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Alternating current characterization of nano-Pt(Ⅱ)octaethylporphyrin(PtOEP) thin film as a new organic semiconductor 被引量:1
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作者 M Dongol M M El-Nahass +2 位作者 A El-Denglawey A A Abuelwafa T Soga 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第6期426-432,共7页
Alternating current(AC) conductivity and dielectric properties of thermally evaporated Au/Pt OEP/Au thin films are investigated each as a function of temperature(303 K–473 K) and frequency(50 Hz–5 MHz).The fre... Alternating current(AC) conductivity and dielectric properties of thermally evaporated Au/Pt OEP/Au thin films are investigated each as a function of temperature(303 K–473 K) and frequency(50 Hz–5 MHz).The frequency dependence of AC conductivity follows the Jonscher universal dynamic law.The AC-activation energies are determined at different frequencies.It is found that the correlated barrier hopping(CBH) model is the dominant conduction mechanism.The variation of the frequency exponent s with temperature is analyzed in terms of the CBH model.Coulombic barrier height Wm,hopping distance Rω,and the density of localized states N(EF) are valued at different frequencies.Dielectric constant ε1(ω,T) and dielectric loss ε2(ω,T) are discussed in terms of the dielectric polarization process.The dielectric modulus shows the non-Debye relaxation in the material.The extracted relaxation time by using the imaginary part of modulus(M’’)is found to follow the Arrhenius law. 展开更多
关键词 PtOEP thin films AC conductivity dielectric constants organic semiconductors solar cell nano materials
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Electroluminescent Excitation Mechanism of Erbium-activated Zinc Sulfide Semiconductor Thin Film Devices
2
作者 LIU Zhaohong WANG Yujiang +1 位作者 CHEN Zhenxiang LIU Ruitang(Xiamen University, Xiamen 361005, CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1996年第3期175-179,共5页
The electroluminescunce (EL) transient characteristics of erbium-doped zinc sulfide thin film (TF) devices excited by short rectangular pulses are studied, the luminescence delay after de-exciting and the relaxation l... The electroluminescunce (EL) transient characteristics of erbium-doped zinc sulfide thin film (TF) devices excited by short rectangular pulses are studied, the luminescence delay after de-exciting and the relaxation luminance peaks during decay are observed. A model description for energy transfer has been proposed. The experimental results can be theoretically explained with the computer curve fittings. 展开更多
关键词 Semiconductor materials thin film Devices electroluminescence EL Displays
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超低介电常数的多孔F-pSiCOH薄膜制备及其紫外固化处理
3
作者 陈云 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第S01期128-131,142,共5页
