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WSe2纳米结构的合成及减摩性能研究 被引量:4
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作者 刘艳清 张静 +3 位作者 吴钰涵 李长生 阎永胜 杨景海 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期452-457,共6页
将W粉和Se粉按一定比例混合,直接密封在石英管中加热或高能球磨、压片,在Ar气氛中加热,得到了不同形貌的WSe2纳米结构.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM、HRTEM)分析了WSe2纳米结构的组成、微观形貌和组... 将W粉和Se粉按一定比例混合,直接密封在石英管中加热或高能球磨、压片,在Ar气氛中加热,得到了不同形貌的WSe2纳米结构.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM、HRTEM)分析了WSe2纳米结构的组成、微观形貌和组织形态;利用UMT-2摩擦试验机考察了WSe2作为HVI500液体基础油添加剂的摩擦磨损性能.研究结果表明:直接密封加热得到的产物为棒状WSe2纳米材料,最小棒直径为6 nm;球磨、压片后加热得到WSe2纳米颗粒,颗粒的平均尺寸在50 nm以下,二者都具有层状结构和良好的结晶性.添加质量分数5%的WSe2纳米材料作为基础油添加剂能够显著降低摩擦系数,减少磨损,增强了材料抗疲劳磨损能力. 展开更多
关键词 固相反应 wse2纳米结构 润滑油添加剂 摩擦 磨损
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WS2/WSe2异质结层间相互作用的光谱研究 被引量:3
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作者 黄佳欣 谢师禹 +3 位作者 程学瑞 李元元 胡传圣 戚泽明 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期452-457,共6页
原子级厚度的过渡金属硫化物二维材料具有独特的电子和光学性质,当将其构筑成原子层异质结时,由于层间耦合作用和界面电荷传递,导致产生新的光学性质,在光电器件方面具有重要的潜在应用.利用机械剥离法制备了WS 2/WSe 2异质结,通过变温... 原子级厚度的过渡金属硫化物二维材料具有独特的电子和光学性质,当将其构筑成原子层异质结时,由于层间耦合作用和界面电荷传递,导致产生新的光学性质,在光电器件方面具有重要的潜在应用.利用机械剥离法制备了WS 2/WSe 2异质结,通过变温拉曼光谱和变温光致发光光谱,研究了异质结中的层间相互作用和界面电荷传递.从拉曼光谱和光致发光光谱上观测到了层间声子和层间激子的存在,表明WS 2和WSe 2构成的异质结中存在明显的层间相互作用.由于WS 2和WSe 2形成II型能带排列,电子从WSe 2向WS 2转移,显著影响带电激子和中性激子发光强度. 展开更多
关键词 硫化钨 硒化钨 异质结 拉曼光谱 光致发光光谱 激子
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单层WSe2、MoSe2激子发光的压力诱导K-Λ交互转变 被引量:1
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作者 付鑫鹏 周强 +2 位作者 秦莉 李芳菲 付喜宏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1647-1653,共7页
采用机械剥离法在金刚石对顶砧中制备了单层WSe_2和MoSe_2样品,利用高压微区荧光光谱测量技术,在氩传压介质环境下对其激子发光行为进行了高压调控研究。其中单层WSe_2的中性和负电激子演化趋势在2. 43 GPa处出现拐点,单层MoSe_2中性激... 采用机械剥离法在金刚石对顶砧中制备了单层WSe_2和MoSe_2样品,利用高压微区荧光光谱测量技术,在氩传压介质环境下对其激子发光行为进行了高压调控研究。其中单层WSe_2的中性和负电激子演化趋势在2. 43 GPa处出现拐点,单层MoSe_2中性激子发光在3. 7 GPa处发生了劈裂。结合第一性原理计算分析,确认该不连续现象的产生机制为压力诱导的导带底K-Λ交互转变。该结果可以扩大至整个二维层状材料体系,为发展激子器件垫定基础。 展开更多
关键词 单层wse2 单层MoSe2 金刚石对顶砧 激子
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单层与双层WSe2纳米片层的光致发光 被引量:1
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作者 杜晓雷 吕燕伍 江潮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期513-518,共6页
采用气相沉积法制备了WSe2二维纳米材料,对其低温光致发光谱进行了研究。结果表明:随着WSe2层数的增加,其光致发光强度单调下降;当WSe2层数从单层增加为双层时,其发光强度急剧下降,表明其能带结构已从直接带隙转变为间接带隙。进一步研... 采用气相沉积法制备了WSe2二维纳米材料,对其低温光致发光谱进行了研究。结果表明:随着WSe2层数的增加,其光致发光强度单调下降;当WSe2层数从单层增加为双层时,其发光强度急剧下降,表明其能带结构已从直接带隙转变为间接带隙。进一步研究了双层WSe2的变温光致发光谱,发现随着温度的升高,双层WSe2发光峰中A峰峰位的变化基本符合半导体带隙的温度变化规律,而I峰峰位红移与温度基本成线性关系,表明双层WSe2同时存在间接和直接跃迁,且直接跃迁和间接跃迁特性不同。 展开更多
关键词 二维纳米片层结构 wse2 光致发光谱 光谱红移
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稀土元素Er掺杂提高WSe2纳米薄膜的光电特性 被引量:1
5
