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Sinusoidal Steady State Analysis on 4H-SiC Buried Channel MOSFETs
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作者 张韬 吕红亮 +2 位作者 张义门 张玉明 叶丽辉 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2008年第5期1818-1821,共4页
With the combined use of the drift-diffusion (DD) model, experiment measured parameters and small-signal sinusoidM steady-state analysis, we extract the Y-parameters for 4H-SiC buried-channel metal oxide semicon- du... With the combined use of the drift-diffusion (DD) model, experiment measured parameters and small-signal sinusoidM steady-state analysis, we extract the Y-parameters for 4H-SiC buried-channel metal oxide semicon- ductor field effect transistors (BCMOSFETs). Output short-circuit current gain G and Mason's invariant U are cMculated for extrapolating unity current gain frequency in the common-source configuration fT and the maximum frequency of oscillation fmax, respectively. Here fT = 800 MHz and fmax= 5 GHz are extracted for the 4H-SiC BCMOSFETs, while the field effect mobility reaches its peak value 87cm2/Vs when VGs = 4.5 V. Simulation results clearly show that the characteristic frequency of 4H-SiC BCMOSFETs and field effect mobility are superior, due to the novel structure, compared with conventional MOSFETs. 展开更多
关键词 INTERFACE states SILICON-CARBIDE MOS DEVICES MOBILITY SIMULATION density 6h
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H_2S_2的构型及其异构化反应的密度泛函理论研究 被引量:3
2
作者 陈文凯 杨迎春 +2 位作者 章永凡 丁开宁 李俊篯 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第4期421-425,共5页
采用量子化学中的密度泛函理论B3LYP方法 ,在 6 3 11+G(3df,2p)水平上 ,全优化得到了H2 S2 线型和分叉型两种异构体的平衡结构 ,讨论了分叉型异构体存在的可能性 ,同时对可能发生的分子内原子迁移过程的过渡态进行了考察 ,并采用内禀反... 采用量子化学中的密度泛函理论B3LYP方法 ,在 6 3 11+G(3df,2p)水平上 ,全优化得到了H2 S2 线型和分叉型两种异构体的平衡结构 ,讨论了分叉型异构体存在的可能性 ,同时对可能发生的分子内原子迁移过程的过渡态进行了考察 ,并采用内禀反应坐标 (IRC)加以证实 .计算结果表明 ,从能量角度看 ,线型的HSSH为稳定构型 .热力学和动力学的计算则表明 ,分子内的原子转移需要较高的活化能 ,并且速度很慢 。 展开更多
关键词 h2S2 密度泛函理论 异构化 过渡态理论
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随机分布系统基于广义H_∞控制的PDF跟踪控制
3
作者 吴凌尧 孙海琴 +1 位作者 徐慧玲 郭雷 《青岛大学学报(工程技术版)》 CAS 2008年第4期1-7,共7页
针对非高斯随机系统,提出了基于线性B样条逼近的广义系统建模方法;讨论了这类广义系统基于H∞状态反馈控制器的设计,解决了非高斯随机系统输出概率密度函数(PDF)跟踪控制和干扰抑制问题;基于线性矩阵不等式,得到了该问题H∞状态反馈控... 针对非高斯随机系统,提出了基于线性B样条逼近的广义系统建模方法;讨论了这类广义系统基于H∞状态反馈控制器的设计,解决了非高斯随机系统输出概率密度函数(PDF)跟踪控制和干扰抑制问题;基于线性矩阵不等式,得到了该问题H∞状态反馈控制器存在的充分必要条件。最后,运用仿真验证了所提出方法的有效性。 展开更多
关键词 广义系统 h∞状态反馈控制 随机系统 概率密度函数(PDF) 跟踪控制
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射频溅射a—Si:F,H中载流子的低温传导
4
作者 李清山 马玉蓉 《曲阜师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1992年第4期67-70,共4页
在300—77K温区内对射频溅射制备的a—Si:F,H薄膜样品作了直流电导测量。结果表明,当T>200K时载流子的传导是以最近邻跳跃传导为主,而在77K<T<140K温区变程跳跃传导占了主要地位。费米能级附近的隙态密度约为10^(20)cm^(-3)eV^... 在300—77K温区内对射频溅射制备的a—Si:F,H薄膜样品作了直流电导测量。结果表明,当T>200K时载流子的传导是以最近邻跳跃传导为主,而在77K<T<140K温区变程跳跃传导占了主要地位。费米能级附近的隙态密度约为10^(20)cm^(-3)eV^(-1)。 展开更多
