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氘气处理消除光纤氢敏感性 被引量:3
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作者 谢康 黄代勇 韩庆荣 《邮电设计技术》 2004年第7期36-39,共4页
通过分析光纤的过氧基缺陷,用氘气对成品低水峰光纤进行处理,以降低光纤的氢敏感性。结果表明,氘气处理后光纤在1383nm的氢损值小于0.01dB/km,并且这种抗氢损能力不随时间变化而变化,从而保证了光纤长期使用过程中的稳定性。
关键词 光纤 氢敏感性 氘气处理 过氧缺陷
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Al/Zr-V/Mo多层膜的吸氘性能研究
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作者 王海峰 彭述明 +2 位作者 张小红 龙兴贵 杨本福 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期80-83,共4页
对Al/Zr V/Mo多层膜的吸氘性能进行了实验研究。铝膜仅在320 ℃有单一的除气峰,Zr V膜的除气峰有2个,分别为220和350 ℃。当铝层平均厚度小于 0 6μm时,Al/Zr V多层膜的除气峰类似于Zr V膜;大于0 6μm时,类似于铝膜。多层膜的吸氘量随... 对Al/Zr V/Mo多层膜的吸氘性能进行了实验研究。铝膜仅在320 ℃有单一的除气峰,Zr V膜的除气峰有2个,分别为220和350 ℃。当铝层平均厚度小于 0 6μm时,Al/Zr V多层膜的除气峰类似于Zr V膜;大于0 6μm时,类似于铝膜。多层膜的吸氘量随铝膜的厚度增加逐步减小,直至铝膜的平均厚度为0 7μm后,吸氘量不再有大的变化,但有小幅波动。由于 Al膜在除气中有不同程度的破坏,当铝膜平均厚度小于0 6μm时,多层膜的吸氘速率变化行为类似于 Zr V膜;当铝膜厚度大于 0 6μm时,多层膜的吸氘速率受铝膜厚度的影响不大。 展开更多
关键词 Zr-V Zr-V2 吸氘性能 铝膜厚度 实验研究 贮氢材料 核能利用
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用于降低G.657光纤氢损的氘气处理实验研究
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作者 付明磊 何宝 +5 位作者 陈坤 吴仪温 张文其 刘建中 庄明杰 陆春校 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期277-284,共8页
氢损现象是导致光纤出现附加吸收损耗的重要因素。以内包层下凹型弯曲不敏感G.657光纤为实验用光纤,分析了弯曲不敏感G.657光纤结构与衰减因素,阐述了氘气消除光纤氢敏感性机理,并设计了光纤氢损实验对氘气处理配方进行了定量数据测试... 氢损现象是导致光纤出现附加吸收损耗的重要因素。以内包层下凹型弯曲不敏感G.657光纤为实验用光纤,分析了弯曲不敏感G.657光纤结构与衰减因素,阐述了氘气消除光纤氢敏感性机理,并设计了光纤氢损实验对氘气处理配方进行了定量数据测试。通过调整氘气的浓度和处理时长两项关键参数,得到了不同实验条件下光纤的附加衰减值。对比实验结果和追踪复测结果均表明,0.9%氘气浓度和80 h氘气处理时长是适合降低弯曲不敏感G.657光纤氢损的氘气处理配方。 展开更多
关键词 单模光纤 氢损 G.657 附加吸收损耗 氘气处理 弯曲损耗
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重水辅助下游离内界膜填塞术治疗黄斑裂孔合并视网膜脱离的疗效分析 被引量:7
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作者 程艺 梅锋 +6 位作者 胡裕翔 许晓璇 晏立 吴娜 吴雅俊 饶杰 吴晓蓉 《中国现代医学杂志》 CAS 2020年第4期88-92,共5页
目的观察重水辅助下游离内界膜填塞术治疗黄斑裂孔(MH)合并视网膜脱离(RD)的疗效,并与单纯内界膜剥离术相比较,分析2种术式的安全性及有效性。方法回顾性分析2015年1月—2016年12月南昌大学第一附属医院收治的42例MH合并RD患者的临床资... 目的观察重水辅助下游离内界膜填塞术治疗黄斑裂孔(MH)合并视网膜脱离(RD)的疗效,并与单纯内界膜剥离术相比较,分析2种术式的安全性及有效性。方法回顾性分析2015年1月—2016年12月南昌大学第一附属医院收治的42例MH合并RD患者的临床资料,所有患者行25G plus玻璃体切除术。其中,23例联合行重水辅助下游离内界膜填塞术(填塞组),19例联合行单纯内界膜剥离术(未填塞组)。两组术中均填充硅油,术后均行俯卧位治疗,随访时间分别为3和6个月。对比两组患者术后最佳矫正视力、眼底照相、光学相干断层扫描(黄斑区)、光学相干断层扫描血管成像(黄斑区)、MH闭合、视网膜复位及RD复发情况。结果两组最佳矫正视力较术前提高(P>0.05)。术后3个月填塞组与未填塞组MH闭合率分别为95.7%和63.2%(P<0.05)。两组术后6个月MH闭合率比较,差异有统计学意义(P<0.05)。两组术后3和6个月视网膜复位率比较,差异无统计学意义(P>0.05)。结论重水辅助下游离内界膜填塞术治疗MH合并RD较单纯内界膜剥离术更加安全有效,可促进黄斑区及脱离视网膜的解剖复位与视功能恢复。 展开更多