作者 朱静怡 丁馨 +1 位作者 张晓渝 马锡英 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第12期992-997,1027,共7页
采用热蒸发法在Si片上沉积稀土元素Er掺杂的WSe2薄膜,研究了Er^3+掺杂对WSe2薄膜表面形貌、晶体结构﹑光致发光光谱、光吸收特性和电学特性的影响。研究发现薄膜在(004)晶面呈柱状择优生长,Er^3+掺杂不仅没有改变WSe2的晶体结构,还使薄... 采用热蒸发法在Si片上沉积稀土元素Er掺杂的WSe2薄膜,研究了Er^3+掺杂对WSe2薄膜表面形貌、晶体结构﹑光致发光光谱、光吸收特性和电学特性的影响。研究发现薄膜在(004)晶面呈柱状择优生长,Er^3+掺杂不仅没有改变WSe2的晶体结构,还使薄膜结晶性显著增强,提高了光吸收特性,明显增加了光致发光强度。同时发现Er^3+掺杂WSe2薄膜的电子迁移率为未掺杂的4倍多。当光照强度由0增加到25 mW/cm^2时,Er^3+掺杂的WSe2/Si异质结的Ⅰ-Ⅴ曲线由整流特性逐步变成线性,相同偏压下光电流增加了约3倍,并且光电导灵敏度也明显增加。随着加热温度的升高,电导显著增大,电阻表现负温度系数。表明WSe2/Si异质结对温度和光强具有非常高的灵敏度,在高效率的温度传感器和光电探测器等方面有良好的应用前景。 展开更多
关键词 硒化钨(wse2) Er3+掺杂 纳米薄膜 热蒸发法 异质结 光电特性
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Room-temperature sputtered electrocatalyst WSe2 nanomaterials for hydrogen evolution reaction 被引量:4
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作者 Jae Hyeon Nam Myeong Je Jang +4 位作者 Hye Yeon Jang Woojin Park Xiaolei Wang Sung Mook Choi Byungjin Cho 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第8期107-111,I0004,共6页
The low-temperature physical vapor deposition process of atomically thin two-dimensional transition metal dichalcogenide(2D TMD) has been gaining attention owing to the cost-effective production of diverse electrochem... The low-temperature physical vapor deposition process of atomically thin two-dimensional transition metal dichalcogenide(2D TMD) has been gaining attention owing to the cost-effective production of diverse electrochemical catalysts for hydrogen evolution reaction(HER) applications. We, herein, propose a simple route toward the cost-effective physical vapor deposition process of 2D WSe2 layered nanofilms as HER electrochemical catalysts using RF magnetron sputtering at room temperature(<27℃). By controlling the variable sputtering parameters, such as RF power and deposition time, the loading amount and electrochemical surface area(ECSA) of WSe2 films deposited on carbon paper can be carefully determined. The surface of the sputtered WSe2 films are partially oxidized, which may cause spherical-shaped particles. Regardless of the loading amount of WSe2, Tafel slopes of WSe2 electrodes in the HER test are narrowly distributed to be ~120–138 mV dec-1, which indicates the excellent reproducibility of intrinsic catalytic activity. By considering the trade-off between the loading amount and ECSA, the best HER performance is clearly observed in the 200 W-15 min sample with an overpotential of 220 mV at a current density of 10 mA cm-2. Such a simple sputtering method at low temperature can be easily expanded to other 2D TMD electrochemical catalysts, promising potentially practical electrocatalysts. 展开更多
关键词 Two dimensional nanomaterials Sputtering wse2 nanofilm ELECTROCATALYST Hydrogen evolution reaction
