利用场匹配理论建立传输级联矩阵的方法对高功率Ka波段双窗片结构输出窗进行分析优化计算,再通过高频电磁软件HFSS进行验证,设计出了相对带宽大于11%的双层窗片输出窗。用HFSS与有限元分析软件ANSYS协同仿真的新方法对双窗片输出结构进...利用场匹配理论建立传输级联矩阵的方法对高功率Ka波段双窗片结构输出窗进行分析优化计算,再通过高频电磁软件HFSS进行验证,设计出了相对带宽大于11%的双层窗片输出窗。用HFSS与有限元分析软件ANSYS协同仿真的新方法对双窗片输出结构进行热分析,研究了Ka波段回旋行波管工作模式分别为TE01和TE11两种不同模式时双窗片结构输出窗在不同频点的功率容量。研究表明:工作模式为TE01时输出窗片的功率容量比工作在TE11模式下大约高8 k W。展开更多
针对EB(extreme binning)算法重复数据删除率低,磁盘I/O开销大的缺陷,提出基于多特征匹配和Bloom filter的重复数据删除算法DBMB(deduplication based on multi-feature matching and Bloom filter).将小文件聚合为局部性文件单元,作为...针对EB(extreme binning)算法重复数据删除率低,磁盘I/O开销大的缺陷,提出基于多特征匹配和Bloom filter的重复数据删除算法DBMB(deduplication based on multi-feature matching and Bloom filter).将小文件聚合为局部性文件单元,作为一个整体进行去重处理,采用最大、最小以及中间数据块ID的多重相似性特征进行匹配,并基于Bloom filter优化磁盘数据块的查找和匹配过程.结果表明,DBMB算法能有效提升重复数据删除率,降低算法执行时间,同时减少处理小文件的内存开销,性能提升显著.展开更多
基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术,设计了一个Ka波段带状线形式分支线耦合器,其4个端口相互垂直,避免了传统结构中平行端口距离较近产生耦合的问题,充分利用了基板空间。为了方便测试以及与基板表面贴装元件集成,分析设计了一个微带线到带状...基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术,设计了一个Ka波段带状线形式分支线耦合器,其4个端口相互垂直,避免了传统结构中平行端口距离较近产生耦合的问题,充分利用了基板空间。为了方便测试以及与基板表面贴装元件集成,分析设计了一个微带线到带状线(MS-SL)的垂直互联过渡结构,在传统模型基础上,引入了圆盘匹配结构和弧形金属连接带,使得最高频率和插入损耗都有了较大改善。整体仿真结果显示带宽可以达到4.3 GHz,在设计要求的28.5~30 GHz频带内,输入端口1的反射系数均大于24 d B,输出端口2和3的幅平小于0.5 d B,相位差为90o0.6o,隔离端口4的隔离度大于24 d B。耦合器的外形尺寸为3.9×3.9×0.576 mm^3。展开更多
文摘利用场匹配理论建立传输级联矩阵的方法对高功率Ka波段双窗片结构输出窗进行分析优化计算,再通过高频电磁软件HFSS进行验证,设计出了相对带宽大于11%的双层窗片输出窗。用HFSS与有限元分析软件ANSYS协同仿真的新方法对双窗片输出结构进行热分析,研究了Ka波段回旋行波管工作模式分别为TE01和TE11两种不同模式时双窗片结构输出窗在不同频点的功率容量。研究表明:工作模式为TE01时输出窗片的功率容量比工作在TE11模式下大约高8 k W。
文摘针对EB(extreme binning)算法重复数据删除率低,磁盘I/O开销大的缺陷,提出基于多特征匹配和Bloom filter的重复数据删除算法DBMB(deduplication based on multi-feature matching and Bloom filter).将小文件聚合为局部性文件单元,作为一个整体进行去重处理,采用最大、最小以及中间数据块ID的多重相似性特征进行匹配,并基于Bloom filter优化磁盘数据块的查找和匹配过程.结果表明,DBMB算法能有效提升重复数据删除率,降低算法执行时间,同时减少处理小文件的内存开销,性能提升显著.
文摘基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术,设计了一个Ka波段带状线形式分支线耦合器,其4个端口相互垂直,避免了传统结构中平行端口距离较近产生耦合的问题,充分利用了基板空间。为了方便测试以及与基板表面贴装元件集成,分析设计了一个微带线到带状线(MS-SL)的垂直互联过渡结构,在传统模型基础上,引入了圆盘匹配结构和弧形金属连接带,使得最高频率和插入损耗都有了较大改善。整体仿真结果显示带宽可以达到4.3 GHz,在设计要求的28.5~30 GHz频带内,输入端口1的反射系数均大于24 d B,输出端口2和3的幅平小于0.5 d B,相位差为90o0.6o,隔离端口4的隔离度大于24 d B。耦合器的外形尺寸为3.9×3.9×0.576 mm^3。