期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
硅诱导坑形成及深孔列阵电化学微加工工艺方案的探讨 被引量:2
1
作者 高延军 王国政 +1 位作者 端木庆铎 田景全 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2005年第1期43-46,共4页
本文采用P型单晶硅片,在三极电解槽中,进行了电化学深刻蚀的探索性实验。对湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究,同时,采用SEM对实验样品进行了形貌分析,并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分... 本文采用P型单晶硅片,在三极电解槽中,进行了电化学深刻蚀的探索性实验。对湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究,同时,采用SEM对实验样品进行了形貌分析,并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析。通过理论和实验研究,发现即使硅片晶向不准,仍能刻蚀出方孔列阵。其结果对进一步开展这方面的研究工作具有指导意义,在进一步深入开展研究电化学体硅微加工技术时,可有望成为实现硅深孔列阵加工的新技术。 展开更多
关键词 深孔列阵 电流突破模型 电化学刻蚀 各向异性
下载PDF
用电流环结合模型解释微波爆发中的FS现象
2
作者 高正民 李子英 傅其骏 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1993年第3期361-365,共5页
利用Tajima和Sakai提出的解释太阳耀斑现象的电流环结合模型,分析了短厘米波段微波爆发中的精细结构现象.结果表明,观测事实是对这一新的理论模型的有力支持.
关键词 微波爆发 电流环 太阳耀斑
下载PDF
Fast pore etching on high resistivity n-type silicon via photoelectrochemistry
3
作者 包晓清 葛道晗 +4 位作者 张圣 李金鹏 周萍 焦继伟 王跃林 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第2期664-670,共7页
In this paper, five factors, namely the HF (hydrofluoric acid) concentration, field strength, illumination intensity as well as the oxidizing-power and conductivity of electrolytes were found to strongly affect the ... In this paper, five factors, namely the HF (hydrofluoric acid) concentration, field strength, illumination intensity as well as the oxidizing-power and conductivity of electrolytes were found to strongly affect the fast pore etching. The oxidizing power of aqueous HF electrolyte of different concentrations was especially measured and analysed. A positive correlation between optimal bias and HF concentration was generally observed and the relationship was semiquantitatively interpreted. Pore density notably increased with enhanced HF-concentration or bias even on patterned substrates where 2D (two-dimensional) nuclei were densely pre-textured. The etch rate can reach 400μm/h and the aspect ratio of pores can be readily driven up to 250. 展开更多
关键词 pore density SCR width H-passivation current-burst-model breakdown mechanism
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部