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固相烧结合成WSe2纳米棒的微观形貌及摩擦学性能
7
作者 池雯 王欢 +1 位作者 施琴 李长生 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期56-60,共5页
将钨粉和硒粉按物质的量比为1∶2.2混合并球磨后,再在600~800℃进行固相烧结合成了纳米WSe2,对其微观形貌进行表征;然后将在600℃合成的WSe2纳米棒作为润滑油添加剂加入到HVI500基础油中,研究了它的摩擦学性能。结果表明:在700,800℃... 将钨粉和硒粉按物质的量比为1∶2.2混合并球磨后,再在600~800℃进行固相烧结合成了纳米WSe2,对其微观形貌进行表征;然后将在600℃合成的WSe2纳米棒作为润滑油添加剂加入到HVI500基础油中,研究了它的摩擦学性能。结果表明:在700,800℃合成的纳米WSe2为片状,在600℃合成的纳米WSe2为棒状,该纳米棒的直径约为500nm,长约为800nm;与HVI500基础油相比,2%WSe2纳米棒+HVI500基础油的摩擦因数约降低了40%,具有较好的减摩作用。 展开更多
关键词 wse2纳米棒 摩擦学性能 固相烧结反应
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Single photon-chiral phonon entanglement in monolayer WSe2 被引量:1
8
作者 Jun Zhang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2019年第7期14-15,共2页
Entanglement is a defining feature of quantum physics with no classical analog. On the one hand, it is a powerful concept used in the fundamental study of quantum systems, many-body physics and even black hole physics... Entanglement is a defining feature of quantum physics with no classical analog. On the one hand, it is a powerful concept used in the fundamental study of quantum systems, many-body physics and even black hole physics. On the other hand, it is a key resource in quantum communication and information processing. Entanglement has been realized between photons[1], ions[2], spins[3], quantum dots[4] and even larger objects such as macroscopic diamonds[5]. Entanglement involving macroscopic objects is particularly intriguing and holds promise for novel quantum technologies. In a recent paper[6] published in Nature Physics, Srivastava and coworkers have unveiled an intriguing entanglement between collective and macroscopic vibration involving billions of atoms of the crystal (phonon) and a single optical excitation of a quantum dot (QD) in monolayer WSe2 (Fig. 1(a)). This is the first report on single photon entangled with phonon. 展开更多
关键词 MONOLAYER wse2 PHONON ENTANGLEMENT
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尺寸效应对MoS2/WSe2范德华异质结构层间与俄歇复合的界面调控 被引量:1
9
作者 谭仕林 尹顺达 欧阳钢 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期682-688,共7页
为探索界面工程对二维材料范德华异质结构中载流子复合率的影响,本工作基于界面键弛豫理论和费米黄金定则,建立了范德华异质结俄歇和层间复合率与各结构组元尺寸之间的理论模型。结果表明,MoS2/WSe2异质结的俄歇复合寿命随着组元尺寸的... 为探索界面工程对二维材料范德华异质结构中载流子复合率的影响,本工作基于界面键弛豫理论和费米黄金定则,建立了范德华异质结俄歇和层间复合率与各结构组元尺寸之间的理论模型。结果表明,MoS2/WSe2异质结的俄歇复合寿命随着组元尺寸的增大而增加,且异质结的俄歇复合率远小于相应的单组元体系。在MoS2/WSe2双层异质结中引入薄h-BN插层后,体系的层间复合率和俄歇复合率随h-BN厚度的增加而分别呈现减小和增大的趋势;在组元处于单层MoS2和WSe2情况下,当界面插层h-BN厚度达到9.1 nm时,俄歇复合率将趋于5.3 ns^-1。该研究结果为二维过渡金属硫族化合物基异质结光电器件的优化设计提供了一种理论依据。 展开更多
关键词 MOS2 wse2 异质结 插层绝缘体 层间复合 俄歇复合
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First-principles analysis of phonon thermal transport properties of two-dimensional WS2/WSe2 heterostructures
