脱钴深度对PDC残余热应力的影响计算分析

热残余应力是导致聚晶金刚石复合片(polycrystalline diamond compact,PDC)性能下降的重要因素之一。利用ANSYS建立PDC的计算模型,通过“热—结”耦合法计算评估聚晶复合层的脱钴深度对复合片残余热应力的影响规律。脱钴为PDC再造一个新的界面,即脱钴层/未脱钴层之间的界面(命名为第二界面),从而与原有的聚晶复合层/硬质合金之间的界面(第一界面),共同影响PDC的应力分布变化规律,乃至影响PDC的性能。借助有限元计算,可以系统地分析和考察脱钴对PDC热残余应力的影响规律,并确认1613型号PDC的复合层为2 mm、3 mm时的最优化脱钴深度分别为0.6~0.8 mm、1~1.2 mm。