热灯丝辅助射频等离子体CVD法生长立方氮化硼膜的研究

本文对热灯丝（热电子）辅助射频等离子体ＣＶＤ法制备的立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜进行了研究。实验结果表明，ｃ－ＢＮ膜的质量与膜沉积条件有密切的关系。并对其结果作了简要讨论。

热丝辅助等离子体化学气相法生长c－BN薄膜

用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积法（ＰＣＶＤ）合成：ｃ－ＢＮ薄膜获得成功。实验结果表明，灯丝温度、反应气压、衬底温度、灯丝与衬底距离对薄膜质量有重要影响。

立方氮化硼薄膜中的氧杂质

采用等离子体增强化学气相生长技术制备立方氮化硼薄膜,系统研究了背底真空度和生长过程中氧气的存在对立方氮化硼薄膜中氧杂质含量的影响.发现把背底真空度提高至1×10-5Pa仍然不能有效消除立方氮化硼薄膜中的氧杂质.随着立方氮化硼薄膜中氧杂质的增加,其红外吸收谱的Lorentz拟合发现,在1230～1280cm-1附近出现由氧原子与硼原子结合形成的B-O键的反对称伸缩振动引起的吸收峰.该吸收峰的强度与薄膜中的氧杂质含量有较好的线性关系,因此可以通过分析该吸收峰的强度半定量地测定立方氮化硼薄膜中的氧杂质含量。