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不同线宽电流阻挡层的GaN基LED芯片光电特性研究
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作者 田媛 刘叶锋 +2 位作者 陈晓冰 王忠东 闫晓密 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第10期38-41,共4页
发光二极管(LED)由于具有低功耗、小体积、宽光谱范围等优点,被广泛应用于可见光通信、光电医疗、快速无损检测等微系统领域。为了进一步提高LED的发光效率,在图形化蓝宝石衬底上制备了具有不同线宽电流阻挡层(CBL)的氮化镓(GaN)基LED,... 发光二极管(LED)由于具有低功耗、小体积、宽光谱范围等优点,被广泛应用于可见光通信、光电医疗、快速无损检测等微系统领域。为了进一步提高LED的发光效率,在图形化蓝宝石衬底上制备了具有不同线宽电流阻挡层(CBL)的氮化镓(GaN)基LED,并研究其光电特性。结果表明,在120mA测试电流作用下,由于CBL的插入增大了有源层有效光发射区域的电流密度,减少了p电极(p-pad)下的寄生光吸收,LED芯片的辐射功率与光电转换效率随着CBL线宽的增加而单调增加,在CBL线宽设计为13μm时,辐射功率与光电转换效率达到最大;正向电压(VF)随着CBL线宽的增加略有增加,表明绝缘的CBL层增大串联电阻。本文为CBL线宽的选择提供了新思路,可有效提高LED的发光效率。 展开更多
关键词 发光二极管 电流阻挡层 氮化镓 发光效率
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基于倾斜旋转方法磁控溅射制备TSV阻挡层
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作者 申菊 卢林红 +4 位作者 杜承钢 冉景杨 闵睿 杨发顺 马奎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期726-731,共6页
硅通孔(TSV)是实现三维集成的关键技术,在TSV侧壁制备连续和均匀的阻挡层至关重要。提出了一种磁控溅射制备TSV侧壁阻挡层的方法,将溅射基台倾斜一定角度并水平匀速旋转,使溅射离子的掉落方向与TSV侧壁不平行,靶材离子更容易溅射沉积在... 硅通孔(TSV)是实现三维集成的关键技术,在TSV侧壁制备连续和均匀的阻挡层至关重要。提出了一种磁控溅射制备TSV侧壁阻挡层的方法,将溅射基台倾斜一定角度并水平匀速旋转,使溅射离子的掉落方向与TSV侧壁不平行,靶材离子更容易溅射沉积在TSV侧壁,使得TSV侧壁都能被溅射到,更有利于制备连续和均匀的阻挡层。使用Ti靶进行直流磁控溅射,优化溅射电流和溅射气压,通过扫描电子显微镜(SEM)对TSV侧壁阻挡层的形貌进行表征分析。随着溅射电流和溅射气压的增大,阻挡层的厚度会增加,但是溅射气压的增大使得溅射钛晶粒变得细长,从而导致阻挡层的均匀性和致密性变差。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 阻挡层 磁控溅射 溅射电流 溅射气压
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具有多晶阻挡层的浮空P区IGBT开关特性研究
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作者 肖蝶 冯全源 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第1期67-72,共6页
为了减少浮空P区IGBT结构的栅极空穴积累,改善结构的电磁干扰(EMI)噪声问题,从而提高结构电磁干扰噪声与开启损耗(Eon)之间的折中关系,研究提出了一种具有多晶硅阻挡层的FD-IGBT结构。新结构在传统结构的浮空P区上方引入一块多晶硅阻挡... 为了减少浮空P区IGBT结构的栅极空穴积累,改善结构的电磁干扰(EMI)噪声问题,从而提高结构电磁干扰噪声与开启损耗(Eon)之间的折中关系,研究提出了一种具有多晶硅阻挡层的FD-IGBT结构。新结构在传统结构的浮空P区上方引入一块多晶硅阻挡层,阻挡层接栅极,形成与N型漂移区的电势差。新结构在器件开启过程中,多晶硅阻挡层下方会积累空穴,导致栅极附近积累的空穴数量减少,从而降低浮空P区对栅极的反向充电电流。通过TCAD软件仿真结果表明,相比于传统FD-IGBT,新结构开启瞬态的过冲电流(I_(CE))和过冲电压(V_(GE))的峰值分别下降26.5%和8.6%,且在栅极电阻(R_(g))增加时有更好的电流电压可控性;相同开启损耗下,新结构的dI_(CE)/dt、dV_(CE)/dt和dV_(KA)/dt最大值分别降低26.5%,15.1%和26.1%。 展开更多
关键词 电磁干扰噪声 开启损耗 浮空P区 多晶硅阻挡层 栅极反向充电电流
