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Characteristics and Temperature Measurement of a Non-Transferred Cascaded DC Plasma Torch 被引量:3
1
作者 B.BORA N.AOMOA M.KAKATI 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第2期181-187,共7页
Dependence of the current-voltage characteristics of a non-transferred DC cascaded plasma torch used for nanoparticle synthesis, on the plasma current and the plasma argon gas flow rate are reported in this paper. The... Dependence of the current-voltage characteristics of a non-transferred DC cascaded plasma torch used for nanoparticle synthesis, on the plasma current and the plasma argon gas flow rate are reported in this paper. The potential structure inside the torch and its dependence on the plasma current and gas flow rate are also investigated. The arc voltage is seen to exhibit negative characteristic for a current below 150 A and positive characteristic above that current value. The voltage drop near the electrodes is found to decrease with the increase in plasma current. 25~ of the total voltage is dropped near the cathode at a plasma current of 50 A and a argon plasma gas flow rate of 10 liter per minute (LPM), and it decreases to 12% with the current increasing to 300 A, and to 17% with a gas flow rate of 25 LPM. The variation in the torch efficiency with the gas flow rate and plasma current is also reported. The efficiency of the torch is found to be between 36% and 48%. In addition, the plasma gas temperature at various positions of the reactor and for different currents and voltages are measured by calorimetric estimation with a heat balance technique. 展开更多
关键词 dc plasma torch current voltage characteristics thermal efficiency temper- ature measurements
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直流电弧等离子体炬数值模拟与诊断
2
作者 师浩阳 王平阳 王淑 《上海航天(中英文)》 CSCD 2024年第1期122-129,共8页
直流电弧等离子体炬内部物理过程复杂且具动态性,较难对其进行准确描述与深入研究,且其工作温度较高,其状态参数难以使用常规方式测量。针对直流电弧等离子体炬,建立流动、传热和电磁相互耦合的数值模型,基于Fluent软件对直流电弧等离... 直流电弧等离子体炬内部物理过程复杂且具动态性,较难对其进行准确描述与深入研究,且其工作温度较高,其状态参数难以使用常规方式测量。针对直流电弧等离子体炬,建立流动、传热和电磁相互耦合的数值模型,基于Fluent软件对直流电弧等离子体炬进行三维数值模拟和特性分析,设计并搭建了一套热焓探针实验系统,完成对直流电弧等离子体炬射流参数的测量分析。结果表明:建立的数值模型模拟结果与实验测量结果吻合较好,误差在10%以内;炬内温度与速度最大值与工作气流量呈正相关,均出现在靠近阴极区域,且沿轴线逐渐降低;等离子体炬内高温区与高电流密度区重合。 展开更多
关键词 直流等离子体炬 热焓探针 多物理场耦合 数值模拟 参数诊断
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在DC-PCVD阴阳极上沉积氮化硅薄膜
3
作者 杨川 吴大兴 +1 位作者 高国庆 周海 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期615-618,共4页
