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Zn、Si掺杂GaAs纳米线的发光性能
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作者 郎天宇 王海珠 +2 位作者 于海鑫 王登魁 马晓辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期234-241,共8页
为探明掺杂对硅基GaAs纳米线发光性能的影响机理,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,以气-液-固(VLS)生长机制为基础,在硅基上实现了Zn和Si掺杂的GaAs纳米线制备。通过变温、变功率光致发光(PL)等表征手段发现,未掺杂与Si掺杂GaAs... 为探明掺杂对硅基GaAs纳米线发光性能的影响机理,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,以气-液-固(VLS)生长机制为基础,在硅基上实现了Zn和Si掺杂的GaAs纳米线制备。通过变温、变功率光致发光(PL)等表征手段发现,未掺杂与Si掺杂GaAs纳米线具有更优异的发光质量,带隙随温度的变化规律符合Varshni公式,发光来源为自由激子复合(α>1)。而Zn掺杂纳米线的发光峰出现极大展宽,发光来源为缺陷或杂质相关跃迁(α<1),峰位随激发功率的变化规律与P^(1/3)成正比。结合透射电子显微镜(TEM)测试结果进一步表明,Zn掺杂纳米线中出现了纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混合结构,是导致GaAs纳米线发光质量变差的主要原因。 展开更多
关键词 材料 发光性能 金属有机物化学气相沉积 掺杂gaas纳米线
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GaInP/GaAs tandem solar cells with highly Te- and Mg-doped GaAs tunnel junctions grown by MBE
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作者 郑新和 刘三姐 +4 位作者 夏宇 甘兴源 王海啸 王乃明 杨辉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第10期644-650,共7页
We report a GaInP/GaAs tandem solar cell with a novel GaAs tunnel junction(TJ) with using tellurium(Te) and magnesium(Mg) as n- and p-type dopants via dual-filament low temperature effusion cells grown by molecu... We report a GaInP/GaAs tandem solar cell with a novel GaAs tunnel junction(TJ) with using tellurium(Te) and magnesium(Mg) as n- and p-type dopants via dual-filament low temperature effusion cells grown by molecular beam epitaxy(MBE) at low temperature. The test Te/Mg-doped GaAs TJ shows a peak current density of 21 A/cm2. The tandem solar cell by the Te/Mg TJ shows a short-circuit current density of 12 m A/cm2, but a low open-circuit voltage range of1.4 V^1.71 V under AM1.5 illumination. The secondary ion mass spectroscopy(SIMS) analysis reveals that the Te doping is unexpectedly high and its doping profile extends to the Mg doping region, thus possibly resulting in a less abrupt junction with no tunneling carriers effectively. Furthermore, the tunneling interface shifts from the intended Ga As n++/p++junction to the AlGaInP/GaAs junction with a higher bandgap AlGaInP tunneling layers, thereby reducing the tunneling peak. The Te concentration of ~ 2.5 × 1020 in GaAs could cause a lattice strain of 10-3 in magnitude and thus a surface roughening,which also negatively influences the subsequent growth of the top subcell and the GaAs contacting layers. The doping features of Te and Mg are discussed to understand the photovoltaic response of the studied tandem cell. 展开更多
关键词 Te doping Mg doping gaas tunnel junction GalnP/gaas tandem solar cell molecular beamepitaxy
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Effect of the Doping Layer Concentration on Optical Absorption in Si δ-Doped GaAs Layer
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作者 Hassen Dakhlaoui 《Optics and Photonics Journal》 2012年第3期140-144,共5页
We study in this paper the intersubband optical absorption of Si doped GaAs layer for different applied electric fields and donors concentration. The electronic structure has been calculated by solving the Schr?dinger... We study in this paper the intersubband optical absorption of Si doped GaAs layer for different applied electric fields and donors concentration. The electronic structure has been calculated by solving the Schr?dinger and Poisson equations self-consistently. From our results, it is clear that the subband energies and intersubband optical absorption are quite sensitive to the applied electric field. Also our results indicate that the optical absorption depends not only on the electric field but also on the donor’s concentration. The results of this work should provide useful guidance for the design of optically pumped quantum well lasers and quantum well infrared photo detectors (QWIPs). 展开更多