关键词 a-Si:F h 射频溅射 薄膜 低温传导 载流子
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第一性原理研究c-BN和h-BN的弹性性质与电子结构 被引量:2
5
作者 王宁 董磊 李德军 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2014年第1期34-37,共4页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对c-BN和h-BN的弹性性质和电子结构进行理论计算,通过Voigt-Reuss-Hill方法计算得到多晶体的体模量、切变模量及杨氏模量.结果表明:c-BN和h-BN的弹性模量分别为913 GPa和239 GPa,切变模量分别为409... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对c-BN和h-BN的弹性性质和电子结构进行理论计算,通过Voigt-Reuss-Hill方法计算得到多晶体的体模量、切变模量及杨氏模量.结果表明:c-BN和h-BN的弹性模量分别为913 GPa和239 GPa,切变模量分别为409 GPa和98 GPa,硬度分别为67和16 GPa.K/G和泊松比均表明2种化合物具有很大的脆性.同时,根据计算得到的2种化合物的电子结构图进一步分析了二者弹性性质的差异. 展开更多
关键词 第一性原理 c—BN h-BN 弹性性质 电子结构 密度泛函理论 硬度 态密度
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用F-G-H方法研究玻色-爱因斯坦凝聚体基态性质 被引量:2
6
作者 吴大鹏 门福殿 刘慧 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2009年第6期942-948,共7页
用F-G-H方法数值求解描述BEC凝聚体的非线性薛定谔方程—Gross-Pitaevskii方程.研究总粒子数、粒子间相互作用、谐振频率和一般幂指数外势对玻色凝聚体粒子数密度分布、基态能量的影响.结果表明,增大幂指数外势、谐振频率,降低粒子间的... 用F-G-H方法数值求解描述BEC凝聚体的非线性薛定谔方程—Gross-Pitaevskii方程.研究总粒子数、粒子间相互作用、谐振频率和一般幂指数外势对玻色凝聚体粒子数密度分布、基态能量的影响.结果表明,增大幂指数外势、谐振频率,降低粒子间的排斥作用会增加凝聚体中心的粒子数密度、缩小凝聚体半径;增大总粒子数、谐振频率、粒子间的排斥作用和幂指数外势的指数会增大体系的基态能量;随着总粒子数增大,数值结果与托马斯-费米近似结果渐趋一致,托马斯-费米近似在大粒子数条件下是一种较好的近似方法,在粒子数有限时,结果与真实情形偏差较大,应采用数值解法. 展开更多
关键词 F-G-h方法 玻色-爱因斯坦凝聚 粒子数密度 基态能量
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适用于中高压配电网的高功率密度谐振型级联H桥固态变压器 被引量:23
7
作者 张雪垠 徐永海 肖湘宁 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第2期310-321,共12页
现有中高压配电网固态变压器(SST)拓扑,其电容、模块、IGBT与高(或中)频变压器用量大,成本高,功率密度低。在现有级联型SST拓扑基础上,提出一种适用于中高压配电网的高功率密度谐振型级联H桥固态变压器(RCHB-SST)拓扑。RCHB-SST拓扑利... 现有中高压配电网固态变压器(SST)拓扑,其电容、模块、IGBT与高(或中)频变压器用量大,成本高,功率密度低。在现有级联型SST拓扑基础上,提出一种适用于中高压配电网的高功率密度谐振型级联H桥固态变压器(RCHB-SST)拓扑。RCHB-SST拓扑利用串联谐振的选频作用,实现了一台高频变压器对应多个H桥模块的特殊结构,较传统中高压配电网SST拓扑,能有效减少电容器、模块、IGBT和高频变压器用量以提高功率密度,同时模块的减少和DC-DC环节采用开环控制有利于控制系统的简化。分析RCHB-SST工作原理,建立RCHB-SST的数学模型,提出RCHB-SST的控制策略和模块电容值计算方法,并进行了仿真证明。 展开更多
关键词 配电网 固态变压器 功率密度 级联h 谐振
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非对称双栅结构a-Si:H薄膜晶体管沟道电势统一模型
8
作者 秦剑 姚若河 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期30-36,43,共8页
针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导了前、背栅压独立偏置条件下统一的沟道电势模型.该模型所需参数可由实验直接提取,数值拟合量少,在特定... 针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导了前、背栅压独立偏置条件下统一的沟道电势模型.该模型所需参数可由实验直接提取,数值拟合量少,在特定条件下可简化为对称双栅模型.在此基础上,文中利用数学变换及Lambert W函数提出了表面势与栅压隐含方程的近似求解方法.数值模拟结果显示,该方法具有良好的数值收敛特性,可直接用于器件仿真软件的初值设定,有效提升了模型自洽解的运算效率. 展开更多
关键词 非对称双栅薄膜晶体管 表面势 氢化非晶硅 陷阱态 近似解
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Inducing opto-electronic and spintronic trends in bilayer h-BN through TMO3 clusters incorporation: Ab-initio study
