期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
带有固定延迟时间的IGBT去饱和过流检测电路 被引量:3
1
作者 徐超 吴灯鹏 +3 位作者 徐大伟 朱弘月 俞跃辉 程新红 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期65-72,共8页
提出了一款带有固定延迟时间的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)去饱和(DESAT)过流检测电路。在IGBT去饱和过流检测电路中加入固定延时电路,当检测到过流信号后关断IGBT,防止IGBT被烧毁。同时固定延时电路开始计时,经历了固定延迟时间后,电路... 提出了一款带有固定延迟时间的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)去饱和(DESAT)过流检测电路。在IGBT去饱和过流检测电路中加入固定延时电路,当检测到过流信号后关断IGBT,防止IGBT被烧毁。同时固定延时电路开始计时,经历了固定延迟时间后,电路错误信号清除,IGBT恢复正常工作状态,提高了IGBT功率回路的可靠性与安全性。将固定延时电路集成在IGBT驱动芯片中,提高了系统的集成度。采用UMC 0.6μm高压BCD工艺模型对去饱和过流检测电路进行前仿和后仿。仿真结果表明,采用线性温度补偿方法,基准电路的过流阈值电压典型值为6.97 V,温度系数为19.5×10^(-6)/℃。IGBT开启后消隐时间为920 ns。在不同工艺角仿真中,后仿固定延迟时间在2.8~4 ms之间变化,典型值为3.3 ms,使功率回路储能元件中的冗余能量充分释放。 展开更多
关键词 固定延迟时间 去饱和(desat)过流保护 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 安全性 集成度
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部