1
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超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 |
郑齐文
崔江维
王汉宁
周航
余徳昭
魏莹
苏丹丹
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
4
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2
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深亚微米CMOS电路多电源全芯片ESD技术研究 |
杨兵
罗静
于宗光
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《电子器件》
CAS
北大核心
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2012 |
6
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3
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基于0.25μm CMOS工艺的1.8V Rail-to-Rail运算放大器 |
翟艳
杨银堂
朱樟明
王帆
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《电路与系统学报》
CSCD
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2004 |
6
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4
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90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度 |
鲍立
庄奕琪
马晓华
包军林
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
2
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5
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凹槽深度与槽栅PMOSFET特性 |
任红霞
郝跃
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
5
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6
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超深亚微米CMOS工艺参数波动的测量电路 |
杨媛
高勇
余宁梅
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
2
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7
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温度对数字电路中单粒子瞬态脉冲的影响 |
梁斌
陈书明
刘必慰
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
2
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8
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深亚微米飞行高度测量技术研究 |
王亮
赵大鹏
李庆祥
李玉和
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《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
1
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9
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集成电路设计中的热问题研究 |
徐宁
黄锋
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《武汉理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
2
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10
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超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应 |
韩晓亮
郝跃
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
2
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11
|
BARC工艺在亚微米光刻中的应用 |
顾志光
孙钧
郑国祥
龚大卫
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
2
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12
|
低压触发可控硅结构在静电保护电路中的应用 |
曾莹
李瑞伟
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
2
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13
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I_(DDQ)测试全面系统化的研究 |
雷绍充
邵志标
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《国外电子测量技术》
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2004 |
4
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14
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深亚微米槽栅PMOS结构对抗热载流子效应的影响 |
任红霞
张晓菊
郝跃
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
1
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15
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深亚微米槽栅PMOSFET结构参数对其抗热载流子效应和短沟道抑制作用的影响 |
任红霞
郝跃
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2001 |
1
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16
|
深亚微米pHEMT器件的建模 |
韩育
高学邦
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《微纳电子技术》
CAS
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2003 |
1
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17
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衬底掺杂浓度对深亚微米槽栅PMOSFET特性影响 |
任红霞
郝跃
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
1
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18
|
面向工程的SoC技术及其挑战 |
冯亚林
张蜀平
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《计算机工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
3
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19
|
单原子层沉积原理及其应用 |
吴宜勇
李邦盛
王春青
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《电子工业专用设备》
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2005 |
13
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20
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底层相关的VLSI高层次设计策略 |
边计年
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《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
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2000 |
2
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