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致密扩散障碍层极限电流型氧传感器的研究进展
4
作者 张鹏飞 周芬 +2 位作者 郜建全 杨钢 许婷 《佛山陶瓷》 CAS 2023年第11期57-61,共5页
致密扩散障层极限电流型氧传感器具有结构简单、响应速度快、成本低廉等优点,可广泛应用于冶金、汽车、航天等多种领域。本文从极限电流型氧传感器的工作原理与分类、固体电解质、扩散障碍层材料及氧传感器的制备工艺等方面,对近年来致... 致密扩散障层极限电流型氧传感器具有结构简单、响应速度快、成本低廉等优点,可广泛应用于冶金、汽车、航天等多种领域。本文从极限电流型氧传感器的工作原理与分类、固体电解质、扩散障碍层材料及氧传感器的制备工艺等方面,对近年来致密扩散障碍层极限电流型氧传感器用材料的研究进展及传感器的制备工艺进行了综述,并对致密扩散障碍层极限电流型氧传感器用中低温电解质材料提出了发展方向。 展开更多
关键词 极限电流型 氧传感器 电解质 扩散障碍层
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提高高压MnO_(2)钽电容器漏电流稳定性的试验研究
5
作者 田东斌 伍权 余德艳 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第8期942-947,共6页
高压MnO_(2)钽电容器漏电流在高温和高压应用环境中的稳定性对电路的安全性和可靠性有重要影响。通过正反向偏置V-I特性测试可知,高压MnO_(2)钽电容器漏电流主要为氧空位缺陷和介质表面的微晶诱发的Poole-Frenkel电流和隧穿电流。在Ta2O... 高压MnO_(2)钽电容器漏电流在高温和高压应用环境中的稳定性对电路的安全性和可靠性有重要影响。通过正反向偏置V-I特性测试可知,高压MnO_(2)钽电容器漏电流主要为氧空位缺陷和介质表面的微晶诱发的Poole-Frenkel电流和隧穿电流。在Ta2O5介质表面通过浸渍的方法涂覆一层绝缘树脂阻挡层,以提高界面的势垒和Poole-Frenkel电阻,屏蔽介质表面的晶化点,且抑制氧空位缺陷和晶化点在高温和高场环境应用过程中的互作用。浪涌电流/电压冲击、高低温稳定性、加速121℃-85%RH-63 h和125℃-2000 h寿命测试表明,漏电流在高温和高压环境中的稳定性明显改善,电容器的可靠性和稳定性显著提高。该研究对电子装备系统在严酷环境中的安全可靠运行具有重要的支撑作用。 展开更多
关键词 高压 阻挡层 MnO_(2)钽电容器 漏电流 稳定性
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高效率ZnS:ErACTFELD的研制
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作者 柳兆洪 陈谋智 +2 位作者 徐广海 孙书农 刘瑞堂 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期140-142,共3页
对掺饵硫化锌交流电致发光薄膜器件 (ACTFELD) ,根据载流子隧穿势垒层会获得能量增益 ,提高激发效率的原理 ,通过改变常规ZnS :ErACTFELD的基本结构 ,研制出多阻挡层器件。实验证实 ,这种多阻挡层器件具有高的阈值电压和高的电致发光亮度。
关键词 交流电致发光器件 势垒层 薄膜
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SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的晶界研究——Ⅱ.晶界模型与材料电性能 被引量:3
7
作者 徐保民 宋祥云 +2 位作者 王鸿 殷之文 温树林 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期519-527,共9页
根据低温一次烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器两晶粒间晶界相结构的复杂性和不同晶界的势垒特性,建立了具有复合晶界特征的晶界等效电路模型,据此解释了材料的I-V非线性特性和介电-电压特性。认为低施主掺杂的材料,击穿区的I-V非线性特性... 根据低温一次烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器两晶粒间晶界相结构的复杂性和不同晶界的势垒特性,建立了具有复合晶界特征的晶界等效电路模型,据此解释了材料的I-V非线性特性和介电-电压特性。认为低施主掺杂的材料,击穿区的I-V非线性特性主要是由通过“洁净”晶界和窄晶界的隧道电流引起的,从而与温度无关;而高施主掺杂的材料,击穿区的I-V非线性特性既包括通过“洁净”晶界和窄晶界的隧道电流,亦包括通过宽晶界的雪崩击穿电流,从而与温度有关。在低的直流偏压下,材料的电容量随偏压变化很小,但由通过“洁净”晶界和部分窄品界而贯穿样品的热激发漏导电流的存在,使材料的介电损耗明显增加。 展开更多
关键词 钛酸锶陶瓷 晶界层电容器 晶界模型
