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A full-coupling model of PN junctions based on the global-domain carrier motions with inclusion of the two metal/semiconductor contacts at endpoints 被引量:3
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作者 Wanli YANG Jinxi LIU +1 位作者 Yongliang XU Yuantai HU 《Applied Mathematics and Mechanics(English Edition)》 SCIE EI CSCD 2020年第6期845-858,共14页
A full-coupling model on the current-voltage(J-V)characteristics of PN junctions is put forward in the paper by taking into account both the whole junction and the two electrode regions consisting of metal/semiconduct... A full-coupling model on the current-voltage(J-V)characteristics of PN junctions is put forward in the paper by taking into account both the whole junction and the two electrode regions consisting of metal/semiconductor(M/S)contacts.The depletion layer assumption proposed by the Shockley model is discarded.Gauss’law on the electric potential and the electric field is applied in the whole junction region such that the majority-carrier currents inside and outside the P/N barrier region are able to be exactly defined and clearly calculated.Then,the stable continuity equations of the electron and hole currents are established to show the current conversion between minority-and majority-carriers inside the whole PN junction region.By analyzing all the conversion procedure,the J-V characteristics of a PN junction are obtained with good agreement to the experimental results,which are closely dependent on the minority-carrier lifetime and doping concentrations.Obviously,the study on this topic possesses referential significance to mechanically tuning the performance of piezoelectric PN junctions and piezotronic devices. 展开更多
关键词 SEMICONDUCTOR current-voltage(J-V)characteristic minority-and majoritycarrier currents depletion layer approximation minority-carrier lifetime
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利用太阳电池I-V特性测量其基区少数载流子寿命
2
作者 马逊 刘祖明 +2 位作者 陈庭金 廖华 屈盛 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期905-909,共5页
提出了一种新的测量成品太阳电池基区少子寿命的方法,这种方法在电池制备完成后进行测量。此方法还可对印刷电极后烧结这步工艺流程进行少子寿命的监控,以提供改进电极制作工艺信息。
关键词 少数载流子寿命 饱和暗电流 I-V特性
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高压大电流MCT导通特性及缓冲层结构研究
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作者 周涛 李媛 +1 位作者 吴元庆 陆晓东 《渤海大学学报(自然科学版)》 CAS 2018年第4期360-369,共10页
高压大电流MOS场控晶闸管(MCT)在一些大型专用军事设备中起着难以替代的作用,进一步改善MCT的输出特性对提高我国战略武器和常规武器水平具有重大意义.首先根据电参数指标要求,利用TCAD半导体器件仿真软件对高压大电流MOS场控晶闸管(MCT... 高压大电流MOS场控晶闸管(MCT)在一些大型专用军事设备中起着难以替代的作用,进一步改善MCT的输出特性对提高我国战略武器和常规武器水平具有重大意义.首先根据电参数指标要求,利用TCAD半导体器件仿真软件对高压大电流MOS场控晶闸管(MCT)单胞横向、纵向结构参数进行设计.然后基于非等温能量平衡模型,全面系统地分析了在不同的阳极电压和阳极电流情况下,MCT导通特性的变化特点和规律.最后对MCT所采用的缓冲层结构对正向阻断电压与饱和压降的影响进行了详细地研究.仿真结果表明:在不同的阳极电压和电流情况下,MCT内部电流路径变化、电流路径上等效导通电阻的变化及晶格温度是影响MCT导通特性的主要因素.当栅极-阴极电压一定时,随着阳极电压增大,阳极电流先增大后减小.随着阳极电流增大,阳极电压出现振荡和负阻现象.当缓冲层厚度一定时,随着缓冲层掺杂浓度的增大,正向阻断电压呈现先增大后减小再增大的变化特点,当缓冲层掺杂浓度一定时,随着缓冲层厚度的增大,正向阻断电压先增大后减小.缓冲层掺杂浓度越高、厚度越厚,MCT饱和压降越大. 展开更多
关键词 MCT 设计 导通特性 缓冲层 阻断电压 饱和压降
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新型AlGaInP系发光二极管饱和特性与寿命的研究 被引量:2
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作者 马莉 沈光地 +4 位作者 陈依新 蒋文静 郭伟玲 徐晨 高志远 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期370-375,共6页
针对AlGaInP系发光二极管(LED)电极阻挡出光、衬底吸收、全反射角小导致器件出光效率低、热积累大、饱和特性差等问题,提出了一种具有复合电流输运增透窗口层、复合DBR反射镜和电流阻挡层结构的新型LED,并测试了其饱和特性和寿命.电流... 针对AlGaInP系发光二极管(LED)电极阻挡出光、衬底吸收、全反射角小导致器件出光效率低、热积累大、饱和特性差等问题,提出了一种具有复合电流输运增透窗口层、复合DBR反射镜和电流阻挡层结构的新型LED,并测试了其饱和特性和寿命.电流分布模拟显示:新型LED电极下仅存在极小的无效电流;实验结果表明新型LED出光效率高,饱和电流大,饱和电流时光强约为常规LED的3倍,光电性能明显提升.器件饱和特性和老化实验研究显示:新型LED寿命长达17.8×104h,器件内部发热量低,具有高饱和特性和高可靠性,适合在大电流大功率下工作. 展开更多
关键词 电流阻挡层 饱和特性 寿命
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