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Dark count rate and band to band tunneling optimization for single photon avalanche diode topologies 被引量:2
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作者 Taha Haddadifam Mohammad Azim Karami 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第6期458-464,共7页
This paper proposes two optimal designs of single photon avalanche diodes(SPADs) minimizing dark count rate(DCR). The first structure is introduced as p^+/pwell/nwell, in which a specific shallow pwell layer is added ... This paper proposes two optimal designs of single photon avalanche diodes(SPADs) minimizing dark count rate(DCR). The first structure is introduced as p^+/pwell/nwell, in which a specific shallow pwell layer is added between p^+and nwell layers to decrease the electric field below a certain threshold. The simulation results show on average 19.7%and 8.5% reduction of p^+/nwell structure’s DCR comparing with similar previous structures in different operational excess bias and temperatures respectively. Moreover, a new structure is introduced as n+/nwell/pwell, in which a specific shallow nwell layer is added between n+and pwell layers to lower the electric field below a certain threshold. The simulation results show on average 29.2% and 5.5% decrement of p^+/nwell structure’s DCR comparing with similar previous structures in different operational excess bias and temperatures respectively. It is shown that in higher excess biases(about 6 volts), the n+/nwell/pwell structure is proper to be integrated as digital silicon photomultiplier(dSiPM) due to low DCR. On the other hand, the p^+/pwell/nwell structure is appropriate to be utilized in dSiPM in high temperatures(above 50?C) due to lower DCR value. 展开更多
关键词 SINGLE-PHOTON AVALANCHE diode digital silicon PHOTOMULTIPLIER dark count rate
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Geometric origin of intrinsic dark counts in superconducting nanowire single-photon detectors
2
作者 Xingyu Zhang Xiaofu Zhang +10 位作者 Jia Huang Can Yang Lixing You Xiaoyu Liu Peng Hu You Xiao Wenying Zhang Yongliang Wang Lingyun Li Zhen Wang Hao Li 《Superconductivity》 2022年第1期45-51,共7页
The dark count is one of the key physical issues for superconducting nanowire single-photon detectors(SNSPDs)that limits various applications for optical quantum information and classical optics.When the bias current ... The dark count is one of the key physical issues for superconducting nanowire single-photon detectors(SNSPDs)that limits various applications for optical quantum information and classical optics.When the bias current approaches the switching current of SNSPDs,the dark count is actually dominated by the intrinsic dark counts(iDCs).However,the origin of iDCs and its relation to constrictions remains unclear for practical SNSPDs.We herein systematically characterize the iDCs of the SNSPDs with and without artificial