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具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算 被引量:2
8
作者 覃化 史常忻 王森章 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期176-180,共5页
将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD简化为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性,进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。
关键词 肖特基势垒 势垒增强层 暗电流特性 MSM-PD
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具有势垒增强层的MSM光电探测器特性的模拟
9
作者 覃化 史常忻 王森章 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期12-15,共4页
无势垒增强型的金属—半导体—金属光电探测器(MSM-PD)已有过理论分析[1],而对具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD则缺乏理论分析。文章将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSMPD简化为一维模型,并通过理论分析,... 无势垒增强型的金属—半导体—金属光电探测器(MSM-PD)已有过理论分析[1],而对具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD则缺乏理论分析。文章将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSMPD简化为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性。其结果与实验的相符。 展开更多
关键词 光电器件 探测器 肖特基势垒 势垒增强层
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共压共烧法制备La_(0.8)Sr_(0.2)(Ga_(0.8)Mg_(0.2))_(0.1)Fe_(0.9)O_(3-δ)致密扩散障碍层极限电流型氧传感器 被引量:2
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作者 张小芳 刘涛 +4 位作者 金宏斌 于景坤 高翔 王成 王相南 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1089-1094,共6页
采用固相合成法制备了La_(0.8)Sr_(0.2)(Ga_(0.8)Mg_(0.2))_(0.1)Fe_(0.9)O_(3-δ)(LSGMF)混合导体和La_(0.8)Sr_(0.2)Ga_(0.8)Mg_(0.2)O_(3-δ)(LSGM)固体电解质,利用XRD、TGA、范德堡直流四探针法和热膨胀仪等对试样进行了分析。以LS... 采用固相合成法制备了La_(0.8)Sr_(0.2)(Ga_(0.8)Mg_(0.2))_(0.1)Fe_(0.9)O_(3-δ)(LSGMF)混合导体和La_(0.8)Sr_(0.2)Ga_(0.8)Mg_(0.2)O_(3-δ)(LSGM)固体电解质,利用XRD、TGA、范德堡直流四探针法和热膨胀仪等对试样进行了分析。以LSGMF为致密扩散障碍层,以LSGM为氧泵层,采用共压共烧结法制备了极限电流型氧传感器,利用SEM和EDS对LSGMF/LSGM陶瓷体横截面的微观形貌和成分进行了分析。结果表明:LSGMF具有菱方钙钛矿结构(R-3c空间群),它在650℃失重速率最快,其电导率随温度的升高而增大;300~1000℃范围,LSGM与LSGMF的热膨胀系数分别为12.51×10^(–6)/℃和12.80×10^(–6)/℃。650~850℃范围,氧传感器具有良好的极限电流平台,lg I_L(极限电流I_L)与1000/T呈线性关系,LSGMF中氧离子的扩散激活能为0.4008 e V。800℃、0.3mol%<x(O_2)<21.0mol%时,极限电流IL与氧含量x(O_2)间的关系为:I_L(m A)=10.285x(O_2)(mol%),R=0.9982。LSGMF和LSGM结合牢固,未产生裂纹,EDS分析基本符合各化合物的化学计量比。 展开更多
关键词 氧传感器 共压共烧结 致密扩散障碍层 极限电流
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铝箔在锂离子电池中的应用 被引量:6
11
作者 王世鑫 杨高洁 《铝加工》 CAS 2014年第3期53-56,共4页