置于直流等离子体化学气相沉积(DCPCVD)装置的阴极或阳极的20、20Cr、GCr15及2Cr13钢,以及单晶硅材料的试样均可沉积获得以Si3N4成分为主要成分的非晶态的绝缘薄膜。这种膜有一定制作条件,讨论了阴阳... 置于直流等离子体化学气相沉积(DCPCVD)装置的阴极或阳极的20、20Cr、GCr15及2Cr13钢,以及单晶硅材料的试样均可沉积获得以Si3N4成分为主要成分的非晶态的绝缘薄膜。这种膜有一定制作条件,讨论了阴阳极上试样都能获得这种膜的原因。 展开更多
关键词 化学气相沉积 dc-PCVD 薄膜 氮化硅
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直流电弧等离子体炬的数值模拟 被引量:1
4
作者 彭蠡 王平阳 王建维 《上海航天(中英文)》 CSCD 2023年第4期73-79,共7页
等离子体炬内部的物理场是影响等离子体性能及等离子体炬设计等方向的重要信息。受等离子体炬内部小空间、高能量密度及高电荷密度等因素的影响,无法通过常规手段进行测量。为了得到等离子体炬内部的温度、速度场分布情况,本文使用COMSO... 等离子体炬内部的物理场是影响等离子体性能及等离子体炬设计等方向的重要信息。受等离子体炬内部小空间、高能量密度及高电荷密度等因素的影响,无法通过常规手段进行测量。为了得到等离子体炬内部的温度、速度场分布情况,本文使用COMSOL建立了一台30 kW直流等离子体炬的二维轴对称模型。为了验证模型的可靠性,搭建了包括等离子电源、等离子体炬在内的实验平台,并使用热焓探针对该等离子体炬出口处的温度场进行诊断。将等离子体炬的模拟结果与实验测得的数据进行对比,发现模拟结果能够较好的吻合实际情况。改变模型阴极的电流输入,对等离子体炬内部的流场及温度场变化情况进行了系统模拟研究,得出了等离子体炬内部的发展模式,以及热量传递的薄弱点,可以为今后等离子体炬的优化方向提供参考。 展开更多
关键词 等离子体 直流等离子体炬 热焓探针 温度诊断 数值模拟
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外部磁场对直流电弧等离子体放电特性的影响及其机理 被引量:15
5
作者 胡明 万树德 +2 位作者 夏洋洋 任真诚 邱志坚 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1655-1660,共6页
通过外部磁场驱动电弧旋转产生相对均匀的等离子体是一种可能的改进等离子体放电特性的有效手段。利用高速摄像技术和虚拟仪器技术,观察并测量了大气条件下、非均匀磁场驱动的直流电弧等离子体阳极弧根运动以及电弧电压波动。结果发现:... 通过外部磁场驱动电弧旋转产生相对均匀的等离子体是一种可能的改进等离子体放电特性的有效手段。利用高速摄像技术和虚拟仪器技术,观察并测量了大气条件下、非均匀磁场驱动的直流电弧等离子体阳极弧根运动以及电弧电压波动。结果发现:相比无外部磁场,非均匀外部磁场驱动下的直流电弧等离子体在旋转力和稳弧力的作用下阳极弧根旋转,均匀性提高;其电弧电压波动幅度增大,放电模式发生改变;伏安特性曲线向上平移,电弧等离子体炬放电功率提高。另外,由于等离子体射流的高速运动而引起的等离子体射流在喷口处径向扩张,使等离子体射流横截面扩大,进一步提高了射流的均匀性。从结果中可以看出,外部磁场改善了直流电弧等离子体炬的基本特性,对直流电弧等离子体炬应用效率的提高具有重要的意义。 展开更多
关键词 直流电弧等离子体炬 外部磁场驱动 旋转阳极弧根 电弧电压波动 伏安特性曲线 等离子体射流
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类金刚石膜结构的红外分析 被引量:8
6
作者 程宇航 吴一平 +3 位作者 陈建国 乔学亮 谢长生 孙育斌 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期508-512,共5页
采用直流-射频等离子化学气相沉积方法制备出类金刚石薄膜,用Fourier透射谱和吸收谱对类金刚石膜的结构进行了研究.类金刚石膜中大部分碳原子以sp3组态存在.结合在膜中的氢原子与碳原子之间可形成sp3C—CH2,sp... 采用直流-射频等离子化学气相沉积方法制备出类金刚石薄膜,用Fourier透射谱和吸收谱对类金刚石膜的结构进行了研究.类金刚石膜中大部分碳原子以sp3组态存在.结合在膜中的氢原子与碳原子之间可形成sp3C—CH2,sp3C—CH3和sp2C—CH2基,其含量以sp3C—CH2基为主.增加Ar气分压与提高极板负偏压对类金刚石膜结构产生的影响是相似的,增大极板负偏压或Ar气的含量将减小类金刚石膜中sp3/sp2比值和H的含量以及CH2基的含量,同时增加薄膜的交联,减少聚合相的含量. 展开更多
关键词 类金刚石薄膜 结构 红外光谱 气相沉积
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强电流直流扩展弧金刚石沉积技术的研究 被引量:2
7
作者 刘素田 黑立富 +2 位作者 耿春雷 唐伟忠 吕反修 《表面技术》 EI CAS CSCD 2006年第3期42-44,共3页
采用自行研制的Q-500金刚石涂层沉积设备,同时采用两种不同结构的等离子体炬对经酸碱二步法处理后的硬质合金钻杆(YF06)分别进行了金刚石涂层的沉积,并对沉积后的样品表面进行了分析和研究。初步的研究结果表明:等离子体炬的结构对金刚... 采用自行研制的Q-500金刚石涂层沉积设备,同时采用两种不同结构的等离子体炬对经酸碱二步法处理后的硬质合金钻杆(YF06)分别进行了金刚石涂层的沉积,并对沉积后的样品表面进行了分析和研究。初步的研究结果表明:等离子体炬的结构对金刚石涂层的沉积影响很大,改进前的等离子体炬所产生的弧柱不稳,导致沉积温度波动幅度大,而改进后的等离子体炬能产生稳定的弧柱,沉积温度变化不大并且沉积的金刚石涂层具有大面积、均匀性好和高质量的特点。 展开更多
