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Direct current hopping conductance in one-dimensional diagonal disordered systems
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作者 马松山 徐慧 +1 位作者 刘小良 肖剑荣 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第1期190-194,共5页
Based on a tight-binding disordered model describing a single electron band, we establish a direct current (de) electronic hopping transport conductance model of one-dimensional diagonal disordered systems, and also... Based on a tight-binding disordered model describing a single electron band, we establish a direct current (de) electronic hopping transport conductance model of one-dimensional diagonal disordered systems, and also derive a dc conductance formula. By calculating the dc conductivity, the relationships between electric field and conductivity and between temperature and conductivity are analysed, and the role played by the degree of disorder in electronic transport is studied. The results indicate the conductivity of systems decreasing with the increase of the degree of disorder, characteristics of negative differential dependence of resistance on temperature at, low temperatures in diagonal disordered systems, and the conductivity of systems decreasing with the increase of electric field, featuring the non-Ohm's law conductivity. 展开更多
关键词 direct current hopping conductivity diagonal disordered systems the degree of disorder
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一维二元非对角关联无序体系交流跳跃电导特性 被引量:3
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作者 马松山 徐慧 +1 位作者 李燕峰 张鹏华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期5394-5399,共6页
在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元非对角关联无序体系电子跳跃输运交流电导模型,并推导了其交流电导公式,通过计算其交流电导率,探讨了格点能量无序度、格点原子组分、非对角关联及温度、外场对体系交流跳跃电导的影响.计... 在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元非对角关联无序体系电子跳跃输运交流电导模型,并推导了其交流电导公式,通过计算其交流电导率,探讨了格点能量无序度、格点原子组分、非对角关联及温度、外场对体系交流跳跃电导的影响.计算结果表明,一维二元非对角关联无序体系的交流电导率随格点能量无序度的增大而减小.同时,体系中两种原子的组分的变化实际代表着体系成分无序程度的变化,因而对其交流电导率的影响很大,表现为随A类原子含量p的增加而先减小后增大.当引入非对角关联时,体系出现退局域化现象,电子波函数由局域态向扩展态发展,从而使体系的交流电导率大于Anderson模型情况下体系的电导率.此外,温度对一维二元非对角关联无序体系的电子输运的影响表现为体系的交流电导率随温度的升高而减小,而外加交变电场对体系交流电导率的影响表现为随外场频率的升高而增大很快. 展开更多
关键词 二元无序体系 交流跳跃电导 格点能量无序度 非对角关联
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一维二元非对角关联无序体系跳跃电导特性 被引量:1
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作者 马松山 徐慧 +1 位作者 刘小良 王焕友 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期2852-2857,共6页
在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元关联无序体系电子跳跃输运直流电导模型,并推导了其直流电导公式,通过计算其直流电导率,探讨了格点能量无序度、非对角关联及温度、外场对体系跳跃电导的影响.计算结果表明,一维二元无序体... 在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元关联无序体系电子跳跃输运直流电导模型,并推导了其直流电导公式,通过计算其直流电导率,探讨了格点能量无序度、非对角关联及温度、外场对体系跳跃电导的影响.计算结果表明,一维二元无序体系的直流电导率随着格点能量无序度的增大而减小;当引入非对角关联时,体系出现退局域化现象,从而使体系的直流电导率增大;温度对体系的电子输运的影响表现为体系的直流电导率随温度的升高而增大;在外加电场的调制下,体系的直流电导率在强场区随电场强度增加而增长很快,呈现出非欧姆定律特性,但在弱场区外场的作用不明显. 展开更多
关键词 二元无序体系 跳跃电导 格点能量无序度 非对角关联
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