关键词 doped gaas Self-Consistently The INTERSUBBAND Absorption
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High electron mobility of modulation doped GaAs after growing InP by solid source molecular beam epitaxy
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作者 舒永春 皮彪 +4 位作者 林耀望 邢小东 姚江宏 王占国 许京军 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 2005年第2期332-335,共4页
Modulation-doped AlGaAs/GaAs structures were grown on GaAs(100) substrate by solid source molecular beam epitaxy(SSMBE) system. The factors which influence the electron mobility were investigated. After growing InP ba... Modulation-doped AlGaAs/GaAs structures were grown on GaAs(100) substrate by solid source molecular beam epitaxy(SSMBE) system. The factors which influence the electron mobility were investigated. After growing InP based materials, growth conditions were deteriorated, but by an appropriate method and using reasonable process high electron mobility(77 K) of more than 1.50×10~5 cm^2/(V·s) can still be obtained. The structures and growth conditions have been studied and optimized via Hall measurements. For a typical sample, 2.0 K electron mobility as high as 1.78×10~6 cm^2/(V·s) is achieved, and the quantum Hall oscillation phenomena can be observed. 展开更多
关键词 电子迁移率 砷化镓 磷化铟掺杂 晶体生长 固态源分子束
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Raman spectrum study of δ-doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells
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作者 郑卫民 丛伟艳 +3 位作者 李素梅 王爱芳 李斌 黄海北 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第1期514-519,共6页
Three samples of GaAs/A1As multiple-quantum wells with different quantum well widths and tS-doped with Be ac- ceptors at the well center were grown on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Polarized Raman... Three samples of GaAs/A1As multiple-quantum wells with different quantum well widths and tS-doped with Be ac- ceptors at the well center were grown on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Polarized Raman spectra were recorded on the three samples at temperatures in a range of 4-50 K in a backscattering configuration. The two branches of coupled modes due to the interaction of the hole intersubband transitions and the quantum-well longitudinal optical (LO) phonon were observed clearly. The evaluation formalism of the Green function was employed and each lineshape of the Raman spectrum of the coupled modes was simulated. The dependence of the peak position of Raman shifts of the two coupled modes as well as the quantum-well LO phonon on the quantum-well size and measured temperature were given, and the coupling interaction mechanism between the hole subband transitions and the quantum-well LO phonon was researched. 展开更多
关键词 coupled mode Raman spectrum δ-doped gaas/A1As multiple quantum wells
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Interlayer distance effects on absorption coefficient and refraction index change in p-type double-δ-doped GaAs quantum wells
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作者 H Noverola-Gamas L M Gaggero-Sager O Oubram 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第12期186-190,共5页