10
作者 Zheng Chang Kunpeng Yuan +4 位作者 Zhehao Sun Xiaoliang Zhang Yufei Gao Xiaojing Gong Dawei Tang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第3期25-35,共11页
The van der Waals(vdW)heterostructures of bilayer transition metal dichalcogenide obtained by vertically stacking have drawn increasing attention for their enormous potential applications in semiconductors and insulat... The van der Waals(vdW)heterostructures of bilayer transition metal dichalcogenide obtained by vertically stacking have drawn increasing attention for their enormous potential applications in semiconductors and insulators.Here,by using the first-principles calculations and the phonon Boltzmann transport equation(BTE),we studied the phonon transport properties of WS2/WSe2 bilayer heterostructures(WS2/WSe2-BHs).The lattice thermal conductivity of the ideal WS2/WSe2-BHs crystals at room temperature(RT)was 62.98 W/mK,which was clearly lower than the average lattice thermal conductivity of WS2 and WSe2 single layers.Another interesting finding is that the optical branches below 4.73 THz and acoustic branches have powerful coupling,mainly dominating the lattice thermal conductivity.Further,we also noticed that the phonon mean free path(MFP)of the WS2/WSe2-BHs(233 nm)was remarkably attenuated by the free-standing monolayer WS2(526 nm)and WSe2(1720 nm),leading to a small significant size effect of the WS2/WSe2-BHs.Our results systematically demonstrate the low optical and acoustic phonon modes-dominated phonon thermal transport in heterostructures and give a few important guidelines for the synthesis of van der Waals heterostructures with excellent phonon transport properties. 展开更多
关键词 WS2/wse2 bilayer heterostructures thermal transport FIRST-PRINCIPLES Boltzmann transport equation
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前沿科研成果融入材料物理与化学实验教学设计——二维硒化钨的物理气相沉积法制备与电子器件 被引量:1
11
作者 马惠芳 《广东化工》 CAS 2023年第20期172-175,共4页
为满足社会发展的需求,培养创新型人才已成为我国的重要战略目标。材料物理与化学作为研究各种材料性能与微观结构关系的学科,专注于为高新技术材料的发展培养创新型人才。本文将前沿科研成果融入材料物理与化学实验教学的设计中。通过... 为满足社会发展的需求,培养创新型人才已成为我国的重要战略目标。材料物理与化学作为研究各种材料性能与微观结构关系的学科,专注于为高新技术材料的发展培养创新型人才。本文将前沿科研成果融入材料物理与化学实验教学的设计中。通过以二维硒化钨的物理气相沉积法制备与电子器件实验为例,使学生了解国际前沿热点研究领域,培养学生理论联系实际的能力,并塑造良好的科学文化素养。 展开更多
关键词 二维wse2 纳米片 电子器件 科技前沿 材料物理与化学实验
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锂硫电池中硒缺陷WSe_(2)催化性能的理论研究
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作者 胡平澳 张琪 张会茹 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期57-67,共11页
