低杂散锁相环中的电荷泵设计

用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种电荷泵电路，传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,电流失配导致相位偏差,从而引起杂散并降低了锁相环的锁定范围，文中采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆幅共源共栅电流镜电路实现了充放电电流的高度匹配,从而降低了杂散。测试结果表明：电源电压1.8V时,电荷泵电流为0.475mA,在0.3-1.6V输出电压范围内电流失配小于10mA,功耗为6.8mW。

新型电流基准源的设计与实现

通过比较几种典型的电流基准源在电路结构、温度特性等方面的优缺点,研究了双极/BiCMOS工艺的电流基准源设计技术。提出了新型的无需启动电路的PTAT(与绝对温度成正比)电流基准源的设计方法,并由此扩展到零温度系数电流基准源的设计技术。最后,用这种新型PTAT电流基准源和零温度系数的电流基准源分别实现了一种高性能精密运算放大器和模拟振荡器电路。

一种自偏置电流CMOS基准源的分析与设计

采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OPAMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流。该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到18.8PPM/℃,PTAT电流几乎与电源电压无关。

电流模逻辑电路中高线性度电流参考源的分析与设计(英文)

描述了应用于电流模逻辑电路中的高线性度电压电流转换电路的设计与实现.该电路采用高增益两级运算放大器构成负反馈,偏置电路利用工作在弱反型区的MOS管电压电流呈指数律关系构成PTAT(proportional to absolute temperature)基准电流源.详细分析了电阻的类型以及运算放大器的参数对线性度的影响.通过优化运算放大器的参数并采用电压系数较小的多晶硅电阻作为线性器件获得了较高的线性度.本电路已采用CSMC0.6μm CMOS工艺实现,测试结果表明:输出的总谐波失真为0.000 2%.输入动态范围为0 ～2.6V,输出电流为50 ～426μA.PTAT基准电流源对电源变化的灵敏度为0.021 7.芯片采用5V供电,功耗约为1.3mW,芯片面积为0.112mm2.