通过分析铝箔作为锂离子电池的正极集流体的机理、锂离子电池芯的结构分析和生产工艺,归纳出正极集流体用铝箔的技术要求;通过分析铝箔作为聚合物锂离子电池的包装材料阻隔层的机理、软包装材料的结构分析和生产工艺,归纳出聚合物锂离... 通过分析铝箔作为锂离子电池的正极集流体的机理、锂离子电池芯的结构分析和生产工艺,归纳出正极集流体用铝箔的技术要求;通过分析铝箔作为聚合物锂离子电池的包装材料阻隔层的机理、软包装材料的结构分析和生产工艺,归纳出聚合物锂离子电池的包装材料阻隔层铝箔的技术要求。 展开更多
关键词 铝箔 锂离子电池 正极集流体 聚合物锂离子电池 软包装材料 阻隔层
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铜合金自形成阻挡层制备及其性能研究
12
作者 王晓铖 曹菲 南泽昊 《应用科技》 CAS 2022年第3期44-49,共6页
随着微电子器件特征尺寸进一步缩小,传统的铜互连阻挡层技术将面临极大的挑战,为解决传统铜互连阻挡层技术阻挡扩散性能弱的问题,铜合金自形成阻挡层技术成为该领域的研究热点。本文以Cu(V)/SiO2/Si多层膜体系为研究对象,实现Cu(V)合金... 随着微电子器件特征尺寸进一步缩小,传统的铜互连阻挡层技术将面临极大的挑战,为解决传统铜互连阻挡层技术阻挡扩散性能弱的问题,铜合金自形成阻挡层技术成为该领域的研究热点。本文以Cu(V)/SiO2/Si多层膜体系为研究对象,实现Cu(V)合金薄膜制备参数的优化设计。通过体系界面特性和电学特性的分析得出,溅射气压、溅射功率和靶基距这3个制备参数的变化对铜合金薄膜性质及合金体系的阻挡性能均有明显的影响。且当溅射气压为0.5 Pa、溅射功率为90 W、靶基距为60 mm时,制备的铜钒合金薄膜经退火后会自形成最优阻挡层。 展开更多
关键词 微电子器件 互连 阻挡层 漏电电流 电阻率 直流磁控溅射技术 铜合金薄膜 自形成
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Electroluminescence in organic single-layer light-emitting diodes at high fields 被引量:1
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作者 杨盛谊 徐征 +3 位作者 王振家 侯延冰 徐叙瑢 张希清 《Science in China(Series F)》 2001年第3期168-175,共8页
By considering the interaction between Fowler-Nordheim tunneling injection theory and charge carriers transporting through the bulk, an electroluminescence model for organic single-layer diodes is presented. The expre... By considering the interaction between Fowler-Nordheim tunneling injection theory and charge carriers transporting through the bulk, an electroluminescence model for organic single-layer diodes is presented. The expressions of the recombination current density, recombination efficiency and conductivity of the diodes are provided, which elucidate the controlling role of the electric field on mobility and recombination zone. The equilibrium of two opposite charge carriers injection and the cen-tral position of recombination zone are two important preconditions for reducing the leakage current. Space-charge-limited current occurs only over a certain high bias, meanwhile, the quantity of injection carriers increases over the transport capacity of the bulk. 展开更多
关键词 organic electrolununescence single-layer devices interface barrier space-charge-limited current.