二硒化钨具有优异导电性、高比表面积和大间距层状结构等特点,能作为催化材料有效提升锂硫电池的性能;然而少量的边缘活性位点阻碍了其催化活性的进一步提升.通过引入原子空位制造表面缺陷,可使其暴露更多的表面活性位点,提高催化活性.... 二硒化钨具有优异导电性、高比表面积和大间距层状结构等特点,能作为催化材料有效提升锂硫电池的性能;然而少量的边缘活性位点阻碍了其催化活性的进一步提升.通过引入原子空位制造表面缺陷,可使其暴露更多的表面活性位点,提高催化活性.本文通过第一性原理计算考察了不同Se空位缺陷浓度(3.125%,6.25%,9.375%和12.5%)WSe_(2)表面的多硫化物吸附能力、锂离子迁移能力和多硫化物转化能力,探究了缺陷改性硒化钨在锂硫电池中的应用潜力.结果表明,6.25%中等空位缺陷浓度的WSe_(2)表面具有适中的多硫化物吸附能力、快速的锂离子迁移和对于充电放电过程的同步促进作用,是最优势的表面;3.125%的低空位缺陷WSe_(2)表面对于多硫化物吸附、锂离子迁移和充放电过程均不利;9.375%和12.5%的高空位缺陷WSe_(2)表面虽然有利于锂离子迁移,但是对于短链多硫化物的吸附能力过强,同时不利于放电过程. 展开更多
关键词 锂硫电池 二硒化钨 硒缺陷 催化作用 第一性原理
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基于SnSe_(2.37)薄膜材料的高性能近红外光电探测器
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作者 祝新发 孟宪成 +5 位作者 刘哲 贺彪 段伟帅 孙春 王蒙军 范超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第3期204-212,共9页
二维材料二硒化锡(SnSe_(2))具有高迁移率、高光吸收率和窄带隙的特点,被视为近红外(NIR)光电探测器的候选材料。然而SnSe_(2)在制备和生长的过程中会产生一定数量的硒空位,对SnSe_(2)近红外光电探测器的性能造成不利的影响。首先采用... 二维材料二硒化锡(SnSe_(2))具有高迁移率、高光吸收率和窄带隙的特点,被视为近红外(NIR)光电探测器的候选材料。然而SnSe_(2)在制备和生长的过程中会产生一定数量的硒空位,对SnSe_(2)近红外光电探测器的性能造成不利的影响。首先采用化学气相输运(CVT)法制备硒过量的二硒化锡(SnSe_(2.37))单晶,X射线光电子能谱(XPS)结果表明,Sn和Se的原子数比约为1∶2.37。然后通过机械剥离法从高品质的单晶上分离出横向尺寸为14μm×37μm且厚度为2 nm的SnSe_(2.37)薄膜材料。最后使用光刻图形转移法制备高性能的NIR光电探测器。经过测试,该NIR光电探测器对850 nm的近红外光表现出优异的光电探测性能,其中响应度可达2820 A·W^(-1),归一化探测率为1.02×10^(13)Jones,外量子效率为4.12×10^(5)%,响应时间为15 ms。 展开更多
关键词 二硒化锡(SnSe_(2)) 化学气相输运(CVT)法 光刻图形转移法 二维材料 近红外光电探测
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Regulating the conductance of tungsten diselenide by oxygen plasma and improving its electrical stability by encapsulation
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作者 Zhaofang Cheng Shaodan He +7 位作者 Shimin Zhang Shijun Duan Min Wang Ziyu Liu Rong Zhang Wenya Qiang Xudong Zhang Minggang Xia 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2024年第4期3253-3260,共8页
Two-dimensional(2D)tungsten selenide(WSe_(2))is promising candidate material for future electronic applications,owing to its potential for ultimate device scaling.For improving the electronic performance of WSe_(2)-ba... Two-dimensional(2D)tungsten selenide(WSe_(2))is promising candidate material for future electronic applications,owing to its potential for ultimate device scaling.For improving the electronic performance of WSe_(2)-based field-effect transistors(FETs),the modification of surface properties is essential.In this study,the seamless structural phase transition in WSe_(2) lattice is achieved by soft oxygen plasma,regulating the electrical conductance of WSe_(2)-based FETs.We found that during the soft oxygen plasma treatment with optimal processing time,the generated oxygen ions can substitute some selenium atoms and thus locally modify the bond length,inducing 2H→1T phase transition in WSe_(2) with seamless interfaces.The mosaic structures have been proven to tailor the electronic structure and increase the hole carrier concentration inside WSe_(2),significantly