9
作者 Irfan Ahmed Muhammad Rafique +3 位作者 Mukhtiar Ahmed Mahar Abdul Sattar Larik Mohsin Ali Tunio 帅永 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第11期284-294,共11页
The band structure, magnetism, charge distribution, and optics parameters of TMO3–h-BN hybrid systems are investigated by adopting first-principles study(FPS) calculations. It is observed that the TMO3 clusters add f... The band structure, magnetism, charge distribution, and optics parameters of TMO3–h-BN hybrid systems are investigated by adopting first-principles study(FPS) calculations. It is observed that the TMO3 clusters add finite magnetic moments to bilayer h-BN(BL/h-BN), thereby making it a magnetic two-dimensional(2D) material. Spin-polarized band structures for various TMO3–BL/h-BN hybrid models are calculated. After the incorporation of TMO3, BL/h-BN is converted into semimetal or conducting material in spin up/down bands, depending on the type of impurity cluster present in BL/h-BN lattice. Optics parameters are also investigated for the TMO3–BL/h-BN complex systems. The incorporation of TMO3 clusters modifies the absorption and extinction coefficient in visible range, while static reflectivity and refraction parameter increase. It can be surmised that the TMO3 substitution in BL/h-BN is a suitable technique to modify its physical parameters thus making it functional for nano/opto-electronic applications, and an experimental approach can be adapted to reinforce the outcomes of this study. 展开更多
关键词 BILAYER h-BN band structure density of states magnetic MOMENTS optics
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a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析 被引量:8
10
作者 林鸿生 段开敏 马雷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期492-498,共7页
通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟 ,详细分析不同制备条件下 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布 ,指出采用更薄 p+ ... 通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟 ,详细分析不同制备条件下 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布 ,指出采用更薄 p+ ( a- Si C∶ H)薄膜和在 pn异质结嵌入 i( a- Si∶ H)缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si C/ c- 展开更多
关键词 异质结 太阳能电池 Newton-Raphson解法 a-sic:h隙态密度分布 载流子收集
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a-Si/μc-Si叠层结构太阳能电池中的光诱导性能衰退 被引量:5
11
作者 林鸿生 林罡 段开敏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期313-317,共5页
