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一种RS-485总线发送器的设计
被引量:
1
1
作者
李飞
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期803-807,812,共6页
采用CMOS 0.5μm 40Vds/5Vgs工艺设计了一种RS-485总线发送器。通过设计新颖的输出上拉、下拉驱动结构来满足总线标准,设计摆率限制结构来减小实际应用中容易出现的EMI以及终端反射现象,设计过压、过流、过温保护结构能有效保护芯片在...
采用CMOS 0.5μm 40Vds/5Vgs工艺设计了一种RS-485总线发送器。通过设计新颖的输出上拉、下拉驱动结构来满足总线标准,设计摆率限制结构来减小实际应用中容易出现的EMI以及终端反射现象,设计过压、过流、过温保护结构能有效保护芯片在应用时不被烧坏。仿真结果表明,电路能够满足485总线标准要求。
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关键词
RS-485总线发送器
输出驱动
摆率限制
过压/过流/过温保护
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职称材料
用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的新电路
2
作者
徐栋麟
郭新伟
+1 位作者
徐志伟
任俊彦
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期1075-1080,共6页
提出了一种新的用于测试 CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构 .它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效 ,从而排除了测试时复杂的芯片 -封装界面的影响 .这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标 ,...
提出了一种新的用于测试 CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构 .它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效 ,从而排除了测试时复杂的芯片 -封装界面的影响 .这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标 ,还可以用于研究 VL SI电路中的同步开关噪声问题 .该设计方法在新加坡特许半导体公司的 0 .6μm CMOS工艺线上进行了流片验证 .测试结果表明 ,这一测试结构能有效地表征 CMOS输出驱动器的电流变化率的性能指标和 VL
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关键词
输出驱动器
电流变化率
CMOS
VLSI
集成电路
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职称材料
一种具有恒定转换速率的低压输出电路
被引量:
1
3
作者
顾明
常红
+1 位作者
黄少卿
陈海涛
《电子与封装》
2022年第4期44-47,共4页
设计了一种低压输出电路,其输出波形的转化速率(Slew Rate,SR)对工艺、电压、温度(Process,Voltage,Temperature,PVT)和负载的变化不敏感。由于N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor,NMOS)具有高速和低导通电阻的优点,输...
设计了一种低压输出电路,其输出波形的转化速率(Slew Rate,SR)对工艺、电压、温度(Process,Voltage,Temperature,PVT)和负载的变化不敏感。由于N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor,NMOS)具有高速和低导通电阻的优点,输出缓冲器被设计成双NMOS管串联结构。为了得到对PVT和负载不敏感的SR,在预驱动电路和输出缓冲器间引入了反馈电容。Hspice的仿真结果显示,当输入信号频率为5 MHz时,负载电容从20 p F变化到80 p F,输出的上升时间和下降时间仅仅变化了0.6 ns和1.3 ns,与传统电路相比性能提高了257.6%。不同的PVT下,输出的上升时间和下降时间变化了1.2 ns和2.8 ns,与传统电路相比性能提高了62.4%。
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关键词
低压输出电路
恒定转换速率
反馈电容
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职称材料
题名
一种RS-485总线发送器的设计
被引量:
1
1
作者
李飞
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期803-807,812,共6页
文摘
采用CMOS 0.5μm 40Vds/5Vgs工艺设计了一种RS-485总线发送器。通过设计新颖的输出上拉、下拉驱动结构来满足总线标准,设计摆率限制结构来减小实际应用中容易出现的EMI以及终端反射现象,设计过压、过流、过温保护结构能有效保护芯片在应用时不被烧坏。仿真结果表明,电路能够满足485总线标准要求。
关键词
RS-485总线发送器
输出驱动
摆率限制
过压/过流/过温保护
Keywords
RS-485 bus transmitter
output
driver
slew
-
rate
limited
Over-voltage/
current
/temperatureprotection
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的新电路
2
作者
徐栋麟
郭新伟
徐志伟
任俊彦
机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期1075-1080,共6页
文摘
提出了一种新的用于测试 CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构 .它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效 ,从而排除了测试时复杂的芯片 -封装界面的影响 .这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标 ,还可以用于研究 VL SI电路中的同步开关噪声问题 .该设计方法在新加坡特许半导体公司的 0 .6μm CMOS工艺线上进行了流片验证 .测试结果表明 ,这一测试结构能有效地表征 CMOS输出驱动器的电流变化率的性能指标和 VL
关键词
输出驱动器
电流变化率
CMOS
VLSI
集成电路
Keywords
simultaneous switch ing noise
current slew rate of output driver
CMOS
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种具有恒定转换速率的低压输出电路
被引量:
1
3
作者
顾明
常红
黄少卿
陈海涛
机构
中科芯集成电路有限公司
扬州大学物理科学与技术学院
出处
《电子与封装》
2022年第4期44-47,共4页
基金
江苏省博士后科研资助计划项目(2019K117)
江苏省青年基金(BK20200617)。
文摘
设计了一种低压输出电路,其输出波形的转化速率(Slew Rate,SR)对工艺、电压、温度(Process,Voltage,Temperature,PVT)和负载的变化不敏感。由于N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor,NMOS)具有高速和低导通电阻的优点,输出缓冲器被设计成双NMOS管串联结构。为了得到对PVT和负载不敏感的SR,在预驱动电路和输出缓冲器间引入了反馈电容。Hspice的仿真结果显示,当输入信号频率为5 MHz时,负载电容从20 p F变化到80 p F,输出的上升时间和下降时间仅仅变化了0.6 ns和1.3 ns,与传统电路相比性能提高了257.6%。不同的PVT下,输出的上升时间和下降时间变化了1.2 ns和2.8 ns,与传统电路相比性能提高了62.4%。
关键词
低压输出电路
恒定转换速率
反馈电容
Keywords
low-voltage
output
driver
constant
slew
rate
feedback capacitance
分类号
TN495 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种RS-485总线发送器的设计
李飞
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
下载PDF
职称材料
2
用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的新电路
徐栋麟
郭新伟
徐志伟
任俊彦
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
下载PDF
职称材料
3
一种具有恒定转换速率的低压输出电路
顾明
常红
黄少卿
陈海涛
《电子与封装》
2022
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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