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A Subthreshold Low-Voltage Low-Phase-Noise CMOS LC-VCO with Resistive Biasing
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作者 Jungnam Bae Saichandrateja Radhapuram +2 位作者 Ikkyun Jo Takao Kihara Toshimasa Matsuoka 《Circuits and Systems》 2015年第5期136-142,共7页
This paper presents a low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator (LC-VCO) with top resistive biasing in subthreshold region. The subthreshold LC-VCO has low-power and low-phase-noise due to its high transconduct... This paper presents a low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator (LC-VCO) with top resistive biasing in subthreshold region. The subthreshold LC-VCO has low-power and low-phase-noise due to its high transconductance efficiency and low gate bias condition. The top resistive biasing has more benefit with the feature of phase noise than MOS current source since it can support the low-noise characteristics and large output swing. The LC-VCO designed in 130-nm CMOS process with 0.7-V supply voltage achieves phase noise of -116 dBc/Hz at 200 kHz offset with tuning range of 398 MHz to 408 MHz covering medical implant communication service (MICS) band. 展开更多
关键词 VCO Resistive biasING current Source CMOS Integrated circuit Phase Noise MICS Band
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考虑短路电流非周期分量影响的磁偏置型超导故障限流器设计方法及其限流特性分析
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作者 李超 吴琪 +4 位作者 李斌 诸嘉慧 陈盼盼 韦德福 信赢 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2023年第12期4887-4896,共10页
随着电力负荷快速增长,电力系统的故障电流水平持续上升,甚至超出了现有断路器的开断能力;为有效限制故障电流,超导故障限流器(superconducting fault current limiter,SFCL)逐渐投入应用。SFCL在正常运行时呈现零阻抗,故障发生后迅速... 随着电力负荷快速增长,电力系统的故障电流水平持续上升,甚至超出了现有断路器的开断能力;为有效限制故障电流,超导故障限流器(superconducting fault current limiter,SFCL)逐渐投入应用。SFCL在正常运行时呈现零阻抗,故障发生后迅速转为高阻抗,可作为配合断路器开断的理想选择,提高电力系统的运行安全性。介绍了一种磁偏置型超导故障限流器(magneto-biased superconducting fault current limiter,MBSFCL),提出了考虑短路电流非周期分量影响的MBSFCL设计方法,对于MBSFCL的制造具有一定的指导意义。通过搭建仿真模型,验证了所提出方法的可行性,并对MBSFCL的限流特性进行了深入分析,讨论了不同非周期分量对断路器的开断影响,以及MBSFCL中电感、电阻参数变化对短路电流及其分量的限流效果影响。分析结果表明,在所提出MBSFCL设计方法中必须考虑非周期分量,且MBSFCL的电阻参数变化对短路电流的抑制效果更为显著。 展开更多
关键词 超导限流器 磁偏置 非周期分量 断路器 开断电流
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含磁偏置超导限流器的66/10 kV变电站的故障限流分析 被引量:2
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作者 何淼 郑楠 +2 位作者 诸嘉慧 孟庆丰 汪清山 《电力系统及其自动化学报》 CSCD 北大核心 2023年第6期99-105,共7页
配网系统短路电流越来越大,现有断路器即将超过遮断容量,给电网安全带来较大影响。针对此问题,利用双分裂电抗器反并联低阻抗特性和超导单元故障失超特性,提出一种具有二级逐级限流特征的磁偏置超导限流器。根据辽阳市某66/10 kV变电站... 配网系统短路电流越来越大,现有断路器即将超过遮断容量,给电网安全带来较大影响。针对此问题,利用双分裂电抗器反并联低阻抗特性和超导单元故障失超特性,提出一种具有二级逐级限流特征的磁偏置超导限流器。根据辽阳市某66/10 kV变电站线路参数,基于Matlab/Simulink建立含磁偏置超导故障限流器的系统仿真模型,进行限流仿真计算,获得磁偏置超导故障限流器限流效果的变化规律,以及在故障电流下的失超电阻和温度的变化规律,验证了磁偏置超导限流器原理的正确性。结果表明,磁偏置超导限流器在三相短路故障时电网电流限流率最大可达到19.68%,最大温度为123.7 K,失超恢复时间为32 ms,表明其具有限流响应迅速和失超恢复快的优势。 展开更多