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势垒层对黑硅光电探测器性能影响的研究 被引量:4
14
作者 苏元捷 蒋亚东 +1 位作者 吴志明 赵国栋 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1439-1442,共4页
讨论势垒层Si3N4的引入对黑硅光电探测器光电性能的影响。探测器采用金属-半导体-金属(MSM)器件结构在黑硅层和电极间增加一层势垒层以提高肖特基势垒,从而减低器件的暗电流。实验表明,在相同的光照情况下,有势垒层的探测器暗电流比无... 讨论势垒层Si3N4的引入对黑硅光电探测器光电性能的影响。探测器采用金属-半导体-金属(MSM)器件结构在黑硅层和电极间增加一层势垒层以提高肖特基势垒,从而减低器件的暗电流。实验表明,在相同的光照情况下,有势垒层的探测器暗电流比无势垒层的探测器暗电流至少低1个数量级,且势垒层厚度增加30nm其暗电流降低约1个数量级,而光电流无明显改变。结果表明,沉积势垒层可有效地降低黑硅MSM探测器的噪声电流,提高信噪比(SNR)。 展开更多
关键词 势垒层 暗电流 光电流 金属-半导体-金属(MSM) 黑硅
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Sr_(0.9)Y_(0.1)CoO_(3--δ)致密扩散障碍层极限电流型氧传感器的制备及性能 被引量:4
15
作者 何背刚 刘涛 +1 位作者 管晋钊 程超 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期268-274,共7页
采用固相合成法制备SrO.9Y0.1CoO3-δ(sYcO)混合导体和Lao.8sr0.2Ga0.83Mgo.1702.815(LSOM)固体电解质,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、热重分析仪、热膨胀仪和碘滴定法对SYCO性能进行了表征。以SYCO为致密扩散障碍层... 采用固相合成法制备SrO.9Y0.1CoO3-δ(sYcO)混合导体和Lao.8sr0.2Ga0.83Mgo.1702.815(LSOM)固体电解质,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、热重分析仪、热膨胀仪和碘滴定法对SYCO性能进行了表征。以SYCO为致密扩散障碍层,LSGM为氧泵层,采用瓷片复合法制备出致密扩散障碍层极限电流型氧传感器,研究了温度和氧含量对传感器性能的影响。结果表明:SYCO晶体为立方相Pm3m空间群结构;SYCO致密扩散障碍层致密且气孔较少,各元素的摩尔比基本符合SYCO的化学计量比;350~1000℃条件下,SYCO的线膨胀系数为25×10-6/℃;SYCO的非化学计量数δ为-0.143。中低温条件下(600-800℃),氧传感器具有良好的极限电流平台,在700℃(氧含量为0.91%~3.95%)和750℃(氧含量为0.98%~4.00%)条件下,提出了极限电流h与氧含量关系曲线。 展开更多
关键词 致密扩散障碍层 极限电流 氧传感器 固体电解质 非化学计量比
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超导磁通量子比特的制备及Al/AlO_x/Al隧道结特性参数
16
作者 王林 许伟伟 +3 位作者 翟计全 李晓虎 孙国柱 吴培亨 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第27期2728-2733,共6页
超导量子比特作为利用约瑟夫森结实现量子位的方案之一,具有易集成、易与外界耦合等优点.用双层光刻胶通过深紫外光曝光制备悬空掩膜结构,Al作为超导材料,采用电子束斜蒸发及静态氧化的方法制备了超导磁通量子比特样品.通过对Al薄膜厚... 超导量子比特作为利用约瑟夫森结实现量子位的方案之一,具有易集成、易与外界耦合等优点.用双层光刻胶通过深紫外光曝光制备悬空掩膜结构,Al作为超导材料,采用电子束斜蒸发及静态氧化的方法制备了超导磁通量子比特样品.通过对Al薄膜厚度与平整度关系分析,选取60 nm作为隧道结底层Al厚度,增加蒸发源到样品衬底间的距离,提高了Al薄膜平整度,降低了隧道结漏电流.通过透射电子显微镜分析,观测到Al隧道结三层结构,并得到了势垒层厚度和氧分压的关系. 展开更多
关键词 超导磁通量子比特 Al/AlOx/Al超导隧道结 静态氧化 透射电子显微镜分析 势垒层厚度 薄膜平整度 漏电比
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