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提高高频晶闸管di/dt耐量的研究
被引量:
1
1
作者
王晓彬
王培清
张斌
《清华大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期106-109,共4页
为提高高频晶闸管的动态指标和高频性能,通过实验分析和理论推导,研究了工艺参数和设计参数对高频晶闸管di/dt耐量的影响。实验结果表明:较低的一扩浓度,较薄的基区宽度以及用高能电子辐照控制少子寿命,有利于提高di/dt...
为提高高频晶闸管的动态指标和高频性能,通过实验分析和理论推导,研究了工艺参数和设计参数对高频晶闸管di/dt耐量的影响。实验结果表明:较低的一扩浓度,较薄的基区宽度以及用高能电子辐照控制少子寿命,有利于提高di/dt耐量。通过对相同工艺三种不同阴极图形的800A、10kHz高频晶闸管di/dt的研究,论证了合理确定辅助晶闸管面积对提高di/dt的重要性,并指出,在大面积高频晶闸管中设计二级放大门极,有利于提高di/dt耐量。
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关键词
高频晶闸管
di/dt耐量
放大门极
晶闸管
原文传递
提高光控晶闸管灵敏度和di/dt耐量的方法
2
作者
吴鼎祥
《黑龙江电子技术》
1990年第2期37-40,共4页
关键词
光控
晶闸管
灵敏度
di/dt耐量
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职称材料
题名
提高高频晶闸管di/dt耐量的研究
被引量:
1
1
作者
王晓彬
王培清
张斌
机构
清华大学核能技术设计研究院
出处
《清华大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期106-109,共4页
文摘
为提高高频晶闸管的动态指标和高频性能,通过实验分析和理论推导,研究了工艺参数和设计参数对高频晶闸管di/dt耐量的影响。实验结果表明:较低的一扩浓度,较薄的基区宽度以及用高能电子辐照控制少子寿命,有利于提高di/dt耐量。通过对相同工艺三种不同阴极图形的800A、10kHz高频晶闸管di/dt的研究,论证了合理确定辅助晶闸管面积对提高di/dt的重要性,并指出,在大面积高频晶闸管中设计二级放大门极,有利于提高di/dt耐量。
关键词
高频晶闸管
di/dt耐量
放大门极
晶闸管
Keywords
high frequency thyristors
d i /d t capability
amplifier gates
short points
minority carrier lifetime
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
提高光控晶闸管灵敏度和di/dt耐量的方法
2
作者
吴鼎祥
出处
《黑龙江电子技术》
1990年第2期37-40,共4页
关键词
光控
晶闸管
灵敏度
di/dt耐量
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
提高高频晶闸管di/dt耐量的研究
王晓彬
王培清
张斌
《清华大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
1
原文传递
2
提高光控晶闸管灵敏度和di/dt耐量的方法
吴鼎祥
《黑龙江电子技术》
1990
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