关键词 视网膜脱离 黄斑裂孔/视网膜穿孔 内界膜填塞/内填塞 重水/氧化氘 治疗效果
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氕处理法制备细晶粒、超细晶粒钛合金及其机械性能研究 被引量:5
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作者 杨扬 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 2005年第1期57-60,共4页
α+β型Ti-6Al-4V板材在压力为0.1MPa的氢气氛下,经氕处理,可使β相含量增大,合金晶粒直径减小,吸氕量(质量分数)为0.5%的合金在973K温度下解吸,其晶粒直经由原来的20μm减小到1~3μm;随着解吸温度降至873K,其晶粒直径减小至0.3~0.5... α+β型Ti-6Al-4V板材在压力为0.1MPa的氢气氛下,经氕处理,可使β相含量增大,合金晶粒直径减小,吸氕量(质量分数)为0.5%的合金在973K温度下解吸,其晶粒直经由原来的20μm减小到1~3μm;随着解吸温度降至873K,其晶粒直径减小至0.3~0.5μm,从而得到了细晶及超细晶钛合金。测试结果表明,合金的超塑性延伸率等机械性能随着合金晶粒粒径的减小而提高。 展开更多
关键词 钛合金 氕处理 超细晶粒 机械性能
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真空热处理对钨中氘滞留行为的影响研究
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作者 李建伟 王一帆 +5 位作者 蒋春丽 刘徐徐 陈长安 吴吉良 朱吉鹏 叶小球 《中国钨业》 CAS 2022年第3期78-85,共8页
磁约束聚变装置真空室第一壁的烘烤处理温度一般不超过773 K,钨作为第一壁和偏滤器的重要候选材料,其氢同位素的热脱附温度常常高达800 K及以上。本研究通过气相热扩散方式向钨中引入氘,利用热脱附谱法(TDS)研究了真空热处理保温温度和... 磁约束聚变装置真空室第一壁的烘烤处理温度一般不超过773 K,钨作为第一壁和偏滤器的重要候选材料,其氢同位素的热脱附温度常常高达800 K及以上。本研究通过气相热扩散方式向钨中引入氘,利用热脱附谱法(TDS)研究了真空热处理保温温度和时间对钨中氘脱附行为的影响。结果显示:对于未经真空热处理的钨,D_(2)的脱附峰对应温度为902 K,HD脱附峰为934 K;HD在1273 K以后仍存在热脱附峰。在经过了373~563 K真空热处理2 h后,钨中氘没有明显释放,但随热处理温度升高,D_(2)与HD峰位有向低温移动趋势;当热处理时间为3 h时,D_(2)与HD峰位向低温方向移动程度更大,且热处理温度提高至673 K时,在保温阶段即有大量氘释放,HD的第二个峰在1000 K以下即释放完毕。研究结果对于磁约束聚变装置真空室第一壁烘烤工艺的优化具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 气相热充 氘滞留 热脱附谱(TDS) 真空热处理
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200μm光纤氘气处理工艺的优化 被引量:1
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作者 刘晓玮 张辉 +1 位作者 徐正良 张纯锋 《光纤与电缆及其应用技术》 2018年第4期27-29,46,共4页
通过理论分析及工艺试验,对200μm光纤氘气处理工艺中的氘气浓度、工艺温度及压力进行优化,并根据工艺时间和处理成本指标对各优化后工艺参数的不同组合进行了优选,在氘气浓度为1%,工艺温度为40℃、压力为20kPa条件下实现了最优的工艺... 通过理论分析及工艺试验,对200μm光纤氘气处理工艺中的氘气浓度、工艺温度及压力进行优化,并根据工艺时间和处理成本指标对各优化后工艺参数的不同组合进行了优选,在氘气浓度为1%,工艺温度为40℃、压力为20kPa条件下实现了最优的工艺时间和处理成本。相比常规245μm单模光纤,200μm单模光纤在上述优化的工艺条件下,氘气处理工艺时间可缩短18%。同时,200μm单模光纤经优化的氘气工艺处理后,氢老化附加衰减可满足IEC等标准的要求,并且对其它通信波段的衰减没有影响,氢老化附加衰减降低是长期有效的。 展开更多
关键词 200μm光纤 氘气处理 工艺时间
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