关键词 强电流直流扩展弧 等离子体炬 改进 金刚石涂层 均匀性
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针—菌液电晕放电与辉光放电实现等离子体灭菌 被引量:2
8
作者 贺珍珍 蒋林秀 +3 位作者 陈彦伶 邓敏超 蒋永荣 李华 《传感器与微系统》 CSCD 2018年第8期94-96,共3页
为满足医疗器械的灭菌要求,采用直流(DC)放电设计了一种针—菌液等离子体消毒灭菌装置。在大气压环境、室温、无外部通入气流的条件下,由0^-20 000 V可调的直流负高压电源驱动,镇流电阻值12 MΩ,测试电阻值1 kΩ,在电压为-5 k V和-9.6 ... 为满足医疗器械的灭菌要求,采用直流(DC)放电设计了一种针—菌液等离子体消毒灭菌装置。在大气压环境、室温、无外部通入气流的条件下,由0^-20 000 V可调的直流负高压电源驱动,镇流电阻值12 MΩ,测试电阻值1 kΩ,在电压为-5 k V和-9.6 k V时分别产生了电晕和辉光放电。放电装置中1 mm钨针接负高压,1 00μL菌液接地。实验表明:在相同条件下,相较电晕放电,辉光放电的灭菌效果更好,且可在60 s内杀灭大肠杆菌和金黄色葡萄球菌。 展开更多
关键词 直流放电 等离子体 消毒灭菌
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沉积温度对类金刚石涂层表面形貌和性能的影响 被引量:2
9
作者 纪锡旺 郝俊文 +3 位作者 许振华 何利民 何志宏 甄洪滨 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期40-45,共6页
采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术,在不同温度下于YG8硬质合金基体上沉积了类金刚石(DLC)涂层,探讨了沉积温度对DLC涂层结构、表面形貌、厚度、显微硬度、耐磨损性能以及界面结合性能的影响。结果表明:随着沉积温度的升... 采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术,在不同温度下于YG8硬质合金基体上沉积了类金刚石(DLC)涂层,探讨了沉积温度对DLC涂层结构、表面形貌、厚度、显微硬度、耐磨损性能以及界面结合性能的影响。结果表明:随着沉积温度的升高,DLC涂层中sp3键的比例呈先增大后减小的趋势,并在160℃达到最大,为69%;沉积温度过高将导致DLC涂层出现石墨化;DLC涂层的厚度、显微硬度、耐磨损性能、界面结合力均随沉积温度的升高呈先增大后减小的趋势,当沉积温度为160℃时,涂层表面平整光滑、致密,此时涂层的厚度、显微硬度和界面结合力均达到最大,分别为3.2μm、2 395HV和63N;DLC涂层的显微硬度、抗磨损能力、厚度和界面结合强度随沉积温度的变化规律与sp3键含量密切相关。 展开更多
关键词 直流等离子体增强化学气相沉积技术 类金刚石涂层 沉积温度
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Optical emission spectroscopy diagnosis of energetic Ar ions in synthesis of SiC polytypes by DC arc discharge plasma 被引量:4
10
作者 Jian Gao Lei Zhou +7 位作者 Jingshuang Liang Ziming wang Yue Wu Javid Muhammad Xinglong Dong Shouzhe Li Hongtao yu Xie Quan 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第3期1470-1481,共12页
Silicon carbides are basilic ceramics with proper bandgaps (2.4-3.3 eV) and unique optical properties. SiC@C monocrystal nanocapsules with different morphologies, sizes, and crystal types were synthesized via the fa... Silicon carbides are basilic ceramics with proper bandgaps (2.4-3.3 eV) and unique optical properties. SiC@C monocrystal nanocapsules with different morphologies, sizes, and crystal types were synthesized via the fast and facile direct current (DC) arc discharge plasma method. The influence of Ar atmosphere on the formation of nanocrystal SiC polytypes was investigated by optical emission spectroscopy (OES) diagnoses on the arc discharge plasma. Boltzmann's plot was used to estimate