面向高性能集成电路可靠性设计要求之下,开展以硅集成电路(IC)三维集成器件超低介电常数的介电薄膜研究。采用化学气相沉积法制备了一种超低介电常数(k)值的多孔F-pSiCOH薄膜。利用傅里叶变换红外光谱测定了多孔F-pSiCOH薄膜的化学结构... 面向高性能集成电路可靠性设计要求之下,开展以硅集成电路(IC)三维集成器件超低介电常数的介电薄膜研究。采用化学气相沉积法制备了一种超低介电常数(k)值的多孔F-pSiCOH薄膜。利用傅里叶变换红外光谱测定了多孔F-pSiCOH薄膜的化学结构和化学键,并探究了紫外线辐射对多孔F-pSiCOH薄膜机械性能的影响。结果表明:纳米孔和氟原子的引入能有效地降低介电常数,使多孔F-SiCOH薄膜的k值为2.15。紫外固化处理增强了多孔F-pSiCOH薄膜的弹性模量,使多孔F-pSiCOH薄膜的弹性模量从4.84GPa增大到5.76GPa,力学性能得到优化。 展开更多
关键词 硅集成电路 低介电常数介电材料 多孔SiCOH薄膜 紫外固化
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超大晶格二维纳米片调控聚酰亚胺基复合介质击穿和极化行为研究
4
作者 邹建鑫 赵贺 +4 位作者 李鑫广 丛明锐 孙佳慧 黄子瀚 富钰茜 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2024年第10期60-67,共8页
为了改善二维纳米片在聚合物基体中的弱分散问题,提高复合材料的电学性能,采用水热法制备二维纳米扩层二硫化钼(E-MoS_(2))纳米片,通过原位聚合法制备聚酰亚胺(PI)基超大晶格二硫化钼纳米片(PI/E-MoS_(2))复合薄膜。利用扫描电子显微镜(... 为了改善二维纳米片在聚合物基体中的弱分散问题,提高复合材料的电学性能,采用水热法制备二维纳米扩层二硫化钼(E-MoS_(2))纳米片,通过原位聚合法制备聚酰亚胺(PI)基超大晶格二硫化钼纳米片(PI/E-MoS_(2))复合薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)对复合薄膜的表面和断面结构进行了表征,并用傅里叶红外光谱仪(FTIR)对复合薄膜的分子价键进行成分分析,用X射线衍射仪(XRD)研究复合薄膜的相结构。此外,测量了复合薄膜的介电常数、交流电导率和介质损耗因数,探讨了纳米片扩层晶格结构对薄膜击穿和极化行为的影响机理。结果表明:在PI薄膜中掺入少量的E-MoS_(2)纳米片,PI/E-MoS_(2)复合薄膜表面无明显团聚现象,其断面形貌无明显孔洞且结构缺陷数量较少,表明基体与填料相容性好。引入E-MoS_(2)纳米片可以增强复合薄膜内部的界面极化,显著提高薄膜的介电常数及电气强度,并降低其介质损耗。 展开更多
关键词 绝缘材料 聚酰亚胺 介电性能 复合薄膜
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(Zr,Ti)O_(4)基微波薄膜介质基片制备关键工艺研究
5
作者 江俊俊 康建宏 +2 位作者 汪小玲 刘杨琼 赵杨军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S01期42-46,共5页
素坯成型工艺对微波陶瓷材料在微波薄膜介质基片产品中的工程化应用具有关键影响。目前关于(Zr,Ti)O_(4)主晶相系统微波介质陶瓷材料的研究主要集中在降低(Zr,Ti)O_(4)陶瓷烧结温度、掺杂改性优化其介电性能、Q×f值(品质因数与频... 素坯成型工艺对微波陶瓷材料在微波薄膜介质基片产品中的工程化应用具有关键影响。目前关于(Zr,Ti)O_(4)主晶相系统微波介质陶瓷材料的研究主要集中在降低(Zr,Ti)O_(4)陶瓷烧结温度、掺杂改性优化其介电性能、Q×f值(品质因数与频率的乘积)等配方优化方面。本文以(Zr,Ti)-O4基微波陶瓷材料为原材料,通过研究中介微波薄膜介质基片关键成型工艺对其物相结构、微观形貌和介电性能的影响,发现不同素坯成型工艺方式对(Zr,Ti)O_(4)基陶瓷的致密度、介质损耗值、Q×f值等影响显著。采用方式四进行薄膜介质基片的制备,获得的(Zr,Ti)O_(4)基薄膜介质基片致密度较高,气孔率低,陶瓷材料的介质损耗低至1.1×10^(-4),15 GHz下Q×f值高达50000。本文通过对不同素坯成型方式的研究,以期为(Zr,Ti)O_(4)基微波陶瓷材料薄膜介质基片的工程化应用提供理论支撑。 展开更多
关键词 (Zr Ti)O_(4) 薄膜介质基片 工程化应用 微波陶瓷材料 成型工艺 介电性能
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Dependence of surface morphology of CVD diamond films on deposition conditions
6
作者 YANGGuowei MAOYude 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1995年第1期88-92,共5页
The diamond films have been deposited by the hot filament CVD method on molybdenum substrates from the mixture reactant gas of acetone and hydrogen.The surface morphologies of the obtained diamond films under various ... The diamond films have been deposited by the hot filament CVD method on molybdenum substrates from the mixture reactant gas of acetone and hydrogen.The surface morphologies of the obtained diamond films under various deposition conditions have been observed by scanning electron microscope(SEM).The experimental results strongly indicate that the surface morphologies of the resulting films have closely related to the deposition conditions,i.e.,reaction pressure.For molybdenum substrates,under the lower reaction pressure the surface morphologies of the grains comprising the resulting films mainly display the small single crystal cubo-octahedron and double small crystal cubo-octahedron;under the higher reaction pressure,the surface morphologies mainly display the large cauliflower-like.These results show that there are various crystal habits for CVD diamond under various deposition conditions. 展开更多
