正负〈0 0 1〉方向的腐蚀速率不同。云层部分经短时间腐蚀后显示出大量蚀坑 ,同时出现不少垂直于云层的腐蚀坑 ,这可能是应力垂直于云层缺陷释放的缘故。有些腐蚀面可以观察到清晰的 1 80°柱状畴结构。KLN晶体在生长后的冷却过程中很容易开裂。大多数开裂面光滑 ,有明显的解理面特征。经X射线定向仪测定 ,这些解理面为 ( 0 0 1 )面。粗糙的开裂面多为 ( 1 1 0 )面。造成KLN晶体开裂的主要原因是该晶体显著的各向异性生长速率和c、a轴向膨胀系数的明? 展开更多
关键词 铌酸钾锂晶体 坩埚下降法生长 缺陷 畴结构
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钛合金中TiC晶体的形态及优先生长方向探讨 被引量:5
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作者 金云学 李俊刚 《钛工业进展》 CAS 2005年第3期25-28,共4页
对钛合金中的TiC,用重力法和定向凝固法制备试样,分析研究了其中TiC形态及生长方向。钛合金中TiC非平衡结晶形态为枝晶状,同时也观察到在特定情况下TiC晶体沿着[110]方向分枝,分析认为TiC晶体中的第一优先生长方向为<100>方向,第... 对钛合金中的TiC,用重力法和定向凝固法制备试样,分析研究了其中TiC形态及生长方向。钛合金中TiC非平衡结晶形态为枝晶状,同时也观察到在特定情况下TiC晶体沿着[110]方向分枝,分析认为TiC晶体中的第一优先生长方向为<100>方向,第二优先生长方向为<110>,因此当<100>方向的生长受到抑制时,<110>方向作为优先生长方向生长。并提出分枝模型,解释了<100>成为优先生长方向之一的原因。 展开更多
关键词 生长方向 TIC 钛合金 优先 晶体 定向凝固法 结晶形态 分枝模型 重力法
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结晶度对聚丁烯-1力学性能的影响 被引量:12
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作者 江云涛 黄佃平 +2 位作者 邵华峰 姚薇 黄宝琛 《现代塑料加工应用》 CAS 北大核心 2008年第1期26-29,共4页
通过对聚丁烯-1结晶度的研究,考察了聚集态结构对聚丁烯-1力学性能的影响。结果表明,晶体的生长过程可以分成2个阶段:晶粒生长期和晶型完善期,结晶度对聚丁烯-1的力学性能起重要作用。
关键词 聚丁烯-1 聚集态 结晶度 晶粒增长期 晶型完善期
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大颗粒氯化钠的制备研究 被引量:9
19
作者 翁贤芬 《盐业与化工》 CAS 2009年第5期18-19,28,共3页
研究了井盐卤水中Ca2+,Mg2+杂质对氯化钠结晶速率的影响,Mg2+能促进NaCl生长速率的提高,少量Ca2+对盐晶体的生长有利,浓度增大到0.6 g/L则抑制了晶体生长。讨论了在oslo结晶器中连续结晶以4 h为宜。进一步研究了不同添加剂对NaCl结晶粒... 研究了井盐卤水中Ca2+,Mg2+杂质对氯化钠结晶速率的影响,Mg2+能促进NaCl生长速率的提高,少量Ca2+对盐晶体的生长有利,浓度增大到0.6 g/L则抑制了晶体生长。讨论了在oslo结晶器中连续结晶以4 h为宜。进一步研究了不同添加剂对NaCl结晶粒度的影响,甘氨酸可促进晶体长大,甘氨酸的最佳添加量是0.8 g/L,90%以上的NaCl晶体达到0.42 mm以上,具有良好的防结块性能。 展开更多
关键词 氯化钠 大颗粒 晶体生长速率 防结块
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提拉法单晶炉室与抽真空充气系统 被引量:1
20
作者 高利强 原洛渭 《真空》 CAS 北大核心 2007年第5期52-54,共3页
炉室是单晶炉的中心环节,内置坩埚、晶体材料、加热系统和保温罩等。直拉法是在半导体领域中应用最广,产量最大的单晶制备方法。本文以提拉法单晶炉为例先介绍不同于其它设备的各种炉室结构、形状及原因,指出有关的附属结构。然后根据... 炉室是单晶炉的中心环节,内置坩埚、晶体材料、加热系统和保温罩等。直拉法是在半导体领域中应用最广,产量最大的单晶制备方法。本文以提拉法单晶炉为例先介绍不同于其它设备的各种炉室结构、形状及原因,指出有关的附属结构。然后根据压力的不同对炉室进行了分类。最后详细论述了抽真空充气系统的综合方法及工作原理。 展开更多
关键词 单晶炉 直拉法 炉室 真空与充气系统
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