geometric constrictions by applying the differential readout method.For these devices with constrictions,we have observed distinct Gaussian distributions in the temporal distribution of iDCs,in which the time difference between the distributions is consistent with the geometric distance between constrictions,and the rates of iDCs produced by each constriction are in good agreement with constrictions'widths.With respect to practical SNSPDs,surprisingly,we also observe several Gaussian distributions in the temporal domain and it shows no significant dependence on the devices’sizes,demonstrating that the iDCs of SNSPDs are mainly dominated by a few specific constrictions. 展开更多
关键词 Superconducting nanowire Single-photon detector dark count Differential readout
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室温下高探测效率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管
3
作者 祁雨菲 王文娟 +5 位作者 孙京华 武文 梁焰 曲会丹 周敏 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期1-6,共6页
描述了一种高性能平面InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD),该二极管具有单独的吸收、分级、电荷和倍增(SAGCM)异质结构。通过电场调节和缺陷控制,SPAD在293 K的门控模式下工作,光子探测效率(PDE)为70%,暗计数率(DCR)为14.93 kHz,后脉冲... 描述了一种高性能平面InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD),该二极管具有单独的吸收、分级、电荷和倍增(SAGCM)异质结构。通过电场调节和缺陷控制,SPAD在293 K的门控模式下工作,光子探测效率(PDE)为70%,暗计数率(DCR)为14.93 kHz,后脉冲概率(APP)为0.89%。此外,在死区时间为200 ns的主动淬灭模式下工作时,室温下实现了12.49%的PDE和72.29 kHz的DCR。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 暗计数率 光子探测效率 后脉冲概率
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Study of the influence of virtual guard ring width on the performance of SPAD detectors in 180 nm standard CMOS technology
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作者 Danlu Liu Ming Li +3 位作者 Tang Xu Jie Dong Yuming Fang Yue Xu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2023年第11期83-88,共6页
The influence of the virtual guard ring width(GRW)on the performance of the p-well/deep n-well single-photon avalanche diode(SPAD)in a 180 nm standard CMOS process was investigated.TCAD simulation demonstrates that th... The influence of the virtual guard ring width(GRW)on the performance of the p-well/deep n-well single-photon avalanche diode(SPAD)in a 180 nm standard CMOS process was investigated.TCAD simulation demonstrates that the electric field strength and current density in the guard ring are obviously enhanced when GRW is decreased to 1μm.It is experimentally found that,compared with an SPAD with GRW=2μm,the dark count rate(DCR)and afterpulsing probability(AP)of the SPAD with GRW=1μm is significantly increased by 2.7 times and twofold,respectively,meanwhile,its photon detection probability(PDP)is saturated and hard to be promoted at over 2 V excess bias voltage.Although the fill factor(FF)can be enlarged by reducing GRW,the dark noise of devices is negatively affected due to the enhanced trap-assisted tunneling(TAT)effect in the 1μm guard ring region.By comparison,the SPAD with GRW=2μm can achieve a better trade-off between the FF and noise performance.Our study provides a design guideline for guard rings to realize a low-noise SPAD for large-array applications. 展开更多