关键词 dielectric thin films Optical films CVD Material Testing
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微/纳米多孔低介电聚酰亚胺薄膜的研究进展 被引量:2
7
作者 赵宇霄 冯鑫 +4 位作者 冯晨曦 王玉辉 程金雪 于晓亮 郭敏杰 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期173-181,共9页
聚酰亚胺(PI)作为高性能聚合物,已成为5G通信的重要原材料之一。传统PI薄膜的介电常数处于3.0~3.4之间,随着电路集成度越来越高,已无法满足高速发展的微电子工业的要求,因此,开发综合性能优异的低介电PI薄膜已成为研究热点。向PI薄膜中... 聚酰亚胺(PI)作为高性能聚合物,已成为5G通信的重要原材料之一。传统PI薄膜的介电常数处于3.0~3.4之间,随着电路集成度越来越高,已无法满足高速发展的微电子工业的要求,因此,开发综合性能优异的低介电PI薄膜已成为研究热点。向PI薄膜中引入微/纳米级的分散孔隙,可以有效降低介电常数,同时保留薄膜优异的综合性能。文中从物理和化学制备方法入手,综述了近年来国内外微/纳米多孔低介电PI薄膜(M/N-PLD-PI)的制备工艺,阐明了引入微/纳米级的分散孔隙对降低PI薄膜介电常数的贡献,并对多孔低介电PI薄膜的发展进行了展望。 展开更多
关键词 微/纳米 低介电常数 多孔材料 聚酰亚胺薄膜 制孔方法
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Lead-free silver niobate microparticles-loaded PDMS composite films for high-performance clip-like hybrid mechanical energy harvesters
8
作者 Mandar Vasant Paranjape Sontyana Adonijah Graham +2 位作者 Punnarao Manchi Anand Kurakula Jae Su Yu 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第9期145-154,共10页
A triboelectric nanogenerator(TENG)is a highly potential green energy harvesting technology to power small-scale electronic devices.Enhancing the overall electricity production capacity of TENGs is a primary concern f... A triboelectric nanogenerator(TENG)is a highly potential green energy harvesting technology to power small-scale electronic devices.Enhancing the overall electricity production capacity of TENGs is a primary concern for their utilization as an electricity generator in day-to-day life.Herein,we proposed a lead-free silver niobate(AgNbO_(3)(ANb))microparticles(MPs)-embedded polydimethylsiloxane(PDMS)composite film-based clip-like hybrid nanogenerator(HNG)device,producing an enhanced electrical output from the applied mechanical movements.The ANb MPs with a high dielectric constant were initially synthesized and embedded inside the PDMS polymer matrix.Various HNGs were fabricated utilizing ANb MPs/PDMS composite films/aluminum tape as negative/positive triboelectric films,respectively and operated in contact-separation mode.The electrical output from them was comparatively analyzed to investigate an optimum concentration of the ANb MPs inside the PDMS film.The robust HNG with 5 wt%ANb MPs/PDMS composite film produced the highest electrical output with promising stability.Thereafter,three similar optimized HNGs were fabricated and integrated within a 3D-printed clip-like structure and the electrical output was thoroughly evaluated while combining multiple HNGs as well as from each independent HNG.The clip-like HNG device exhibited an electrical output of 340 V and 20μA that can be further utilized to charge various capacitors and power portable electronics.Owing to the high resilience structure of the clip-like HNG device,it was also demonstrated to harvest biomechanical energy produced by human movements into electricity.The mechanical energy harvesting when the clip-like HNG device was attached to the accelerator pedal of the car and the pedal of a musical piano was successfully demonstrated. 展开更多
