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题名一种高dV/dt噪声抑制的电平位移电路设计
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作者
尹勇生
朱守佳
杨悦
邓红辉
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机构
合肥工业大学微电子学院
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2023年第2期221-226,共6页
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基金
安徽省重点研发计划(202104g01020008)
安徽省协同创新项目(GXXT-2019-030)。
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文摘
在半桥栅驱电路中,低压域PWM控制信号需要通过电平位移电路来转换成高边浮动电压域的PWM控制信号,从而打开或关断上桥臂功率管。浮动电源轨的快速浮动会带来dV/dt噪声,影响电平位移电路信号传输的可靠性。文章在电平位移电路中分别设计了防止误关断辅助电路和防止误开启辅助电路。防止误关断辅助电路在上桥臂开启状态下检测到dV/dt噪声后,能够使电平位移电路的输出保持高电平状态,防止上桥臂功率管被误关断;防止误开启辅助电路在上桥臂关断状态下检测到dV/dt噪声后,能够使电平位移电路的输出保持低电平状态,防止上桥臂功率管被误开启。基于0.18μm BCD工艺进行仿真验证,所设计的电平位移电路开通传输延时仅为1.2 ns,具备100 V/ns的dV/dt噪声抑制能力。
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关键词
电平位移电路
栅极驱动
半桥驱动
dv/dt噪声抑制
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Keywords
level shifter
gate driver
half-bridge driver
dv/dt slewing immunity
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分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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