关键词 single-photon avalanche diode(SPAD) virtual guard ring dark count rate(DCR) photon detection probability(PDP) afterpulsing probability(AP)
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Vacuum Correlations, Detector Efficiency Fluctuations and Classical Dynamic Violations of CH-Inequality
5
作者 Gianpaolo Bei 《Journal of Applied Mathematics and Physics》 2023年第6期1677-1692,共16页
We study in this paper the possible influence of vacuum fluctuations on photo detection and its background noise in Bell tests. We analyze its consequences on the standard statistical analysis of data showing that it ... We study in this paper the possible influence of vacuum fluctuations on photo detection and its background noise in Bell tests. We analyze its consequences on the standard statistical analysis of data showing that it is not fulfilled anymore the conventional hypothesis of a Poisson like probability density distribution of single photodetection events. We assume that vacuum fluctuations are due to real and measurable fluctuating fields, as recently confirmed experimentally, and that their non null correlations outside the light cone contribute to photon coincidence rates making them time dependent. We introduce a generalized Bell like correlation function which contains a new term due to supposed vacuum induced photon counting events. We deduce then a generalization of CH-inequality which takes in account the effect of these vacuum electric fields on detector efficiency. We predict an apparatus temperature fluctuations during photon detection which we suggest could be observed by looking for colored noise thermal emission of the photodetectors, generalizing the standard white noise prediction of C.S.L. models on wave function collapse postulate. We discuss an experimental test of this prediction, based on the idea of inducing a thermal wave on the whole quantum detectors, aimed to observe time dependent deviations from standard stationary statistical predictions of Quantum Mechanics. 展开更多
关键词 Electric Vacuum Correlations dark counts Detector Efficiency Fluctuations Detector Thermal Emission Temperature Dependent CH-Inequality
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一种宽光谱响应的双结单光子雪崩二极管
6
作者 刘丹璐 董杰 +1 位作者 许唐 徐跃 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第5期424-429,共6页
基于180 nm BCD工艺提出了一种新型双结雪崩区的单光子雪崩二极管(SPAD)探测器,采用N阱/高压P阱/N^(+)埋层结构形成了两个垂直堆叠的PN结,高压P阱和N^(+)埋层交界面形成较深的主雪崩区,增强对近红外短波光子的探测概率;同时,N阱/高压P... 基于180 nm BCD工艺提出了一种新型双结雪崩区的单光子雪崩二极管(SPAD)探测器,采用N阱/高压P阱/N^(+)埋层结构形成了两个垂直堆叠的PN结,高压P阱和N^(+)埋层交界面形成较深的主雪崩区,增强对近红外短波光子的探测概率;同时,N阱/高压P阱之间形成浅的次雪崩区,实现对蓝绿光的高效探测,两结同时工作能够有效扩展器件的光谱响应范围。TCAD仿真结果表明,与传统的P阱/深N阱结构相比,双结SPAD器件在300~940 nm的宽光谱范围内有更高的光子探测概率,在800 nm近红外短波段探测概率达到了20.6%。在3 V过偏压下,暗计数率为0.8 kHz,后脉冲概率为3.2%。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管(SPAD) 双结雪崩区 光子探测概率(PDP) 暗计数率(DCR) 后脉冲概率(AP)
