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Effects of diamond particle size on microstructure and properties of diamond/Al-12Si composites prepared by vacuum-assisted pressure infiltration
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作者 Jia-ping Fu Can-xu Zhou +1 位作者 Guo-fa Mi Yuan Liu 《China Foundry》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期360-368,共9页
Diamond/aluminium composites have attracted attention in the field of thermal management of electronic packaging for their excellent properties.In order to solve the interfacial problem between diamond and aluminium,a... Diamond/aluminium composites have attracted attention in the field of thermal management of electronic packaging for their excellent properties.In order to solve the interfacial problem between diamond and aluminium,a novel process combining pressure infiltration with vacuum-assisted technology was proposed to prepare diamond/aluminum composites.The effect of diamond particle size on the microstructure and properties of the diamond/Al-12Si composites was investigated.The results show that the diamond/Al-12Si composites exhibit high relative density and a uniform microstructure.Both thermal conductivity and coefficient of thermal expansion increase with increasing particle size,while the bending strength exhibits the opposite trend.When the average diamond particle size increases from 45μm to 425μm,the thermal conductivity of the composites increases from 455 W·m^(-1)·K^(-1)to 713 W·m^(-1)·K^(-1)and the coefficient of thermal expansion increases from 4.97×10^(-6)K^(-1)to 6.72×10^(-6)K^(-1),while the bending strength decreases from 353 MPa to 246 MPa.This research demonstrates that high-quality composites can be prepared by the vacuum-assisted pressure infiltration process and the thermal conductivity of the composites can be effectively improved by increasing the diamond particle size. 展开更多
关键词 diamond/aluminum composites thermal conductivity electronic packaging vacuum-assisted pressure infiltration
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Infiltration kinetics of pressureless infiltration in SiC_p/Al composites
2
作者 秦振凯 于家康 张小宇 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2005年第2期371-374,共4页
The pressureless infiltration kinetics was investigated by plotting the infiltration distance as function of the infiltration time. The effects of key process parameters such as time, temperature, Mg content on the pr... The pressureless infiltration kinetics was investigated by plotting the infiltration distance as function of the infiltration time. The effects of key process parameters such as time, temperature, Mg content on the pressureless infiltration of silicon carbide particle compacts were studied and quantified. The preform with high volume fraction SiC was obtained by mixing SiC particles with bimodal size distribution, whose diameters are 5 and 50 μm, respectively. The results show that an incubation period exists before infiltration, the influence of temperature on the incubation time exceeds that of Mg content, infiltration rate increases with the increasing temperature and Mg content, infiltration rate decreases as Mg consumes. A model of macroscopical infiltration and microscopical infiltration of liquid alloy in porous SiC preform was proposed. 展开更多