In the framework of the Thomas–Fermi(TF) approach, a model for the p-type double-δ-doped(DDD) system in Ga As is presented. This model, unlike other works in the literature, takes into account that the Poisson equat... In the framework of the Thomas–Fermi(TF) approach, a model for the p-type double-δ-doped(DDD) system in Ga As is presented. This model, unlike other works in the literature, takes into account that the Poisson equation associated with the system is nonlinear. The electronic structure is calculated for heavy and light holes. The changes in the electronic structure result of the distance d between the doped layers are studied. In particular, the relative absorption coefficient as well as the relative refractive index change is calculated as a function of the incident photon energy for heavy holes. The effect of the interlayer distance exhibits, in the absorption coefficient, a red shift of the peak position and a decrease in amplitude when the distance increases. In addition, the relative refractive index change node has a red shift as well as the interlayer distance increases. The calculations show that the effect of the separation between layers has a greater influence on the linear terms. These results are very important for theoretical calculations and engineering of optical and electronic devices based in δ-doped Ga As. 展开更多
关键词 double delta-doping p-type gaas layers electronic structure Thomas–Fermi approach nonlinear optical properties
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Raman Study of Defects in SI-GaAs and Se-doped Epitaxial Layer Irradiated by 10 MeV Electrons
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作者 吴凤美 立海峰 +2 位作者 陈武鸣 程光煦 杭德生 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1996年第1期12-15,共4页
Raman scattering measurements on Se-doped GaAs epitaxial layers and semi-insulating (SI) GaAs irradi-ated by 10 Mev electrons have been investigated. Several defect-related features were observed. We suggestthat the 2... Raman scattering measurements on Se-doped GaAs epitaxial layers and semi-insulating (SI) GaAs irradi-ated by 10 Mev electrons have been investigated. Several defect-related features were observed. We suggestthat the 220 cm  ̄-1mode is attribute to As_1 which is associated, at least in part, with EL2 and EL12 defects.For Sedoped samples, the Raman peaks at 205 and 258 cm ̄-1 may be due to vibrational modes in small clus-ters of arsenic, and the 77 and 185  ̄-1modes are probably associated with disorder-activated first order Ra-man scattering.Irradiated results show that the small clusters of arsenic and disorder state are increased with in-creasing irradiation fluences. Other Raman peaks will also be discussed in this paper. 展开更多
关键词 Undoped SI-gaas Se-doped epitaxial layer Raman technique 10 Mev electron-irradiation
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n^+n^-n^+ GaAs二极管的蒙特卡罗模拟
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作者 陈茜 王锦荣 罗子江 《贵州大学学报(自然科学版)》 2005年第3期239-243,共5页
用多粒子的蒙特卡罗方法,模拟了n+n-n+GaAs二极管中的各种散射机制和其中载流子的运动状态。
关键词 蒙特卡罗方法 模拟 散射 n^+n^-n^+gaas二极管
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掺杂n^(+) GaAs的热电式MEMS微波功率传感器在Ka波段的研究
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作者 洪阳 张志强 +2 位作者 孙国琛 郑从兵 刘佳琦 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期143-147,共5页