关键词 AgNbO_(3)MPs Lead-free ANb MPs/PDMS composite film dielectric material Clip-like HNG Biomechanical energy harvesting
原文传递
铝电解槽用高性能绝缘材料的开发与应用
9
作者 宋小雨 姜海漪 +1 位作者 徐致伟 姜玉敬 《世界有色金属》 2023年第6期37-39,共3页
本文对铝电解槽用高性能绝缘材料的生产工艺技术进行了创新性开发,开发出的创新工艺技术经生产实践证明:产品成品率达到98.5%;产品的体积电阻率,1000V、DC、室温下达到10^(11)Ωm~10^(16)Ωm级;介电强度(击穿强度)大于40kV/mm;产品通过... 本文对铝电解槽用高性能绝缘材料的生产工艺技术进行了创新性开发,开发出的创新工艺技术经生产实践证明:产品成品率达到98.5%;产品的体积电阻率,1000V、DC、室温下达到10^(11)Ωm~10^(16)Ωm级;介电强度(击穿强度)大于40kV/mm;产品通过不同容量(400kA级、500kA级、600kA级)大型预焙铝电解槽系列生产的工业应用证明,生产运行平稳高效、安全可靠,取得显著的经济效益。 展开更多
关键词 预焙铝电解槽 绝缘材料 创新工艺技术 粉体成膜技术 体积电阻率 介电强度
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高介电常数的栅极电介质LaAlO_3薄膜的性能研究 被引量:16
10
作者 王东生 于涛 +3 位作者 游彪 夏奕东 胡安 刘治国 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期229-232,共4页
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介... 在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压±1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能. C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料. 展开更多
关键词 栅极电介质材料 介电常数 LaAlO3薄膜 铝酸镧 半导体集成电路
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陶瓷厚膜和薄膜混合电致发光器件 被引量:5
11
作者 朱文清 刘祖刚 +4 位作者 唐春玖 赵伟明 蒋雪茵 张志林 许少鸿 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期82-86,共5页
使用PbMg1/ 3Nb2 / 3O3 PbTiO3 PbCd1/ 2 W1/ 2 O3三元系电容器瓷料 ,采用流延工艺成膜 ,丝网印刷内电极 ,在 930~ 950℃下低温烧结的方法制备了陶瓷衬底。陶瓷厚膜在室温下的相对介电常数εr>1.4× 10 4 ,损耗tanδ≈ 1% ,具... 使用PbMg1/ 3Nb2 / 3O3 PbTiO3 PbCd1/ 2 W1/ 2 O3三元系电容器瓷料 ,采用流延工艺成膜 ,丝网印刷内电极 ,在 930~ 950℃下低温烧结的方法制备了陶瓷衬底。陶瓷厚膜在室温下的相对介电常数εr>1.4× 10 4 ,损耗tanδ≈ 1% ,具有极高的品质因素 (大于等于 80 μC/cm2 )。理论分析了电致发光器件的阈值电压与绝缘介质特性的关系。直接在陶瓷厚膜上制备了MIS结构和MISIM结构的以陶瓷厚膜为绝缘层的ZnS 展开更多
关键词 陶瓷厚膜 流延工艺 介质材料 电致发光器件 薄膜
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陶瓷基片薄膜电致发光器件 被引量:8
12
作者 赵伟明 张志林 +2 位作者 蒋雪茵 刘祖刚 许少鸿 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期256-260,共5页
本文报道了一种新颖的陶瓷基片薄膜电致发光器件(CSTFEL),使用高介电常数的陶瓷片作器件的基片,同时又作为器件中的绝缘层,陶瓷片表面无需抛光处理,直接制作发光器件,工艺简单,用市电50Hz,220V驱动,亮度大于3... 本文报道了一种新颖的陶瓷基片薄膜电致发光器件(CSTFEL),使用高介电常数的陶瓷片作器件的基片,同时又作为器件中的绝缘层,陶瓷片表面无需抛光处理,直接制作发光器件,工艺简单,用市电50Hz,220V驱动,亮度大于30cd/m2,寿命大于10000小时. 展开更多
关键词 陶瓷 介电层 薄膜 电致发光 CSTFEL
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Y形和Y环形单元特性的实验对比研究 被引量:41
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作者 卢俊 张靓 孙连春 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期219-224,共6页
采用镀膜和光刻技术设计并制备出了2种衬底厚度不同的Y孔单元和Y环孔单元的FSS,在0°和45°入射角下分不同的极化波进行了测试,经对比研究发现,在大角度入射下Y环单元FSS比Y孔单元FSS有更为稳定的中心频率,更窄的带宽;Y环单元FS... 采用镀膜和光刻技术设计并制备出了2种衬底厚度不同的Y孔单元和Y环孔单元的FSS,在0°和45°入射角下分不同的极化波进行了测试,经对比研究发现,在大角度入射下Y环单元FSS比Y孔单元FSS有更为稳定的中心频率,更窄的带宽;Y环单元FSS对垂直和水平极化波的适应性更强,滤波特性较Y孔单元FSS更明显;介质厚度的变化对Y孔中心频率、带宽的影响要比Y环单元FSS的大得多。所以,从中心频率、带宽随介质衬底厚度、入射角度、不同极化方式的变化情况看,Y环单元比Y孔有更稳定的性能。 展开更多
关键词 频率选择表面 垂直极化 水平极化
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无机电致发光材料的制备方法与研究现状 被引量:6
14
作者 朱小平 于长凤 +2 位作者 张脉官 凌青 戴静 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期19-23,共5页
较系统地阐述无机电致发光材料的类型、发光原理及器件构成,以及无机薄膜电致发光材料的制备方法、研究的最新进展及今后的发展趋势。
关键词 无机电致发光材料 薄膜电致发光 电致发光器件