关键词 硅化碳 金属基复合材料 无压渗透 电子包装
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增强体表面改性在高导热金属基复合材料中的应用
3
作者 蔡志勇 文璟 +1 位作者 王日初 彭超群 《有色金属科学与工程》 CAS 北大核心 2024年第2期237-255,共19页
随着电子技术的高速发展和电子器件的更新换代,电子封装材料的性能需求越来越高。金属基复合材料,尤其是铝基和铜基复合材料具有高导热、低膨胀、高稳定性等特点,是具有广阔应用前景的电子封装材料。然而,金刚石、石墨烯、硅等增强体与... 随着电子技术的高速发展和电子器件的更新换代,电子封装材料的性能需求越来越高。金属基复合材料,尤其是铝基和铜基复合材料具有高导热、低膨胀、高稳定性等特点,是具有广阔应用前景的电子封装材料。然而,金刚石、石墨烯、硅等增强体与基体的润湿性差,或者在高温下与基体发生有害的界面反应,限制了此类高导热金属基复合材料的开发和应用。本文简述了金属基复合材料的界面研究进展,结合影响金属基复合材料界面结合的因素,提出了几种改善界面结合的方法。增强体表面改性是改善金属基复合材料界面的重要途径之一,常用工艺有磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶凝胶法、化学镀法等;最后,对增强体表面改性在高热导金属基复合材料中的应用进行分析和展望。 展开更多
关键词 电子封装材料 金属基复合材料 铝基复合材料 铜基复合材料 增强体 界面反应 表面改性
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电子封装用diamond/Al复合材料研究进展 被引量:12
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作者 马如龙 彭超群 +2 位作者 王日初 张纯 解立川 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期689-699,共11页
Diamond/Al复合材料作为第四代电子封装材料,具有高热导率、低热膨胀系数和低密度等优良性能,成为研究重点。论述diamond/Al复合材料研究概况,分析挤压铸造、浸渗法和放电等离子烧结制备方法的优点和缺点,讨论热导率和热膨胀系数等热物... Diamond/Al复合材料作为第四代电子封装材料,具有高热导率、低热膨胀系数和低密度等优良性能,成为研究重点。论述diamond/Al复合材料研究概况,分析挤压铸造、浸渗法和放电等离子烧结制备方法的优点和缺点,讨论热导率和热膨胀系数等热物理性能的影响因素,并对其发展前景进行展望。 展开更多
关键词 电子封装 diamond AL复合材料 热导率 热膨胀系数
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高分子基金属复合材料的前沿应用 被引量:1
5
作者 张梦飞 张久洋 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1581-1586,共6页
高分子基金属复合材料作为一种具有独特物理属性的功能材料,兼具金属的高导电导热性以及加工便利性。近年来,高分子基金属复合材料成为科技前沿热点。复合材料不仅在芯片堆叠、集成电路和系统集成等高精度封装中实现技术突破,而且为医... 高分子基金属复合材料作为一种具有独特物理属性的功能材料,兼具金属的高导电导热性以及加工便利性。近年来,高分子基金属复合材料成为科技前沿热点。复合材料不仅在芯片堆叠、集成电路和系统集成等高精度封装中实现技术突破,而且为医疗传感装置、柔性显示屏和软体机器人的开发提供了新思路。本文系统介绍了高分子基金属复合材料,从工作性能、应用概况及市场分析等方面总结其在电子封装、柔性显示、医疗传感和电磁屏蔽领域的的研究现状。 展开更多
关键词 高分子基金属复合材料 电子封装 柔性电子 电磁屏蔽
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新型电子封装用金刚石/金属复合材料的组织性能与应用 被引量:19
6
作者 方针正 林晨光 +2 位作者 张小勇 崔舜 楚建新 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期36-39,43,共5页
随着微电子技术的高速发展,金刚石/金属复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视,它与传统的电子封装材料相比,具有更优异的性能,是未来封装、热沉材料最有潜力的发展方向之一。对金刚石/金属复合材料的性能、制备工艺及应用... 随着微电子技术的高速发展,金刚石/金属复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视,它与传统的电子封装材料相比,具有更优异的性能,是未来封装、热沉材料最有潜力的发展方向之一。对金刚石/金属复合材料的性能、制备工艺及应用发展进行了综述,并提出了未来的研究开发方向。 展开更多
关键词 金刚石/金属 复合材料 电子封装 热导率
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金刚石/铜复合材料在电子封装材料领域的研究进展 被引量:31
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作者 邓安强 樊静波 +3 位作者 谭占秋 范根莲 李志强 张荻 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2010年第5期56-61,共6页
