基于扫描电子显微镜的半导体掺杂剂含量剖面分析研究进展

掺杂剂浓度剖面分析是半导体器件研发、诊断和电学性能提升的关键。扫描电子显微镜因具有埃级空间分辨率、成像速度快、荷电效应弱和辐照损伤小等优点,在表征掺杂半导体方面独具优势。本文简要介绍了扫描电子显微镜在掺杂半导体表征方面的研究进展及挑战,包括SEM图像中掺杂衬度的产生机理、成像参数以及SE的能量和出射角度对掺杂衬度的影响、不同掺杂类型半导体的成像研究进展等。

掺杂半导体扫描电镜二次电子像

综述了用扫描电镜的二次电子像获得掺杂半导体衬度剖析的方法 .实验发现掺杂半导体扫描电镜像对杂质浓度的灵敏度可以达到 10 16cm-3 ,且空间分辨率高达nm量级 ,是最有可能发展成为下一代掺杂剖析成像的主流技术 .文中还探讨了半导体掺杂衬度的可能的机理 ,详细介绍了两种主要机理