基于罗氏线圈检测电弧高频分量的电弧故障检测方法

介绍了利用罗氏线圈di/dt传感器对低压交流电路中的串联电弧故障进行检测。通过模拟不同负载和电流等级下的串联电弧故障,了解电弧信号的模式和等级特征。罗氏线圈设计用于检测电弧信号的高频di/dt分量。实验结果清楚地表明,通过检测di/dt的高频分量,可以可靠地检测串联电弧故障情况。

诊断中性束加速电源打火检测与保护电路的研究与设计

通过检测打火短路过程中产生较大的di/dt和du/dt来实现高压电源的打火短路保护。在研究了中性束加速电源控制和保护特点的基础上,设计了诊断中性束加速电源在打火短路过程中的di/dt和du/dt的检测电路和相应的保护电路,实现提前对加速器高压电源打火短路的保护。

可控硅关断参数分析及新型可控硅的应用

对可控硅误触发行为及关断过程的分析表明,du/dt参数固定的条件下,di/dt的临界值越高,电路的可靠性越高.di/dt临界值大大提高的逻辑可控硅、无缓冲器可控硅等新型可控硅不但能提高电路的可靠性,还可以降低成本.

电力电子实验装置中的晶闸管保护

在晶闸管变流电路中,应对晶闸管设置必要的过压保护、过流保护、di/dt保护、du/dt保护电路,以保证变流装置的正常运行.电力电子实验装置中虽对晶闸管设置了一定的保护措施,但晶闸管依然经常损坏.分析了这种保护措施的可靠性及晶闸管损坏的原因,并提供了解决问题的方法.

SCR的容量d_i/d_t及耐量d_u/d_t分析与抑制

SCR在导通和关断的瞬间,存在di/dt容量和dv/dt耐量动态特性的限制,本文分析了SCR特性参数与电路参数的关系,根据SCR的动态特性,采取了抑制SCR的di/dt和dv/dt的措施,防止SCR过电流和过电压击穿,提高SCR变流装置的可靠性。

基于电流反馈的IGBT有源栅极驱动方法研究

IGBT开关过程中di/dt与du/dt的大小决定着电流过冲、电压过冲和通断损耗的大小。为使IGBT稳定高效工作,提出一种基于di/dt和du/dt反馈的栅极驱动方法,在IGBT开通时,与di/dt成正比的可控电流反馈到栅极;同样,在IGBT关断时,与du/dt成正比的可控电流反馈到栅极。通过调节反馈到栅极的电流值,实现对di/dt与du/dt的控制,从而抑制尖峰电流和过压损坏的产生。仿真及实验结果验证了理论分析的正确性与可行性。