金刚石/铜复合材料作为新型电子封装材料受到了广泛的关注。综述了金刚石/铜复合材料作为电子封装材料的国内外研究现状,介绍了金刚石/铜复合材料的制备工艺,并从材料科学的原理综述了该复合材料主要性能指标(热导率)的影响因素,同时对... 金刚石/铜复合材料作为新型电子封装材料受到了广泛的关注。综述了金刚石/铜复合材料作为电子封装材料的国内外研究现状,介绍了金刚石/铜复合材料的制备工艺,并从材料科学的原理综述了该复合材料主要性能指标(热导率)的影响因素,同时对金刚石/铜复合材料的界面问题进行了分析,最后对金刚石/铜复合材料的未来应用进行了展望。 展开更多
关键词 金刚石/铜 复合材料 电子封装 热导率 界面
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金刚石/Cu复合材料的烧结致密化研究 被引量:13
8
作者 方针正 林晨光 +2 位作者 张小勇 陆艳杰 刘鑫 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期306-310,共5页
金刚石/Cu复合材料是性能优异的新型高导热低膨胀热管理材料。采用金刚石经表面镀Ti或Cr后再镀Cu,SPS烧结制备金刚石/Cu复合材料。结果表明:金刚石/Cu复合材料的烧结致密化与金刚石的体积分数、粒度大小、烧结温度及形成的金刚石/金属... 金刚石/Cu复合材料是性能优异的新型高导热低膨胀热管理材料。采用金刚石经表面镀Ti或Cr后再镀Cu,SPS烧结制备金刚石/Cu复合材料。结果表明:金刚石/Cu复合材料的烧结致密化与金刚石的体积分数、粒度大小、烧结温度及形成的金刚石/金属间的界面相关。金刚石的体积分数对烧结致密化影响最大,烧结温度影响最小;随金刚石体积分数和粒度的增加,金刚石/Cu复合材料的烧结致密化难度增大。 展开更多
关键词 金刚石/Cu 复合材料 烧结致密化 电子封装
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电子封装用金属基复合材料的研究进展 被引量:43
9
作者 曾婧 彭超群 +1 位作者 王日初 王小锋 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3255-3270,共16页
金属基复合材料凭借其优异的性能以及较成熟的制备工艺,成为电子封装领域研究的重要方向之一。综述典型的电子封装用金属基复合材料的研究现状,阐述金属基复合材料的热物理性能设计,列举铝基、铜基电子封装复合材料热物理性能的影响因... 金属基复合材料凭借其优异的性能以及较成熟的制备工艺,成为电子封装领域研究的重要方向之一。综述典型的电子封装用金属基复合材料的研究现状,阐述金属基复合材料的热物理性能设计,列举铝基、铜基电子封装复合材料热物理性能的影响因素和改进措施,介绍常见的制备方法,最后对金属基电子封装材料的发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 电子封装 金属基复合材料 热导率 热膨胀系数
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新一代高导热金属基复合材料界面热导研究进展 被引量:11
10
作者 常国 段佳良 +2 位作者 王鲁华 王西涛 张海龙 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期72-78,87,共8页
热物理性质不同的材料之间存在界面热阻,界面热阻对热传输过程产生极大的影响,并在很大程度上决定了复合材料的导热性能。金刚石颗粒增强金属基复合材料(Metal matrix composites,MMCs)充分发挥了金刚石的高热导率和低热膨胀系数的优点... 热物理性质不同的材料之间存在界面热阻,界面热阻对热传输过程产生极大的影响,并在很大程度上决定了复合材料的导热性能。金刚石颗粒增强金属基复合材料(Metal matrix composites,MMCs)充分发挥了金刚石的高热导率和低热膨胀系数的优点,有望获得高的热导率以及与半导体相匹配的热膨胀系数,可满足现代电子设备在散热能力上提出的越来越高的要求,作为新一代电子封装材料已引起广泛关注。界面热导(界面热阻的倒数)既是决定复合材料导热能力的关键因素,也是研究的难点,复合材料制备工艺、界面改性方式(金属基体合金化或金刚石表面金属化)以及改性金属种类均会影响界面热导。详细论述了界面热导理论及实验研究的最新成果,并对金刚石/金属复合材料在未来研究中面临的主要问题进行探讨。 展开更多
关键词 电子封装材料 界面热导 金刚石 金属基复合材料 热导率
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金属基电子封装复合材料的研究现状及发展 被引量:57
11
作者 喻学斌 吴人洁 张国定 《材料导报》 EI CAS CSCD 1994年第3期64-66,共3页
阐述了金属基复合材料用于电子封装领域的优点及其重要意义,综述了该研究方向最新研究现状,归纳了金属基电子封装复合材料制造方法,指出了未来研究方向。
关键词 金属基复合材料 电子封装 热物理性能
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电子封装材料的研究现状及发展 被引量:38
12
作者 方明 王爱琴 +1 位作者 谢敬佩 王文焱 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2011年第4期84-87,共4页
根据电子封装材料的特点及要求,介绍了几种封装材料,详细地阐述了金属基复合封装材料的性能特点、制备方法、应用背景及存在的问题。并展望了电子封装材料的发展前景。
关键词 电子封装材料 金属基复合材料
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电子封装用金属基复合材料的制备 被引量:11
13
作者 黄强 金燕萍 顾明元 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第9期18-19,17,共3页
分析了电子封装用金属基复合材料的性能特点及其对制备工艺的要求,在此基础上论述了该种材料的各种制备工艺的特点及发展现状。
关键词 电子封装 金属基复合材料 制备工艺 粉末冶金 液相法
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新型硅基铝金属高性能电子封装复合材料研究 被引量:5
14
作者 林锋 冯曦 +2 位作者 李世晨 任先京 贾贤赏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期107-110,115,共5页
