基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片

基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、衰减和放大等电路拓扑结构,以获得良好的幅相特性;采用紧凑布局、双通道对称的版图设计,以实现小尺寸和高性能。测试结果表明,+5 V电压下,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩点输出功率大于8 dBm;发射通道增益大于1 dB,1 dB压缩点输出功率大于2 dBm;64态移相均方根误差小于2.5°,16态衰减均方根误差小于0.3 dB,芯片尺寸为3.90 mm×2.25 mm。该多功能芯片可实现对射频信号幅度和相位的高精度控制,可广泛应用于微波收发模块。

不同栽培模式对双季稻产量及氮素吸收利用的影响

为探讨不同栽培模式对双季稻氮素吸收利用的影响,以中早25和桃优香占为材料,设置机插秧(JC)、机抛秧(JP)、人工手抛(RP)3种栽培模式,采用大区试验,比较不同栽培模式下双季稻产量及氮素吸收利用的差异。结果表明:早稻季JC处理的理论产量分别比JP处理、RP处理高51.91%、32.70%;实际产量分别比JP处理、RP处理高51.62%、48.78%。晚稻季JP处理的理论产量分别比JC处理、RP处理高9.45%、8.26%;实际产量分别比JC、RP处理高11.66%、7.07%。早稻成熟期JC处理的总干物质积累量分别比JP处理、RP处理高51.60%、131.69%;晚稻成熟期RP处理的总干物质积累量分别比JC、JP处理高17.18%、3.73%。早稻植株总氮积累量以JC处理最高,分别比JP、RP处理高45.22%、33.01%;晚稻植株总氮积累量以JP处理最高,分别比JC、RP处理高25.09%、5.77%。因此,在湘北地区早稻机插与晚稻机抛有利于提高氮素利用率和水稻产量。

单掷双联大功率直流接触器的设计

阐述单掷双联接触器的设计和应用,通过一个线圈控制同步的两组动触头与两组静触头进行工作,可大幅提升接触器工作的同步性。两个接触器合并设计为一个接触器,降低接触器的总重量和体积。

基于滤波器设计方法的GaN-on-Si毫米波单刀双掷开关

基于滤波器的设计方法,实现了一款适用于毫米波通信的宽频带单刀双掷(SPDT)开关。为了实现宽频带和低插入损耗,采用100 nm GaN-on-Si HEMT器件及行波式开关设计方法,同时采用四枝节的结构,实现对射频信号的全反射,以此获得更高的隔离度。在0 V和-15 V的栅偏置电压下,在室温环境中测试的结果表明:在30~44 GHz频带内,SPDT开关具有良好的回波损耗,其插入损耗低于1.5 dB,隔离度高于34 dB,并且在36 GHz下的输入1 dB功率压缩点优于39.2 dBm。芯片面积为1.7 mm×1.2 mm。

紧临重要建筑物碍航双曲拱桥爆破拆除

艳洲电站大桥位于艳洲枢纽工程新建船闸、电站及泄水闸拟建坝址上,根据工程建设进度安排,对该桥予以拆除。艳洲电站大桥为双曲拱桥,桥梁全长180.0 m,桥面宽8 m,其地处彭山旅游风景区,周边有多处名胜古迹、企业厂房,环境复杂,与紧临既有电站大坝最近处为8 m,与电站大坝箱梁桥紧接并共用一个桥台。限于现场作业条件,最终决定采用爆破拆除工艺。为确保整个桥体可靠倒塌且解体充分、钢筋混凝土分离,采取抛掷爆破装药炸碎拱肋、拱柱、连梁等构件,单耗为1.2~1.5 kg/m^(3)。采用加强松动爆破炸毁桥墩,最大单墩药量为480 kg,按照左重右轻的原则,使整桥似骨牌式向右岸方向倒塌。采用孔内延时孔外接力传爆网路,即孔内雷管采取MS12段,孔外工业电子雷管并联,起爆顺序为由左岸向右逐跨、墩起爆,保证桥体平稳逐跨有序垂直塌落,且不会对左岸桥台形成挤压冲击。通过在靠近左岸电站、滚水坝沿线100 m水下,预先敷设漏气PVC,用空压机向管内打压形成气泡帷幕,有效减小水击波超压,从而降低了爆破振动和水击波对周边建(构)筑物的影响。