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有机薄膜材料的电致发光 被引量:5
15
作者 王薇 丁小平 孟广政 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期219-221,共3页
有机薄膜材料的电致发光具有低压直流驱动、高亮度、高效率、多色、可制成大面积等优点 ,近几年来取得突破性的进展引起了越来越多的关注和兴趣。本文主要介绍了它的发展历程、器件的结构与材料。
关键词 有机薄膜材料 电致发光 发光机理 电致发光器件
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有机薄膜电致发光材料与器件研究进展 被引量:8
16
作者 李宏涛 宋晓秋 赵伟 《光学技术》 CAS CSCD 1999年第6期30-36,共7页
有机电致发光薄膜近年来得到了迅猛的发展,是未来平板式全固体彩色电视机的技术关键。本文介绍了国内外此项技术的发展。
关键词 电致发光 薄膜 材料 器件 有机薄膜
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纳米多孔二氧化硅薄膜的制备与表征 被引量:8
17
作者 王娟 冯坚 +1 位作者 杨大祥 张长瑞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期54-56,共3页
以正硅酸乙酯为原料,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜.适合匀胶的二氧化硅溶胶的粘度范围为9~15mPa·s;多孔二氧化硅薄膜表面均匀平整,其厚度为400~1000nm;折射率为... 以正硅酸乙酯为原料,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜.适合匀胶的二氧化硅溶胶的粘度范围为9~15mPa·s;多孔二氧化硅薄膜表面均匀平整,其厚度为400~1000nm;折射率为1.09~1.24;介电常数为1.5~2.5.该多孔二氧化硅薄膜具有三维网络结构,二氧化硅微粒直径为10~20nm. 展开更多
关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶 正硅酸 乙酯 低介电常数
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两亲8-氨基喹啉衍生物的空穴传输特性及LB膜电致发光器件 被引量:2
18
作者 欧阳健明 白钰 +5 位作者 谢瑜珊 李永舫 于贵 王师 刘云圻 朱道本 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第1期107-110,共4页
The three-layer electroluminescent ( EL ) devices were fabricated with two amphiphilic8-aminoquinoline derivatives ( H 2 A 12 and H 2 A 16 ) and one complex ( CuA 12 ) as hole transport Layer ( HTL ) .The structure of... The three-layer electroluminescent ( EL ) devices were fabricated with two amphiphilic8-aminoquinoline derivatives ( H 2 A 12 and H 2 A 16 ) and one complex ( CuA 12 ) as hole transport Layer ( HTL ) .The structure of this EL device was ITO/TPD/HTL/Alq 3 /Al,where HTL being Langmuir-Blodgett films and evaporated films.The hig hest luminance was621cd · m -2 .It were proved that the transport efficiency of H 2 A 16 in LB film was180%higher than that of H 2 A 16 in evaporated film;H 2 A 12 in LB film was320%higher than that of H 2 A 16 in LB film and172%higher than that of CuA 12 in LB film. 展开更多
关键词 8-氨基喹啉衍生物 空穴传输材料 电致发光器件 LB膜 制备
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有机电致发光材料 被引量:6
19
作者 邱勇 胡晓明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期56-59,共4页
有机电致发光是近年来国际上的一个研究热点。有机电致发光器件具有低压驱动、高亮度、高效率以及能实现大面积彩色显示等优点。在介绍有机电致发光器件的结构和发光原理的基础上,重点介绍了目前用于有机电致发光的各类有机小分子材料... 有机电致发光是近年来国际上的一个研究热点。有机电致发光器件具有低压驱动、高亮度、高效率以及能实现大面积彩色显示等优点。在介绍有机电致发光器件的结构和发光原理的基础上,重点介绍了目前用于有机电致发光的各类有机小分子材料和高分子材料。 展开更多
关键词 电致发光器件 有机薄膜 高分子材料 EL材料
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High-k材料研究进展与存在的问题 被引量:3
20
作者 杨雪娜 王弘 +4 位作者 张寅 姚伟峰 尚淑霞 周静涛 刘延辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期731-735,共5页
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基... 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性。本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题。目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求。但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料。 展开更多
关键词 High-k材料 介电常数 势垒高度 热稳定性 薄膜形态 界面质量 栅介质材料 半导体材料
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