微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。在传统封装材料已不能满足现代技术发展需要的情况下,新型硅基铝金属复合材料脱颖而出,以其优异的综合性能成为备受关注的焦点。高体积分数硅基体带来的低热膨胀系数能很好地与芯... 微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。在传统封装材料已不能满足现代技术发展需要的情况下,新型硅基铝金属复合材料脱颖而出,以其优异的综合性能成为备受关注的焦点。高体积分数硅基体带来的低热膨胀系数能很好地与芯片相匹配,连通分布的金属(铝)确保了复合材料的高导热、散热性,两者的低密度又保证了复合材料的轻质,尤其适用于高新技术领域。重点探讨了硅基铝金属铝复合材料的主要制备技术及其组织性能机理,并对其未来发展作出展望。 展开更多
关键词 电子封装 铝金属 硅基复合材料
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电子封装用金属基复合材料的研究现状 被引量:11
15
作者 朱敏 孙忠新 +1 位作者 高锋 刘晓阳 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2013年第2期181-183,共3页
简要论述了金属封装材料、陶瓷封装材料、塑料封装材料的性能特点,以及各自作为封装材料存在的性能缺陷,并着重阐述了金属基复合材料作为电子封装材料的性能优势及其在电子封装技术中的发展现状,展望了金属基复合材料的发展趋势及应用... 简要论述了金属封装材料、陶瓷封装材料、塑料封装材料的性能特点,以及各自作为封装材料存在的性能缺陷,并着重阐述了金属基复合材料作为电子封装材料的性能优势及其在电子封装技术中的发展现状,展望了金属基复合材料的发展趋势及应用前景。 展开更多
关键词 电子封装材料 传统封装材料 金属基复合材料
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真空压渗铸造铝基电子封装复合材料研究 被引量:8
16
作者 喻学斌 张国定 吴人洁 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期9-12,共4页
叙述了真空反压渗透铸造法制铝基电子封装复合材料的过程;测试了SiCp、镀铜碳短纤维、P130石墨短纤维、Al2O3短纤维、石墨磷片、石墨颗粒增强铝硅铸造合金复合材料的密度、孔积率和增强体的体积分数;给出了每种复合材料... 叙述了真空反压渗透铸造法制铝基电子封装复合材料的过程;测试了SiCp、镀铜碳短纤维、P130石墨短纤维、Al2O3短纤维、石墨磷片、石墨颗粒增强铝硅铸造合金复合材料的密度、孔积率和增强体的体积分数;给出了每种复合材料的金相照片,分析了不同增强体、预制件制造方法和混杂增强对铝基复合材料的体积分数、孔积率等方面的影响。 展开更多
关键词 真空铸造 复合材料 电子封装
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电子封装用金属基复合材料的研究现状 被引量:38
17
作者 周贤良 吴江晖 +2 位作者 张建云 华小珍 周云军 《南昌航空工业学院学报》 CAS 2001年第1期11-15,共5页
本文介绍了电子封装用金属基复合材料的研究现状 ,分别从基体、增强体、制备工艺几方面讨论了其对复合材料性能的影响 ,着重介绍了作为电子封装材料应用前景较好的高比例SiC颗粒增强铝基复合材料及其已部分实现规模工业化生产的铸造法。
关键词 电子封装 金融基合材料 热性能 研究 半导体集成电路
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高导热金刚石/玻璃复合材料的制备和性能研究 被引量:6
18
作者 童震松 沈卓身 张毓隽 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期52-55,共4页
首先对金刚石颗粒进行化学镀Cu,并控制氧化,从而在金刚石颗粒表面获得Cu-Cu2O复合结构。然后,在800℃无压烧结制备了金刚石/玻璃复合材料,观察了其表面和界面形貌,并测定了其相对密度和热导率。结果表明,通过对镀Cu金刚石的控制氧化,明... 首先对金刚石颗粒进行化学镀Cu,并控制氧化,从而在金刚石颗粒表面获得Cu-Cu2O复合结构。然后,在800℃无压烧结制备了金刚石/玻璃复合材料,观察了其表面和界面形貌,并测定了其相对密度和热导率。结果表明,通过对镀Cu金刚石的控制氧化,明显改善了玻璃对金刚石颗粒表面的润湿性,避免了玻璃对金刚石颗粒表面的侵蚀,提高了复合材料的热导率;复合材料的热导率随金刚石含量的增加而增加,当金刚石质量分数为70%时,热导率最高达到了14.420W/(m·K)。 展开更多
关键词 复合材料 金刚石 玻璃 热导率 化学镀铜 电子封装
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金属基电子封装复合材料的研究进展 被引量:23
19
作者 聂存珠 赵乃勤 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1-5,共5页
集成电路和芯片的封装技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。由于传统的金属封装材料不能满足现代封装技术的发展需要 ,向金属基体内添加低热膨胀系数的陶瓷或其它物质制成金属基电子封装复合材料已成为金属基复合材料今后重点发... 集成电路和芯片的封装技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。由于传统的金属封装材料不能满足现代封装技术的发展需要 ,向金属基体内添加低热膨胀系数的陶瓷或其它物质制成金属基电子封装复合材料已成为金属基复合材料今后重点发展的方向之一。本文阐述了金属基体、增强体及其体积分数。 展开更多
关键词 电子封装 金属基复合材料 热性能
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电子封装用SiCp/Al复合材料渗透法制备及渗透机制 被引量:12
20
作者 张建云 华小珍 周贤良 《金属功能材料》 CAS 2002年第1期26-28,共3页
本文研究了电子封装用SiCp/Al复合材料渗透法制备工艺 ,该工艺在空气气氛下 ,于 85 0~ 95 0℃温度范围内 ,不用外加压力 ,通过助渗剂作用 ,使铝合金熔液自动地渗入SiC颗粒间孔隙中 ,从而形成电子封装用复合材料。
关键词 电子封装 金属基复合材料 渗透 制备 硅化硅 铝基
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