BN分子跃迁谱线的理论研究

借助孙卫国等建立的能正确计算双核体系跃迁谱线的理论方法,研究了材料分子BN从电子态b1Π向电子态a1∑+跃迁过程中(0,0)、(1,1)跃迁带的P线系跃迁谱线。研究获得的理论结果不仅很好地重现了已知的实验结果,同时还预测了这些跃迁带包含转动量子数J=80在内的高激发振转态的跃迁谱线数据,从理论上为进一步掌握BN分子性能提供了重要的结构信息。

VO分子~2△_(3/2)—1~2△_(3/2)电子跃迁P线系发射谱线的研究

本文利用孙卫国课题组建立的能精确计算（预言）某双原子分子电子态P线系发射谱线的物理新公式, 首次研究了VO分子从电子态^2Δ3/2跃迁到电子态1^2Δ3/2的（0, 0）跃迁带中的P线系发射谱线. 获得的研究结果不仅重复了实验上已知的低转动态谱线数据,而且还正确预言了该跃迁带在 实验上难以精确测量的转动量子数J=80.5以内的高振转激发态的P线系发射光谱. 为研究VO分子内部结构提供了重要的物理信息.

VN分子R线系跃迁结构的研究与分析

本文借助孙卫国课题组建立的能精确计算双原子分子R线系发射谱线的物理公式,利用实验上获得的低振动态跃迁谱线数据研究了电极材料VN分子电子态f1Φ—a1以及电子态d1Σ+—X3 1等跃迁体系的(0,0)跃迁带的R线系发射谱线.从理论上预言了实验上难以获得的该跃迁带R线系高振转激发态的跃迁结构,为急需VN分子内部结构的其他研究领域提供了重要的结构信息.从这些公式出发,我们定义了表征实验测定谱线对新谱线的贡献度C(contribution)参数,进一步分析了高激发振转跃迁谱线的相互依赖关系,结果表明该物理公式不仅很好地复现了已知的实验数据,正确地预言了实验未能测定的高激发振转跃迁谱线,而且还能了解不同实验谱线对新谱线的贡献程度,基于这些贡献度,实验学家可以将有限的资源更好地进行分配,重点研究那些贡献度大的振转跃迁谱线.

精确研究NbN分子d1∑＋-b1∑＋电子态跃迁的P线系发射光谱

本文利用最近建立的能精确求解双原子分子P线系发射光谱的物理新公式,研究了NbN分子从电子态d^1∑^+向b^1∑^+电子态跃迁中(1,1)跃迁带的P支发射光谱.获得的计算结果不仅很好地重现了已知低转动态的实验谱线数据,同时也预言了该跃迁带包含转动量子数J=80在内的高振转激发态的精确P线系发射光谱.该方法在理论上为实验技术难以精确测量的双原子分子体系提供了一种获得精确的高激发态谱线数据的物理新方法.从而可以为那些需要NbN分子高激发态跃迁谱线的研究工作提供必要的数据.