关键词 磁偏置超导限流器 三相短路 变电站 限流率
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基于高摆率误差放大器的低功耗LDO设计
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作者 吴为清 黄继伟 《微电子学与计算机》 2023年第12期81-86,共6页
本文设计了一种具有低静态电流的低压差线性稳压器(LDO).针对传统LDO在低静态电流下瞬态响应不足的问题,电路中的误差放大器采用两个共栅差分跨导单元交叉耦合连接进行设计,提高其压摆率;利用体偏置运放改变功率管的阈值电压实现功率管... 本文设计了一种具有低静态电流的低压差线性稳压器(LDO).针对传统LDO在低静态电流下瞬态响应不足的问题,电路中的误差放大器采用两个共栅差分跨导单元交叉耦合连接进行设计,提高其压摆率;利用体偏置运放改变功率管的阈值电压实现功率管在不同负载的快速切换;同时采用动态偏置对电路进行偏置减少过欠冲值.电路采用台积电(TSMC)0.18µm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行设计,版图核心面积为220µm×140µm.仿真结果表明,该LDO在最小负载电流与最大负载电容的组合下相位裕度达到100度,消耗的静态电流仅为849 nA.当负载电流在500 ns时间内从100µA到100 mA进行切换时,电路表现出良好的瞬态响应,其中过冲电压为220 mV,欠冲电压为225 mV.经过计算,品质因数(FOM)值为0.198 mV. 展开更多
关键词 共栅差分跨导单元 低压差线性稳压器 体偏置运放 动态偏置 低静态电流 FOM
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直流输电对交流系统变压器的影响 被引量:27
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作者 梅桂华 徐柏榆 +2 位作者 王晓毛 邓志 刘春权 《广东电力》 2006年第1期1-7,共7页
列举了天生桥—广州直流输电系统、三峡—广东鹅城直流输电系统、贵州高坡—广东肇庆直流输电系统调试投运期间的大量现场实测数据,并对这些数据进行分析,结果表明直流输电系统单极大地回线方式或双极不对称方式运行时对交流系统中性点... 列举了天生桥—广州直流输电系统、三峡—广东鹅城直流输电系统、贵州高坡—广东肇庆直流输电系统调试投运期间的大量现场实测数据,并对这些数据进行分析,结果表明直流输电系统单极大地回线方式或双极不对称方式运行时对交流系统中性点接地运行变压器的噪声、变压器中性线直流电流以及电网谐波电压均会产生较大影响,严重时可能损坏电力设备。该结论对直流输电系统的设计、建设、运行以及交流系统采取相应措施有极重要的参考价值。 展开更多
关键词 直流输电 单极大地回线方式 变压器 噪声 直流偏磁 谐波
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pn结泄漏电流对高温集成MOSFET交流性能的影响 被引量:4
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作者 柯导明 童勤义 冯耀兰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期153-160,共8页
分析了漏源pn结泄漏电流对高温MOS模拟集成电路中、工作在零温度系数(ZTC点)的MOSFET交流参数的影响。研究结果表明,pn结扩散电流对高温MOSFET的交流性能有极大的影响,而产生电流的影响则可以忽略不计。减小泄漏电流对高温MOSFET交流性... 分析了漏源pn结泄漏电流对高温MOS模拟集成电路中、工作在零温度系数(ZTC点)的MOSFET交流参数的影响。研究结果表明,pn结扩散电流对高温MOSFET的交流性能有极大的影响,而产生电流的影响则可以忽略不计。减小泄漏电流对高温MOSFET交流性能影响的重要方法是增加衬底掺杂浓度。还给出了漏源pn结泄漏电流和工作在ZTC点的漏源电流最大允许比例的计算公式。 展开更多
关键词 pn结泄漏电流 模拟集成电路 MOSFET
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高速高精度电流检测电路的设计
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作者 黄淑燕 赖松林 《福建江夏学院学报》 2019年第3期103-109,共7页
传统的电流检测电路中,单一的负反馈回路结构因带宽受限,无法满足用于微处理器的电源管理芯片对速度和精度的要求,需进行改进。在传统电流检测的基础上多引入一条负反馈回路,得到一种带动态偏置并联负反馈电路的新型电流检测电路。用Cad... 传统的电流检测电路中,单一的负反馈回路结构因带宽受限,无法满足用于微处理器的电源管理芯片对速度和精度的要求,需进行改进。在传统电流检测的基础上多引入一条负反馈回路,得到一种带动态偏置并联负反馈电路的新型电流检测电路。用Cadence EDA工具Spectre进行仿真,结果表明:在宽负载电流变化下,新型电路的单位增益带宽和增益相比传统型有较明显的提高,相位裕度在整个负载变化内都在65℃以上,检测电压的上冲现象得到有效抑制,且峰值比较靠近理想电压,具有较高的检测精度。因此,新型峰值电流检测电路的检测速度和精度与传统型相比,均有所改善,满足系统宽负载的设计要求。 展开更多
关键词 电流检测电路 动态偏置并联负反馈 峰值电流模DC-DC
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一种用于分析自偏置与温度无关的参考电流源启动问题的新方法(英文)
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作者 韩蕾 张小兴 +1 位作者 戴宇杰 吕英杰 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期22-26,共5页
提出一种新的方法用于分析自偏置与温度无关的参考电流源的启动问题.详细介绍了方法的理论依据和仿真过程.电路设计基于0.35μm CMOS工艺,蒙特卡罗分析验证了新方法可以有效提高产品的成品率.