the temperatures of plasma containing different Ar concentrations as 10,582 K (in 2 × 10^4 Pa of Ar partial pressure) and 14,523 K (in 4 × 10^4 Pa of Ar partial pressure). It was found that higher energy state of plasma favors the ionization of carbon atoms and promotes the formation of α-SiC, while β-SiC is generally coexistent. Heat-treatment in air was applied to remove the carbon species in as-prepared SiC nanopowders. Thus, the intrinsic characters of SiC polytypes reappeared in the ultraviolet-visible (UV-vis) light absorbance. It was experimentally revealed that the direct bandgap of SiC is 5.72 eV, the indirect bandgap of β-SiC (3C) is 3.13 eV, and the indirect bandgap of α-SiC (6H) is 3.32 eV; visible quantum confinement effect is predicted for these polytypic SiC nanocrystals. 展开更多
关键词 SiC polytype NANOSTRUCTURES direct current dc arcdischarge plasma optical emission spectroscopy(OES)
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CVD金刚石自支撑膜的研究进展 被引量:18
11
作者 刘金龙 安康 +4 位作者 陈良贤 魏俊俊 唐伟忠 吕反修 李成明 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期1-10,共10页
金刚石膜以其最高的硬度、热导率、热震性能以及极高的强度等优点得到了越来越多的关注。自20世纪低压化学气相沉积技术成功制备出金刚石以来,在世界范围内,金刚石的制备技术及应用研究得到了快速发展。分别对国内外自支撑金刚石膜材料... 金刚石膜以其最高的硬度、热导率、热震性能以及极高的强度等优点得到了越来越多的关注。自20世纪低压化学气相沉积技术成功制备出金刚石以来,在世界范围内,金刚石的制备技术及应用研究得到了快速发展。分别对国内外自支撑金刚石膜材料的制备技术及相关应用进行简要介绍,并讨论近几年我国在高质量金刚石膜材料制备技术方面取得的进展。目前主要的制备技术有热丝、直流辅助等离子体、直流电弧等离子体喷射、微波等离子体化学气相沉积(CVD)等方法。在小尺寸、高质量金刚石膜的制备技术基础上,21世纪初,国外几大技术强国先后宣布实现了大面积、高质量CVD金刚石膜的制备,并将其用于诸如红外光学窗口等高技术领域。我国也在CVD金刚石膜研发方面不断进步,先后掌握了热丝、直流电弧等离子体喷射、直流辅助等离子体CVD等合成大面积金刚石自支撑膜技术,近几年也掌握了915 MHz微波等离子体CVD技术,这些成果也标志着我国在高质量金刚石膜制备技术领域跟上了世界先进水平。 展开更多
关键词 化学气相沉积 热丝化学气相沉积 直流辅助等离子体化学气相沉积 直流电弧等离子体化学气相沉积 微波等离子体化学气相沉积 自支撑金刚石膜
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单斜ZnP_(2)负极材料的锂化机理及性能 被引量:2
12
作者 毕文超 张琳锋 +3 位作者 陈健 田瑞雪 黄昊 姚曼 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第6期756-764,共9页
过渡金属磷化物电位低且比容量高,是有发展前景的锂离子电池(LIBs)负极材料.其中,ZnP_(2)属于双活性负极材料,Zn与P都能与Li^(+)发生反应,储Li^(+)性能更具有竞争力.但是,对于ZnP_(2)的锂化机理及产物尚不明确.采用第一性原理计算和电... 过渡金属磷化物电位低且比容量高,是有发展前景的锂离子电池(LIBs)负极材料.其中,ZnP_(2)属于双活性负极材料,Zn与P都能与Li^(+)发生反应,储Li^(+)性能更具有竞争力.但是,对于ZnP_(2)的锂化机理及产物尚不明确.采用第一性原理计算和电化学测试方法研究了ZnP_(2)的电子性质和电化学性能,通过理论计算和实验测试相结合阐述了ZnP_(2)的锂化机制.首先,以密度泛函理论(DFT)计算揭示了ZnP_(2)的锂化机理、Li^(+)扩散路径、势垒和理论比容量(1477 mAh/g).其次,通过直流电弧等离子体法及固相烧结法合成ZnP_(2),并测试其首圈放电曲线,显示放电容量为1439 mAh/g,与理论计算结果相近.此外,薄膜X射线衍射(XRD)检测最终产物成分为LiZn和Li3P,与DFT计算结果一致. 展开更多
关键词 LIBS 负极材料 DFT 直流电弧等离子体法 锂化机制
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