通过应用 Scharfetter- Gummel解法数值求解 Poisson方程 ,对经高强度光辐照过的a- Si/ μc- Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果表明 ,光生空穴俘获造成的 a- Si∶H(与μc- Si∶ H)中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电... 通过应用 Scharfetter- Gummel解法数值求解 Poisson方程 ,对经高强度光辐照过的a- Si/ μc- Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果表明 ,光生空穴俘获造成的 a- Si∶H(与μc- Si∶ H)中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高 a- Si∶ H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给 a- Si/μc- Si叠层结构中的 a- Si∶ H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生 a- Si/μc- Si叠层太阳能电池顶电池 (a- Si∶ H p- i- n)的光诱导性能衰退。a- Si/μc- Si叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 展开更多
关键词 光诱导性能衰退 叠层结构 太阳能电池
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a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析 被引量:2
12
作者 林鸿生 马雷 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期33-36,共4页
基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效... 基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 展开更多
关键词 光诱导性能衰退 a-Si:h隙态密度分布 Newton-Raphson解法 稳定性 a-Si:h太阳能电池 硅太阳能电池
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a-Si/poly-Si叠层太阳能电池稳定性研究 被引量:1
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作者 林鸿生 林罡 段开敏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期50-52,56,共4页
通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解泊松方程,对经高强度光辐照过的a-Si/poly-Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si∶H薄膜... 通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解泊松方程,对经高强度光辐照过的a-Si/poly-Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下,空间电荷效应不会给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si∶H薄膜带来准中性区(低场“死层”),因而没有发生a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退。a-Si/poly-Si叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 展开更多
关键词 太阳能电池 稳定性 叠层
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a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的空间电荷效应和稳定性分析
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作者 林鸿生 段开敏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期92-95,共4页
基于pin结构的a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论了a Si/poly Si叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,在光照射下 ,光生空穴俘获造成了a Si∶H中正空间电荷密度的增加 ,从而改变了电池内部的电场分布 ,提高了a Si∶H薄膜中的电场... 基于pin结构的a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论了a Si/poly Si叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,在光照射下 ,光生空穴俘获造成了a Si∶H中正空间电荷密度的增加 ,从而改变了电池内部的电场分布 ,提高了a Si∶H薄膜中的电场强度。空间电荷效应不会给a Si/poly Si叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,也没有发生a Si/poly Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退 ,因而a Si/poly 展开更多
关键词 A-SI h光诱导性能衰退 A-SI h隙态密度分布 NEWTON-RAPhSON 解法
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第二类超导体输运临界电流密度的一个临界态模型计算
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作者 胡行 王振峰 +2 位作者 刘清青 贾瑜 李新建 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期33-38,共6页
给出了第二类超导体临界电流密度随样品尺寸及外加磁场变化的一个临界态模型计算。计算中考虑了样品中混合态与迈斯纳态共存的情况。用该模型对Tl2Ba2Ca2Cu3O10样品的实验测量结果进行了模拟计算,并讨论了有关问题。
关键词 第二类超导体 临界态模型 临界电流密度