本文主要通过理论设计和性能测试,研究了热电堆的半导体臂n^(+)GaAs的掺杂浓度对热电式MEMS微波功率传感器在Ka波段工作性能的影响。该类传感器基于微波功率-热-电转换原理工作,其中热电堆是由半导体臂n^(+)GaAs和金属臂Au构成。通过建... 本文主要通过理论设计和性能测试,研究了热电堆的半导体臂n^(+)GaAs的掺杂浓度对热电式MEMS微波功率传感器在Ka波段工作性能的影响。该类传感器基于微波功率-热-电转换原理工作,其中热电堆是由半导体臂n^(+)GaAs和金属臂Au构成。通过建立理论分析模型,探究了灵敏度、信噪比与掺杂浓度之间的关系,以指导传感器的结构设计,并基于GaAs MMIC工艺制备了四种n^(+)GaAs掺杂浓度下MEMS微波功率传感器。实验结果表明:当n^(+)GaAs掺杂浓度分别为2.4×10^(18) cm^(-3)、8.5×10^(17) cm^(-3)、3.2×10^(17) cm^(-3)和1.9×10^(17) cm^(-3)时,测量的灵敏度在30 GHz分别为15.21μV/mW、17.86μV/mW、74.36μV/mW和142.34μV/mW,而其在38 GHz分别为10.91μV/mW、17.88μV/mW、48.94μV/mW和98.59μV/mW,该结果表明灵敏度随掺杂浓度增大而减小;信噪比在30 GHz分别为8.58×10^(5) W^(-1)、6.13×10^(5) W^(-1)、1.38×10^(6) W^(-1)和2.08×10^(6) W^(-1),而其在38 GHz分别为6.44×10^(5) W^(-1)、6.13×10^(5) W^(-1)、1.11×10^(6) W^(-1)和1.47×10^(6) W^(-1),该结果表明信噪比随掺杂浓度的增大先减小再增大。 展开更多
关键词 MEMS 微波功率传感器 掺杂n^(+)gaas 灵敏度 信噪比
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VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制 被引量:5
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作者 牛沈军 王建利 兰天平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期503-505,共3页
结合VB-GaAs晶体生长工艺,对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了掺杂计算的修正因子。针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料。
关键词 gaas晶体 VB-gaas技术 硅掺杂
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GaAs光电阴极p型掺杂浓度的理论优化 被引量:6
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作者 杜晓晴 常本康 宗志园 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期195-198,共4页
为了获得高量子效率的GaAs光电阴极 ,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长 ,且电子表面逸出几率大 ,这对p型掺杂浓度提出了两个矛盾的要求 ,需要进行优化。本文建立了电子扩散长度与p型掺杂浓度的关系曲线 ,并计算了不同p型掺杂浓度下的... 为了获得高量子效率的GaAs光电阴极 ,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长 ,且电子表面逸出几率大 ,这对p型掺杂浓度提出了两个矛盾的要求 ,需要进行优化。本文建立了电子扩散长度与p型掺杂浓度的关系曲线 ,并计算了不同p型掺杂浓度下的电子表面逸出几率 ,在此基础上计算了不同阴极厚度的GaAs光电阴极的理论量子效率随掺杂浓度的变化曲线。计算结果表明 ,p型掺杂浓度在~ 6× 1 0 1 8cm-3 时可获得最大量子效率 ,掺杂浓度对量子效率的限制随阴极厚度的增大而增大。 展开更多
关键词 gaas 光电阴极 掺杂 量子效率 扩散长度 逸出几率 P型
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LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征(英文) 被引量:4
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作者 金敏 徐家跃 +3 位作者 房永征 何庆波 周鼎 申慧 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期594-598,共5页
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主... 采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题。探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec。 展开更多
关键词 gaas 晶体生长 坩埚下降法 硅掺杂 孪晶
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MBE梯度掺杂GaAs光电阴极激活实验研究 被引量:8
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作者 邹继军 常本康 杜晓晴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期401-404,共4页
本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2μm^3μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得... 本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2μm^3μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得较高灵敏度。在优化激活工艺的条件下,梯度掺杂GaAs光电阴极获得了1798μA/lm的最高积分灵敏度,比采用同样方法制备的均匀掺杂GaAs光电阴极高30%以上。梯度掺杂GaAs光电阴极表面掺杂浓度较均匀掺杂的低,第一次给Cs时间较长,第一次Cs、O交替时要调整好Cs/O比,并在整个激活过程中保持不变。一个高量子效率梯度掺杂GaAs光电阴极的获得依赖于梯度掺杂结构和激活工艺两个方面的优化。 展开更多
关键词 分子束外延 梯度掺杂 gaas光电阴极 量子效率 激活
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不同变掺杂结构GaAs光电阴极的光谱特性分析 被引量:3
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作者 牛军 乔建良 +2 位作者 常本康 杨智 张益军 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期3007-3010,共4页
为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光谱响应曲线。将光谱响应曲线转换为对应的量子效率曲线,对不同入射光波段的量子效率进行了拟合分析,得到... 为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光谱响应曲线。将光谱响应曲线转换为对应的量子效率曲线,对不同入射光波段的量子效率进行了拟合分析,得到了体现变掺杂结构贡献程度的变掺杂系数K值。研究发现,同一阴极材料对不同波段的入射光,其掺杂结构产生的作用效果各不相同。同时,不同掺杂结构光电阴极对于相同波段范围内的入射光,其作用效果也不相同。产生这些差别的根本原因,是由于不同掺杂结构下,材料中内建电场的位置和强度不同而造成的。该研究为评判不同掺杂方式下光电阴极的结构性能提供了有效的分析手段,对研究阴极变掺杂结构的优化设计具有非常重要的应用价值。 展开更多
关键词 gaas光电阴极 变掺杂 内建电场 量子效率
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GaInP_2/GaAs/Ge级联电池隧道结的结构设计及金属有机化学汽相淀积生长研究 被引量:3
