半导体二次电子像中的掺杂衬度

本文详细评述和介绍了近几年来国际上关于扫描电镜二次电子像中的掺杂衬度方面的实验和理论研究成果 ,总结了实验中发现的各种现象 ,并用电离能的观点对所有这些现象作出了理论上的解释 。

S掺杂ZnO纳米棒的水热法制备及其性能研究

本文利用低温二步水热法在ITO玻璃衬底上制备了ZnO以及S掺杂的ZnO纳米棒，研究和比较了ZnO纳米棒和不同含量S掺杂的ZnO纳米棒的形貌和光学等特性。研究发现低浓度硫脲掺杂时，纳米棒均匀性好，且具有良好的晶体结构和C轴生长取向，相对于未掺杂的ZnO纳米棒在蓝光波段出现较强的发光峰。高浓度硫脲掺杂时，纳米结构出现相结构和表面形貌的分离，并且不同的区域具有不同的导电性。CL谱也显示出在蓝光波段较强的发光峰，预示着通过硫的掺杂可以扩展ZnO在蓝光发光波段的光电器件领域的应用。

基于扫描电子显微镜的半导体掺杂剂含量剖面分析研究进展

掺杂剂浓度剖面分析是半导体器件研发、诊断和电学性能提升的关键。扫描电子显微镜因具有埃级空间分辨率、成像速度快、荷电效应弱和辐照损伤小等优点,在表征掺杂半导体方面独具优势。本文简要介绍了扫描电子显微镜在掺杂半导体表征方面的研究进展及挑战,包括SEM图像中掺杂衬度的产生机理、成像参数以及SE的能量和出射角度对掺杂衬度的影响、不同掺杂类型半导体的成像研究进展等。

掺杂半导体扫描电镜二次电子像

综述了用扫描电镜的二次电子像获得掺杂半导体衬度剖析的方法 .实验发现掺杂半导体扫描电镜像对杂质浓度的灵敏度可以达到 10 16cm-3 ,且空间分辨率高达nm量级 ,是最有可能发展成为下一代掺杂剖析成像的主流技术 .文中还探讨了半导体掺杂衬度的可能的机理 ,详细介绍了两种主要机理