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高探测效率低噪声的大面阵热中子敏感微通道板 被引量:5
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作者 潘京生 孙建宁 +8 位作者 韩晓明 张蓉 孙赛林 杨祎罡 田阳 金戈 张正君 邵爱飞 苏德坦 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期87-91,共5页
在微通道板玻璃中掺中子灵敏核素,并去除玻璃中的天然放射性同位素成份,可以实现微通道板对热中子的敏感,使探测器具有极低的背景事件率.在微通道板玻璃中掺加3mol%的Gd2O3,同时去除玻璃中的K2O和/或Rb2O,制作成50 mm直径、0.6 mm厚度... 在微通道板玻璃中掺中子灵敏核素,并去除玻璃中的天然放射性同位素成份,可以实现微通道板对热中子的敏感,使探测器具有极低的背景事件率.在微通道板玻璃中掺加3mol%的Gd2O3,同时去除玻璃中的K2O和/或Rb2O,制作成50 mm直径、0.6 mm厚度、10μm孔径的微通道板,实现了对25.3meV热中子33%的探测效率,同时探测器的暗计数率低至0.11events cm-2·s-1.通过计算和分析热中子在微通道板基体中的俘获概率和155,157 Gd(n,γ)156,158 Gd反应所能引发的有效信号,说明了通过微通道板的结构优化,掺3mol%Gd2O3的微通道板可以实现最大50%的热中子探测效率.在此基础上,进一步完成了106mm直径10μm孔径的掺3mol%Gd2O3的优化结构大面阵低噪声中子敏感微通道板的制作. 展开更多
关键词 中子照相 MCP事件计数探测器 大面阵中子敏感MCP 探测效率 暗计数率
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基于SNSPD与SPAD探测器的激光测距系统的比较研究 被引量:3
8
作者 张晓英 贾磊 +4 位作者 朱江 闫夏超 张蜡宝 康琳 吴培亨 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期378-384,共7页
通过实验比较研究了基于SNSPD与SPAD探测器的激光测距系统.实验中,当接收回波端衰减120 d B时,天空光背景可忽略,基于SPAD的激光测距系统探测概率低于0.2%,而基于SNSPD的激光测距系统探测概率达35%;当激光发射频率低于1 k Hz,基于SNSPD... 通过实验比较研究了基于SNSPD与SPAD探测器的激光测距系统.实验中,当接收回波端衰减120 d B时,天空光背景可忽略,基于SPAD的激光测距系统探测概率低于0.2%,而基于SNSPD的激光测距系统探测概率达35%;当激光发射频率低于1 k Hz,基于SNSPD的激光测距系统探测概率比SPAD高60%以上.研究表明:在探测弱信号回波光子时,SNSPD的探测性能远远优于SPAD,其原因是SNSPD具有较低的暗计数和高探测概率.与此同时,在接收端无衰减情况下,天空光背景会带来暗计数,影响测距系统信噪比.通过仿真分析表明,当背景亮度L0高于30 W/(m^2·sr)时,该基于SNSPD的激光测距系统的信噪比低于6,可能影响测距系统稳定探测. 展开更多
关键词 超导纳米线单光子探测器 激光测距 光子计数 暗计数 天光背景
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红外InGaAs/InP单光子探测器暗计数的研究 被引量:4
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作者 李水峰 熊予莹 +1 位作者 李日豪 廖常俊 《量子光学学报》 CSCD 北大核心 2007年第2期141-145,共5页
在开发探测器灵敏度极限实现单光子探测时,暗计数是影响探测效率的主要原因。本文分析了在红外波段采用InGaAs/InP雪崩光电二极管工作于雪崩击穿电压之上(盖革模式),进行单光子探测时暗计数的三个主要来源,指出隧穿效应对暗计数的贡献... 在开发探测器灵敏度极限实现单光子探测时,暗计数是影响探测效率的主要原因。本文分析了在红外波段采用InGaAs/InP雪崩光电二极管工作于雪崩击穿电压之上(盖革模式),进行单光子探测时暗计数的三个主要来源,指出隧穿效应对暗计数的贡献是很小的,并且针对热噪声和后脉冲分析了减小暗计数的有效方法。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 暗计数 后脉冲 盖革模式
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一种低暗计数率CMOS单光子雪崩二极管 被引量:3
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作者 王巍 王广 +4 位作者 王伊昌 曾虹谙 王冠宇 唐政维 袁军 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第2期166-170,共5页
基于标准0.18μm CMOS工艺设计了一种新型单光子雪崩二极管(SPAD)器件。该SPAD以p-well/n-well轻掺杂雪崩结作为器件的核心工作区域,同时利用三个相邻n阱间的横向扩散在pn结边缘形成n-虚拟保护环以提高器件的性能。采用Silvaco软件对该... 基于标准0.18μm CMOS工艺设计了一种新型单光子雪崩二极管(SPAD)器件。该SPAD以p-well/n-well轻掺杂雪崩结作为器件的核心工作区域,同时利用三个相邻n阱间的横向扩散在pn结边缘形成n-虚拟保护环以提高器件的性能。采用Silvaco软件对该器件的电场分布、响应度、击穿电压、光子探测效率和暗计数率等性能参数进行了仿真分析。仿真结果表明:当SPAD器件的光窗口直径为20μm且n阱间隙宽度为1.4μm时,其雪崩击穿电压为13V;在过偏压为1V时,其探测效率峰值和暗计数率分别为37%和0.82kHz;在450~700nm波长范围器件的响应度较好,且在500nm处达到峰值0.33A/W。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 标准0.18μm CMOS工艺 虚拟保护环 响应度 光子探测效率 暗计数率