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作者 王晋国 李晓婷 魏俊波 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期37-39,43,共4页
采用国产的低压金属有机化学汽相淀积(LP MetalOrganicChemicalVaporDeposition,简写为LP MOCVD)设备,生长了GaInP2/GaAs/Ge双结级联电池隧道结,分析了隧道结结构的设计原理.利用霍耳测试仪、X射线双晶衍射仪、二次离子质谱仪,对隧道结... 采用国产的低压金属有机化学汽相淀积(LP MetalOrganicChemicalVaporDeposition,简写为LP MOCVD)设备,生长了GaInP2/GaAs/Ge双结级联电池隧道结,分析了隧道结结构的设计原理.利用霍耳测试仪、X射线双晶衍射仪、二次离子质谱仪,对隧道结的重掺杂和互扩散特性进行了研究.结果表明,在生长温度为600℃,H2Se流量为3mL/min及隧道结N型层掺杂剂选用Se的条件下,可得到电子浓度为5×1019cm-3;而采用自掺C(通过不断改变五族元素与三族元素之比)可得到P型载流子浓度为1017~1021cm-3的GaAs隧道结.说明该生长方法可获得电池隧道结中高掺杂水平的PN结,并且能够达到抑制掺杂杂质互扩散现象的设计要求. 展开更多
关键词 gaas 隧道结 掺杂
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变掺杂GaAs光电阴极的研究进展 被引量:2
16
作者 陈怀林 牛军 常本康 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第19期99-103,113,共6页
从变掺杂阴极的结构种类、变掺杂GaAs光电阴极的光电发射机理、制备技术以及变掺杂结构对阴极性能的影响等方面介绍了当前国内研究变掺杂GaAs光电阴极的进展。目前该工作还处于起步阶段,理论研究还有待于进一步深入。开展变掺杂阴极研... 从变掺杂阴极的结构种类、变掺杂GaAs光电阴极的光电发射机理、制备技术以及变掺杂结构对阴极性能的影响等方面介绍了当前国内研究变掺杂GaAs光电阴极的进展。目前该工作还处于起步阶段,理论研究还有待于进一步深入。开展变掺杂阴极研究是我国走自主创新道路、提高国内三代微光器件性能的有效途径。 展开更多
关键词 gaas 光电阴极 变掺杂
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GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应 被引量:2
17
作者 徐家跃 王冰心 +1 位作者 金敏 房永征 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2632-2640,共9页
作为第二代半导体材料,Ga As晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺。本文总结了Ga As晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,... 作为第二代半导体材料,Ga As晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺。本文总结了Ga As晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,重点报道了Ga As晶体坩埚下降法生长的研究成果。坩埚下降法具有一炉多产、易操作、低成本等优点,已成为Ga As晶体产业化的重要途径。掺杂不仅能调节Ga As晶体的性能,还会对晶体生长产生重要影响。本文还给出了Bi、Si、Zn等掺杂Ga As晶体生长结果,探讨了它们的性能、缺陷以及在不同领域里的应用。 展开更多
关键词 坩埚下降法 晶体生长 砷化镓晶体 掺杂
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MBE高掺杂n-GaAs:Si和p-GaAs:Be的光致发光谱 被引量:1
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作者 胡天斗 许继宗 +1 位作者 梁基本 庄蔚华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第8期607-614,共8页
我们对MBE高掺杂的n-GaAs∶Si和p-GaAs∶Be进行了光致发光研究,详细比较了高掺杂n-GaAs和p-GaAs在光谱线型,峰值半宽,峰值位置等方面的差异,以及两者的发光与温度的关系.由分析得出,对于高掺杂的n-GaAs,填充在导带内较高能态(K≠0)的电... 我们对MBE高掺杂的n-GaAs∶Si和p-GaAs∶Be进行了光致发光研究,详细比较了高掺杂n-GaAs和p-GaAs在光谱线型,峰值半宽,峰值位置等方面的差异,以及两者的发光与温度的关系.由分析得出,对于高掺杂的n-GaAs,填充在导带内较高能态(K≠0)的电子与价带顶(K=0)空穴的非竖直跃迁是主要的发光过程.而对于高掺杂的p-GaAs,则是以导带底附近(K(?)0)的电子和价带顶附近(K(?)0)的空穴竖直跃迁为主要发光过程. 展开更多
关键词 光致发光 掺杂 砷化镓 分子束外延
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重掺碳GaAs层的MOCVD生长及特性研究 被引量:2
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作者 王向武 程祺祥 张岚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期334-338,共5页
采用 CCl4 作为碳掺杂源 ,进行了重掺碳 Ga As层的 L P- MOCVD生长 ,并且对掺杂特性进行了研究 ,研究了各生长参数对掺杂的影响。CCl4 流量是决定掺杂浓度的主要因素。减小生长温度、减小 / 比、降低生长压力 ,都能较大的提高掺杂浓... 采用 CCl4 作为碳掺杂源 ,进行了重掺碳 Ga As层的 L P- MOCVD生长 ,并且对掺杂特性进行了研究 ,研究了各生长参数对掺杂的影响。CCl4 流量是决定掺杂浓度的主要因素。减小生长温度、减小 / 比、降低生长压力 ,都能较大的提高掺杂浓度。通过改变 CCl4 流量 ,在生长温度为5 5 0~ 6 5 0℃、 / 比为 15~ 4 0 ,生长压力在 1× 10 4 ~ 4× 10 4 Pa的范围内 ,均能得到高于 2× 10 19/cm3 的掺碳 Ga As外延层 ,最高掺杂浓度为 8× 10 19/ 展开更多
关键词 金属有机化合物气相沉积 砷化镓 碳掺杂
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低掺杂浓度n型GaAs欧姆接触的研究 被引量:2
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作者 宋淑芳 赵建建 +1 位作者 谭振 孙浩 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1252-1255,共4页
利用传输线方法(TLM)重点研究了低掺杂浓度(2×1017at/cm3)n型GaAs接触层的欧姆接触,通过改变AuGe/Ni的厚度比、合金化的温度和时间等参数,获得了最优化的制备条件:AuGe/Ni/Au的厚度为50nm/25nm/100 nm,退火温度为400℃,退火时间为1... 利用传输线方法(TLM)重点研究了低掺杂浓度(2×1017at/cm3)n型GaAs接触层的欧姆接触,通过改变AuGe/Ni的厚度比、合金化的温度和时间等参数,获得了最优化的制备条件:AuGe/Ni/Au的厚度为50nm/25nm/100 nm,退火温度为400℃,退火时间为120s时,欧姆接触电阻率为最低3.52×10-4Ωcm-2,这一结果为量子阱结构太赫兹探测器芯片的制备奠定了基础。 展开更多
关键词 n型gaas 欧姆接触 低掺杂浓度
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