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a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析
16
作者 林鸿生 段开敏 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期245-248,共4页
通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H... 通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si:H薄膜中的电场强度 ,没有给a Si/ poli Si叠层结构中的a Si:H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,不会发生a Si/poli Si叠层太阳电池的光诱导性能衰退 ,因而a Si/ poli Si叠层结构太阳电池具有较高的稳定性。 展开更多
关键词 a-Si:h光诱导性能衰退 a-Si:h隙态密度分布 Newton-Raphson解法
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基于密度泛函理论的单层氢化石墨烯特性分析
17
作者 汪杰君 张存 +2 位作者 王方原 甘永莹 李树 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2021年第4期63-67,共5页
本文采用密度泛函理论的第一性原理方法,研究了不同尺寸H-graphene的稳定性、HOMO-LUMO能隙以及电子激发态.研究结果表明,对于C_(16)H_(10)、C_(30)H_(14)、C_(48)H_(18)、C_(70)H_(22)、C_(96)H_(26)、C_(126)H_(30)计算的比结合能,C_(... 本文采用密度泛函理论的第一性原理方法,研究了不同尺寸H-graphene的稳定性、HOMO-LUMO能隙以及电子激发态.研究结果表明,对于C_(16)H_(10)、C_(30)H_(14)、C_(48)H_(18)、C_(70)H_(22)、C_(96)H_(26)、C_(126)H_(30)计算的比结合能,C_(126)H_(30)相比C_(16)H_(10)的比结合能增长23.9%,且比结合能随着H-graphene尺寸扩大而增加,意味着稳定性不断提高.通过对HOMO-LUMO能隙分析发现,在较小尺寸的H-graphene中,由于量子效应起主要作用,因此出现了较大的HOMO-LUMO能隙,且随着H-graphene团簇尺寸的增加,能隙逐渐缩小可以看出,对于无限大的H-graphene团簇中,HOMO-LUMO能隙无限趋近于零(相当于零带隙),其电子性质与纯石墨烯相似.通过分析C_(16)H_(10)、C_(30)H_(14)、C_(48)H_(18)、C_(70)H_(22)激发态以及了吸收光谱,发现随着尺寸的扩大,吸收光谱发生红移,为石墨烯在电子器件领域的应用提供理论基础. 展开更多
关键词 密度泛函理论 h-graphene hOMO-LUMO能隙 电子激发态
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宇宙演化与氘丰度的测定 被引量:1
18
作者 肖飞 《湖北教育学院学报》 2006年第2期12-14,共3页
通过对标准宇宙结构的分析,讨论了氘元素丰度的测定对宇宙质量密度的影响。确定了宇宙物态方程决定于宇宙质量密度、进而影响宇宙结构的事实。从目前观测的数据判断,宇宙是减速的,但是无限膨胀的。
关键词 质量密度 宇宙演化 氘丰度测定 物态方程
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氢化非晶碳膜与硅的界面特性
19
作者 毛友德 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第11期47-48,F003,共3页
利用直流辉光放电分解碳氢气体来淀积a-C:H(氢化非晶碳)膜,通过测量Al/a-C:H/Si MIS结构的高频C-V曲线讨论了a-C:H/Si界面的电子特性.结果表明a-C:H/Si膜有可能用作半导体器件的表面钝化膜。
关键词 氢化非晶碳膜 界面 特性
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Mg_3N_2团簇吸附H的密度泛函理论研究 被引量:1
20
作者 陈玉红 李文强 +3 位作者 张梅玲 张材荣 康龙 罗永春 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1182-1188,共7页
运用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函B3LYP方法在6-311G*基组水平上对Mg3N2Hm(m=1-4)和(Mg3N2)nHm(n=2-4,m=1-2)团簇的可能几何结构进行优化,预测了其最稳定结构,并对最稳定结构的电子结构,成键特性,电荷分布,振动特性及稳... 运用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函B3LYP方法在6-311G*基组水平上对Mg3N2Hm(m=1-4)和(Mg3N2)nHm(n=2-4,m=1-2)团簇的可能几何结构进行优化,预测了其最稳定结构,并对最稳定结构的电子结构,成键特性,电荷分布,振动特性及稳定性等进行分析。结果表明:当团簇吸附H原子少于N原子数目时,一般形成-NH基;随着团簇吸附H原子数目的增加,当所有N原子吸H形成-NH基后,才有-NH基吸附H原子形成-NH2基;但并不是所有-NH基全部形成-NH2基的饱和结构,此时部分H原子会吸附于Mg原子上形成MgH结构。H原子易吸附于凸出的、包含孤对电子的N原子上;由于孤对电子间的排斥作用,H原子的吸附位置呈相互远离趋势。团簇中N-H之间是共价键作用,而Mg-H间是离子键作用,-NH和-NH2基在团簇中保持完整性,团簇可以很好地描述晶体的储氢行为。 展开更多
关键词 (Mg3N2)nhm团簇 吸附h 基态结构 密度泛函理论
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