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基于ADN8831实现红外单光子探测器的精密温度控制 被引量:3
11
作者 李水峰 熊予莹 廖常俊 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期704-708,共5页
分析了在红外通信波段对量子密钥分配的关键器件单光子探测器进行精密温度控制的必要性.为了达到最好的探测效率和最小的暗计数,存在一个最佳工作温度;而且探测器噪声对温度相当敏感.介绍了基于ADN8831控制器控制半导体热电制冷器来实... 分析了在红外通信波段对量子密钥分配的关键器件单光子探测器进行精密温度控制的必要性.为了达到最好的探测效率和最小的暗计数,存在一个最佳工作温度;而且探测器噪声对温度相当敏感.介绍了基于ADN8831控制器控制半导体热电制冷器来实现红外单光子探测器的精密温度控制的方法.给出了ADN8831芯片的特点和应用电路.实验表明该电路控制精度可达±0.01℃。利用此精密温控电路来改变InGaAs/InP雪崩光电二极管的工作温度,得到几组不同温度下光电流、暗电流-电压特性曲线. 展开更多
关键词 量子光学 精密温控 ADN8831 半导体热电制冷器 雪崩光电二极管 暗计数
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单光子探测器性能对量子密钥分发系统的影响 被引量:2
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作者 秦晓娟 史信荣 +1 位作者 王金东 魏正军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1661-1664,共4页
根据量子密钥分发协议的原理和单光子探测器的工作模式系统分析了单光子探测器性能对量子密钥分发系统影响的物理模型,给出了单光子探测器暗计数和量子效率对系统筛选码率和量子误码率等指标产生影响的计算公式,并通过对各类量子密钥分... 根据量子密钥分发协议的原理和单光子探测器的工作模式系统分析了单光子探测器性能对量子密钥分发系统影响的物理模型,给出了单光子探测器暗计数和量子效率对系统筛选码率和量子误码率等指标产生影响的计算公式,并通过对各类量子密钥分发系统的比较,推导出了适用于一般量子密钥分发系统的普适结果。结果表明,在同等条件下采用较少的探测时间门可以提高量子密钥分发系统的性能。 展开更多
关键词 量子密钥分发 单光子探测技术 暗计数 筛选码率 量子误码率
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近红外1550nm单光子探测器硬件电路设计 被引量:7
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作者 高家利 汪科 盘红霞 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期674-677,共4页
针对现有单光子探测器模块价格昂贵和体积大的不足,设计了基于In Ga As/In P雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了探测器温控模块和偏置电压源的设计电路,门控信号的产生和雪崩信号的提取由FPGA完成。实验结果表明:在200 MH... 针对现有单光子探测器模块价格昂贵和体积大的不足,设计了基于In Ga As/In P雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了探测器温控模块和偏置电压源的设计电路,门控信号的产生和雪崩信号的提取由FPGA完成。实验结果表明:在200 MHz门控条件且制冷温度为-55℃时,探测器的最大光子探测效率(PDE)约为16%,当探测效率为12%时,暗计数率(DCR)约为8.2×10-6/ns。 展开更多
关键词 单光子探测器 雪崩光电二极管 光子探测效率 暗计数率
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一种基于单光子探测器的激光通信方法 被引量:2
14
作者 曹蕾 刘尉悦 +3 位作者 王潮泽 李凤芝 蒋志迪 彭承志 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2015年第6期625-628,共4页
介绍了一种基于单光子探测器的激光通信方法,发送端利用光子的4种偏振态对信息进行编码,经过量子信道进行传输后,在接收端通过4个偏振相关的单光子探测器的响应情况对信息进行判决输出。仿真结果表明系统的暗计数对信道容量的影响很小,... 介绍了一种基于单光子探测器的激光通信方法,发送端利用光子的4种偏振态对信息进行编码,经过量子信道进行传输后,在接收端通过4个偏振相关的单光子探测器的响应情况对信息进行判决输出。仿真结果表明系统的暗计数对信道容量的影响很小,而发送端的平均光子数是影响系统的通信性能的关键因素,信道容量最大可达到1.77 bit/码元。采用偏振相关的单光子探测技术进行激光通信,可以有效地提高系统的能量利用率,并降低噪声对通信性能的影响。 展开更多
关键词 激光通信 单光子探测器 偏振编码 暗计数 信道容量
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在高于253K温度下的1550nm波长单光子探测实验(英文) 被引量:1
15
作者 魏正军 廖常俊 +4 位作者 王金东 郭健平 李日豪 王发强 刘颂豪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期906-909,共4页
介绍了在高于253 K的温度下,实现红外单光子探测的实验·选用拉通电压较高的雪崩光电二极管(APD) ,设计制作了非线性限流技术保护高温工作的APD,利用半导体热电制冷器,在256 .8K的温度下,实现了1550 nm波段的单光子探测实验·... 介绍了在高于253 K的温度下,实现红外单光子探测的实验·选用拉通电压较高的雪崩光电二极管(APD) ,设计制作了非线性限流技术保护高温工作的APD,利用半导体热电制冷器,在256 .8K的温度下,实现了1550 nm波段的单光子探测实验·单光子探测的暗记数率为3 .13×10-5ns ,在220 kHz/s的单光子脉冲速率下,探测效率为2 .08 %· 展开更多
关键词 应用光学 红外单光子探测 暗计数 热电制冷
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基于APD参数建模的单光子探测研究 被引量:3
16