关键词 自偏置 参考电流源 启动电路 蒙特卡罗分析
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电流控制电流传输器的温度补偿技术
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作者 奚原 陈向东 《电子技术应用》 北大核心 2010年第7期84-86,共3页
针对于目前CMOS电流控制电流传输器(CCCII)中普遍存在的温度依赖性问题,提出一个新的温度补偿技术。这种技术主要使用电流偏置电路和分流电路为CCCII产生偏置电流,其中偏置电路中的电流和μC′OX成正比。基于0.5μm CMOS工艺参数,运用HS... 针对于目前CMOS电流控制电流传输器(CCCII)中普遍存在的温度依赖性问题,提出一个新的温度补偿技术。这种技术主要使用电流偏置电路和分流电路为CCCII产生偏置电流,其中偏置电路中的电流和μC′OX成正比。基于0.5μm CMOS工艺参数,运用HSPICE仿真软件,对提出的电路进行仿真,仿真结果验证了电路的正确性。 展开更多
关键词 电流控制 电流传输器 温度补偿 偏置电路
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移相全桥电路偏磁补偿的数字实现 被引量:1
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作者 孙得金 洪捷 李武杰 《电气自动化》 2016年第1期59-61,共3页
提出一种有效的电流闭环偏磁补偿方案,通过检测变压器原边电流的峰值来判断移相全桥电路是否发生偏磁现象,并由PI控制器运算得到PWM信号的补偿值,从而达到补偿偏磁的效果,最后通过试验波形验证了补偿方案的可行性。
关键词 移相全桥电路 偏磁 电流闭环补偿 PI控制器 PWM信号
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偏置电容法测量电容电流
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作者 温艳春 《黑龙江电力》 CAS 2010年第3期212-213,共2页
电力系统中心点绝缘系统在确定是否要配置消弧线圈时,需要估算或测量系统的单相接地电流。用戴维南定理推导了偏置电容法测量电容电流的计算式,并分析了其产生误差的原因。
关键词 等值电路 电容电流 误差 偏置电容法
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一种涌流抑制技术在三相联动断路器中的应用研究 被引量:1
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作者 白晋川 杜颖 《南方能源建设》 2018年第A01期58-64,共7页
[目的]当变压器在轻载或者空载合闸时,因变压器自身的励磁特性以及其它综合原因,常会产生较大的励磁涌流并引起跳闸事故。过大的励磁涌流,有可能引起变压器内部绕组的损伤,减短其使用寿命。常用涌流抑制技术在三相联动断路器中的应用具... [目的]当变压器在轻载或者空载合闸时,因变压器自身的励磁特性以及其它综合原因,常会产生较大的励磁涌流并引起跳闸事故。过大的励磁涌流,有可能引起变压器内部绕组的损伤,减短其使用寿命。常用涌流抑制技术在三相联动断路器中的应用具有一定的局限性,因而在工程应用中急需解决该问题。[方法]采用基于偏磁与剩磁互克技术的涌流抑制装置,对一个三相联动断路器控制回路进行了改造,并进行了空载合闸试验。[结果]试验结果表明:该项技术在三相联动断路器控制中能够抑制涌流,并且抑制效果良好。[结论]该项技术稳定有效,可在实际工程中推广。 展开更多
关键词 涌流抑制 三相联动断路器 偏磁 剩磁
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