increasing the channel conductance of WSe_(2) FETs.With the further increase of the oxygen plasma treatment time,the creation of more selenium vacancy defects leads to the electronic doping,resulting in the reduction of conductance.Benefiting from the hexagonal boron nitride(h-BN)encapsulation to interrupt the partial structural relaxation from 1T to 2H phase,our WSe_(2) FET exhibits high electronic stability with conductance of 6.8×10^(-4) S,which is about four orders of magnitude higher than 2H WSe_(2)(5.8×10^(-8) S).This study could further broaden the WSe_(2) FETs in applications for functionalization and integration in electronics. 展开更多
关键词 tungsten selenide(wse2) structural phase transition oxygen plasma CONDUCTANCE hexagonal boron nitride(h-BN)encapsulation
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WSe_2纳米片的合成及其摩擦学性能研究 被引量:12
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作者 晋跃 李长生 +3 位作者 王木菊 唐华 李国伟 陈娟 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期646-651,共6页
利用固相反应法在真空石英管中制备出了具有无机类纳米片层状结构的WSe2。对所合成的纳米材料分别用扫描电子显微镜、透射电子显微镜进行表征并对生长机理进行了分析;将其以不同质量分数分散到基础油HVI750中,利用摩擦磨损试验机及非接... 利用固相反应法在真空石英管中制备出了具有无机类纳米片层状结构的WSe2。对所合成的纳米材料分别用扫描电子显微镜、透射电子显微镜进行表征并对生长机理进行了分析;将其以不同质量分数分散到基础油HVI750中,利用摩擦磨损试验机及非接触式光学轮廓仪初步研究了其摩擦学性能,并通过测量摩擦副接触表面间油膜电阻监测其摩擦表面的成膜情况。结果显示生成物中含有两种尺度的六边形WSe2纳米形貌;含2%(质量比)WSe2润滑油添加剂的油样相对于基础油HVI750在载荷2 N,转速400 r/min,摩擦半径7 mm,实验时间30 min条件下的减摩(摩擦系数0.083)耐磨(比磨损率9.008×10-6mm3.m-1.N-1)性能较佳,平均油膜电阻为95.28 kΩ。因此得出WSe2做润滑油添加剂具有较好减摩抗磨性能,摩擦机理被提出。 展开更多
关键词 真空石英管 固相反应 wse2纳米结构 油膜电阻 摩擦学性能
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碘催化的2-炔基苯胺与二硒醚的亲电环化反应
16
作者 陶李明 刘文奇 +2 位作者 周芸 李爱桃 刘卉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1423-1427,共5页
研究了碘催化的2-炔基苯胺与二硒醚的亲电环化反应.结果表明,在碘单质(0.2 mmol)、2-炔基苯胺(0.2 mmol)、二硒醚(0.1 mmol)和甲苯(2 mL)共存体系中,反应温度为110℃时,2-炔基苯胺与二硒醚能发生亲电环化反应,生成相应的3-硒取代吲哚化... 研究了碘催化的2-炔基苯胺与二硒醚的亲电环化反应.结果表明,在碘单质(0.2 mmol)、2-炔基苯胺(0.2 mmol)、二硒醚(0.1 mmol)和甲苯(2 mL)共存体系中,反应温度为110℃时,2-炔基苯胺与二硒醚能发生亲电环化反应,生成相应的3-硒取代吲哚化合物,产率为中等到良好.该反应在无金属催化的条件下进行,为合成官能团吲哚提供了一种新途径. 展开更多
关键词 2-炔基苯胺 二硒醚 亲电环化反应
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Cr和Mo掺杂对单层WSe_2能带结构影响的第一性原理研究
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作者 李伟 冀圆圆 +1 位作者 戴宪起 王天兴 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期10058-10061,共4页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构的影响。计算结果表明,Mo对单层WSe2的能带结构没有影响,而Cr则影响很大。随着掺杂浓度的增加,带隙宽度逐渐减小,能带由原来的直接带隙变为了间接... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构的影响。计算结果表明,Mo对单层WSe2的能带结构没有影响,而Cr则影响很大。随着掺杂浓度的增加,带隙宽度逐渐减小,能带由原来的直接带隙变为了间接带隙。Cr掺杂后所产生的应力是导致能带结构发生变化的直接原因。 展开更多
关键词 掺杂 第一性原理 wse2 Cr Mo 能带结构
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氢氧化铯催化二芳基二硫醚与端炔反应研究