作者 艾青 万钧力 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期219-224,共6页
针对单光子雪崩光电二极管(SPADs)的单光子量子效率(SPQE),提出了一种严格的数学模型。模型适用于工作波长为1.3μm和1.5μm的In_(0.52)Al_(0.48)As、InP倍增层和In_(0.52)Al_(0.48)As-InP异质结倍增层的SPADs。模型作为器件结构、工作... 针对单光子雪崩光电二极管(SPADs)的单光子量子效率(SPQE),提出了一种严格的数学模型。模型适用于工作波长为1.3μm和1.5μm的In_(0.52)Al_(0.48)As、InP倍增层和In_(0.52)Al_(0.48)As-InP异质结倍增层的SPADs。模型作为器件结构、工作电压、倍增层材料的函数,可用来优化SPQE,进而评估和优化盖革模式下APDs的性能。 展开更多
关键词 光电子学 单光子量子效率 雪崩概率 暗计数 雪崩光电二极管
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PMT电源纹波滤除电路设计 被引量:1
17
作者 尹士玉 陈鹏宇 +7 位作者 钱森 宁哲 王志刚 朱瑶 高峰 马丽双 王阳 李润泽 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2021年第1期151-156,共6页
针对基于光电倍增管的计数型探测器易受高压电源纹波干扰的问题,探讨了一种抑制纹波的方法。该方法主要是在电源端增设电阻—电容滤波电路,对高压电源纹波进行事先滤波处理。通过光电倍增管的单光电子谱测试、计数率测试及渡越时间分布... 针对基于光电倍增管的计数型探测器易受高压电源纹波干扰的问题,探讨了一种抑制纹波的方法。该方法主要是在电源端增设电阻—电容滤波电路,对高压电源纹波进行事先滤波处理。通过光电倍增管的单光电子谱测试、计数率测试及渡越时间分布验证滤波效果,结果表明:利用该方法,电源的纹波得到有效抑制,减少了电源对光电倍增管单光电子测试信号的干扰,且输出电压稳定,提高了光电倍增管工作的稳定性。 展开更多
关键词 光电倍增管 纹波 单光电子谱 暗计数率
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基于热敏超导边界转变传感的单光子探测技术 被引量:1
18
作者 周品嘉 常相辉 +1 位作者 韦联福 于扬 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2010年第4期371-386,共16页
单光子探测是实现光量子信息处理的关键技术之一。基于热敏超导边界转变传感的单光子探测技术以其独有的极低的暗计数率、极高的量子探测效率和极强的光子数分辨能力而倍受关注。对比于其他的几种单光子探测技术,如光电倍增管、工作于... 单光子探测是实现光量子信息处理的关键技术之一。基于热敏超导边界转变传感的单光子探测技术以其独有的极低的暗计数率、极高的量子探测效率和极强的光子数分辨能力而倍受关注。对比于其他的几种单光子探测技术,如光电倍增管、工作于盖革模式的雪崩二极管和超导纳米线等,本文将从其探测原理、实验样品制备和信号采集处理方法等方面出发,对基于热敏超导边界转变传感单光子探测技术研究的历史、现状进行综述,进而展望其未来可能的发展。 展开更多
关键词 单光子探测 热敏超导边界转变传感 计数率 暗计数 量子效率
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用于1550nm光子检测的InGaAs/InP单光子雪崩二极管的温度相关性 被引量:2
19
作者 王帅 韩勤 +4 位作者 叶焓 耿立妍 陆子晴 肖峰 肖帆 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第11期70-76,共7页
在越来越多的光子计数应用中,用于近红外光波长领域的单光子探测器受到广泛关注。例如在量子信息处理、量子通信、3D激光测距(LiDAR)、时间分辨光谱等光子计数应用领域。文中设计并展示了用于探测1 550 nm波长光子的InGaAs/InP单光子雪... 在越来越多的光子计数应用中,用于近红外光波长领域的单光子探测器受到广泛关注。例如在量子信息处理、量子通信、3D激光测距(LiDAR)、时间分辨光谱等光子计数应用领域。文中设计并展示了用于探测1 550 nm波长光子的InGaAs/InP单光子雪崩二极管(SPAD)。这种SPAD采用分离吸收、过渡、电荷和倍增区域结构(SAGCM),在盖革模下工作时具有单光子灵敏度。SPAD的特性包括随温度范围223~293 K变化的击穿电压、暗计数率、单光子检测效率和后脉冲概率。25μm直径的SPAD显示出一定的温度相关性,击穿电压随温度的变化率约为100 mV/K。当SPAD在盖革模式下温度为223 K工作时,在暗计数率为4.1 kHz,后脉冲概率为3.29%的基础上,对1 550 nm光子实现了21%的单光子探测效率。文中还分析和讨论了SPAD温度相关性的单光子探测效率、暗计数率和后脉冲概率的来源和物理机制。这些机制分析、讨论和计算可以为SPAD的设计和制备提供更多的理论支持和依据。 展开更多
关键词 单光子探测器 温度相关性 光子探测效率 暗计数率 后脉冲概率
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基于InGaAs/InP APD的单光子探测器设计与实现 被引量:2
20
作者 高家利 汪科 曹秋玲 《光电子技术》 CAS 2015年第2期131-134,共4页
针对现有单光子探测器模块价格昂贵和电路复杂的不足,设计了基于InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了APD门控驱动信号和雪崩信号鉴别电路的设计方案,门控信号的产生和雪崩信号的提取由FPGA完成。实验结果表明:在2... 针对现有单光子探测器模块价格昂贵和电路复杂的不足,设计了基于InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了APD门控驱动信号和雪崩信号鉴别电路的设计方案,门控信号的产生和雪崩信号的提取由FPGA完成。实验结果表明:在200 MHz门控条件且制冷温度为-55℃时,探测器的最大光子探测效率(PDE)约为20%,当探测效率为16%时,暗计数率(DCR)约为7.2×10-6/ns。 展开更多
关键词 单光子探测器 雪崩光电二极管 FPGA 光子探测效率 暗计数率
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