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具有电荷存储层的快速响应、高稳定、高效率全彩量子点发光二极管
被引量:
1
1
作者
朱阳斌
刘洋
+5 位作者
胡海龙
徐中炜
白洁玉
杨开宇
郭太良
李福山
《Science China Materials》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2022年第4期1012-1019,共8页
溶液法处理的量子点发光二极管(QLEDs)已经成为下一代照明和显示器件有希望的候选者.然而,QLEDs的正向老化问题会极大地降低器件的响应速度并导致发光延迟,严重限制了QLEDs器件在高动态显示领域的应用.本文中,我们在有机空穴注入层和空...
溶液法处理的量子点发光二极管(QLEDs)已经成为下一代照明和显示器件有希望的候选者.然而,QLEDs的正向老化问题会极大地降低器件的响应速度并导致发光延迟,严重限制了QLEDs器件在高动态显示领域的应用.本文中,我们在有机空穴注入层和空穴传输层之间引入电荷存储层硫氰酸亚铜(CuSCN),存储的空穴将在下一次电信号刺激期间释放以提高电荷传输效率,从而使QLEDs器件的响应速度提高一个数量级.此外,通过插入无机CuSCN层,红/绿/蓝全彩QLEDs器件的效率、寿命和环境稳定性同时得到了提升.这项工作为制造快速响应和高性能的全彩QLEDs提供了一种通用策略.
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关键词
quantum
dot
response
speed
luminescence
delay
charge
storage
layer
原文传递
题名
具有电荷存储层的快速响应、高稳定、高效率全彩量子点发光二极管
被引量:
1
1
作者
朱阳斌
刘洋
胡海龙
徐中炜
白洁玉
杨开宇
郭太良
李福山
机构
Institute of Optoelectronic Technology
Fujian Science&Technology Innovation Laboratory for Optoelectronic Information of China
出处
《Science China Materials》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2022年第4期1012-1019,共8页
基金
financially supported by the National Natural Science Foundation of China(62075043)
Fujian Science&Technology Innovation Laboratory for Optoelectronic Information of China(2021ZZ126)。
文摘
溶液法处理的量子点发光二极管(QLEDs)已经成为下一代照明和显示器件有希望的候选者.然而,QLEDs的正向老化问题会极大地降低器件的响应速度并导致发光延迟,严重限制了QLEDs器件在高动态显示领域的应用.本文中,我们在有机空穴注入层和空穴传输层之间引入电荷存储层硫氰酸亚铜(CuSCN),存储的空穴将在下一次电信号刺激期间释放以提高电荷传输效率,从而使QLEDs器件的响应速度提高一个数量级.此外,通过插入无机CuSCN层,红/绿/蓝全彩QLEDs器件的效率、寿命和环境稳定性同时得到了提升.这项工作为制造快速响应和高性能的全彩QLEDs提供了一种通用策略.
关键词
quantum
dot
response
speed
luminescence
delay
charge
storage
layer
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有电荷存储层的快速响应、高稳定、高效率全彩量子点发光二极管
朱阳斌
刘洋
胡海龙
徐中炜
白洁玉
杨开宇
郭太良
李福山
《Science China Materials》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2022
1
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