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作者 许新华 邵玲玲 +2 位作者 邹康兵 李若信 方大为 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期54-56,共3页
以3-甲氧基丙炔与二苯基二硫醚的反应作为模型.探讨反应条件对反应结果的影响.实验表明以THF作溶剂,在0℃以下,不论是在空气氛中或在氮气氛中反应,都产生3-甲氧基丙炔基苯基硫醚与(Z)-1,2-二苯硫基烯的混合物,总收率约40%.在室温、空气... 以3-甲氧基丙炔与二苯基二硫醚的反应作为模型.探讨反应条件对反应结果的影响.实验表明以THF作溶剂,在0℃以下,不论是在空气氛中或在氮气氛中反应,都产生3-甲氧基丙炔基苯基硫醚与(Z)-1,2-二苯硫基烯的混合物,总收率约40%.在室温、空气氛中反应得上述两种生成物的混合物,总收率约80%.而在氮气保护下进行反应,则仅产生(Z)-1,2-二苯硫基烯.探讨了反应机理.在氮气保护下,进行了其他端炔与二芳基二硫醚反应,高立体选择的合成了6种(Z)-1,2-二芳硫基烯.本方法为(Z)-1,2-二芳硫基烯的合成提供了一条简便途径. 展开更多
关键词 催化 合成 二芳基二硒醚 氢氧化铯 (Z)-1 2-二芳硫烯
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基于密度泛函理论的油中溶解气体吸附分析 被引量:4
19
作者 周倩 陈振伟 +3 位作者 张施令 张正东 王飞 张晓星 《电力工程技术》 北大核心 2021年第1期155-161,共7页
变压器油中溶解气体分析是监测变压器设备状态的重要手段。CO、CH 4和C 2 H 2是变压器油中溶解的代表性气体成分,基于密度泛函理论,首先确定过渡金属原子Pt在典型的层状过渡金属硫族化合物WSe 2表面的最佳吸附位置,获得3种气体在Pt-WSe ... 变压器油中溶解气体分析是监测变压器设备状态的重要手段。CO、CH 4和C 2 H 2是变压器油中溶解的代表性气体成分,基于密度泛函理论,首先确定过渡金属原子Pt在典型的层状过渡金属硫族化合物WSe 2表面的最佳吸附位置,获得3种气体在Pt-WSe 2表面的吸附行为,分析了气体吸附、电荷转移、吸附能、电子态密度、电荷密度形变和前沿轨道结构。作为一个电子受体,Pt-WSe 2从3种气体分子中吸引电子,CO和C 2 H 2分子的吸附类型为化学吸附,吸附效果较强,CH 4吸附是物理吸附,吸附效果较弱。气体分子的吸附导致Pt-WSe 2带隙增大,即电阻率增大。文中探索了将Pt掺杂的WSe 2改性材料应用于检测典型变压器油中溶解气体的潜力,提供了气敏吸附的理论依据。 展开更多
关键词 吸附 变压器油 Pt-WSe 2单层二维材料 油中溶解气体分析(DGA) 密度泛函理论
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Molybdenum and tungsten chalcogenides for lithium/sodium-ion batteries: Beyond MoS2 被引量:15
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作者 Junda Huang Zengxi Wei +3 位作者 Jiaqin Liao Wei Ni Caiyun Wang Jianmin Ma 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第6期100-124,共25页
Molybdenum and tungsten chalcogenides have attracted tremendous attention in energy storage and conversion due to their outstanding physicochemical and electrochemical properties.There are intensive studies on molybde... Molybdenum and tungsten chalcogenides have attracted tremendous attention in energy storage and conversion due to their outstanding physicochemical and electrochemical properties.There are intensive studies on molybdenum and tungsten chalcogenides for energy storage and conversion,however,there is no systematic review on the applications of WS2,Mo Se2and WSe2as anode materials for lithium-ion batteries(LIBs)and sodium-ion batteries(SIBs),except Mo S2.Considering the importance of these contents,it is extremely necessary to overview the recent development of novel layered WS2,Mo Se2and WSe2beyond Mo S2in energy storage.Here,we will systematically overview the recent progress of WS2,Mo Se2and WSe2as anode materials in LIBs and SIBs.This review will also discuss the opportunities,and perspectives of these materials in the energy storage fields. 展开更多
关键词 MoSe2 WS2 wse2 LITHIUM-ION BATTERIES Sodium-ion BATTERIES
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