全密封多点回抛卸料双气垫皮带式输送机

本研究提出的全密封多点回抛卸料双气垫带式输送机,具有降低设备能耗、故障率及维护成本的特点,可以实现单台双气垫皮带机对多个筒位进仓卸料作业或对多台下游设备下料作业。

一种宽带高隔离度SPDT开关的设计与实现

采用多个P IN管设计并制作了一种串/并联结构的宽带高隔离度微带单刀双掷(s ing le po le doub le throw,SPDT)开关.首先建立了所用型号的P IN管开路、短路的等效电路模型;然后借助于CAD软件Serenade进行了电路仿真和参数优化,得到了很好的仿真结果;最后设计出电路制版图并制作了经济实用的微带开关,经过实验测量达到了技术指标要求.

双季抛栽稻的生育特性研究

对抛栽稻和手插稻的比较试验表明：（１） 抛栽稻的生育优势有：分蘖早，分蘖多，有效穗多；根系生长好，吸肥能力强；早稻抽穗期叶面积系数大，生物产量高。晚稻在施用穗肥的条件下也有同样的优势。（２） 抛栽稻的生育劣势有：无效分蘖多，成穗率低；高效叶面积率低，每穗粒数少；茎鞘运转率和经济系数低；抗根倒能力差。（３）

GaAs PHEMT通信开关电路设计

设计制作了GaAs PHEMT通信开关电路。分析了基于GaAs场效应晶体管(FET)的正压控制开关电路原理,采用GaAs FET器件串并联结构设计了单刀双掷(SPDT)和双刀双掷(DPDT)开关电路。使用ADS软件对电路进行了优化设计,并对电路版图进行了电磁场仿真优化,基于0.5μm GaAs PHEMT工艺,流片制作了SPDT和DPDT开关电路。测试结果表明,在DC^6 GHz带宽内,SPDT开关插损大于-0.75 dB,隔离度小于-27 dB(3 GHz),回波损耗小于-18 dB,芯片尺寸为0.55 mm×0.50 mm。DPDT开关插损大于-1.8 dB,隔离度小于-20 dB(3 GHz),回波损耗小于-12 dB,芯片尺寸为0.65 mm×0.60mm。两种开关均采用正电压控制(+5 V),具有低插损、高隔离度、大功率处理能力(P1 dB大于30 dBm)和芯片尺寸小等优点,可广泛应用于微波通信系统中。

一种单刀双掷高速模拟开关的研制

介绍了一种单刀双掷高速模拟开关;描述了电路工作原理、线路设计、版图设计及可靠性设计。该高速模拟开关具有速度快、功耗低、隔离度高、关断漏电流小等特点。其内部电路设计有控制输入级、电平转换级、高速模拟开关管及静电保护电路。该电路可广泛应用于雷达接收机和发射机、通信系统和数据采集系统,以及通用模拟开关等领域。

添加剂及电源波形对镍钴合金电铸液分散能力的影响

通过正交试验研究了添加剂TN1、电源波形(全波、半波、直流)、电流密度和pH值对镍钴合金电铸液分散能力的影响。结果表明,添加剂TN1的加入可以很大程度地提高分散能力;电源波形为全波时分散能力最好。添加剂TN1提高分散能力的原因主要是提高了阴极极化和降低了高电流密度区的电流效率;电源波形影响铸液分散能力主要是由于它对溶液导电性和电流效率有影响。添加剂和波形对分散能力的影响实质上是对双电层影响的结果。

双相干相关法在断层检测及落差估算中的应用

本文阐述了双相干相关法的基本原理 ,并将双相干相关法用于断层检测和落差估算。理论模型计算表明 ,用该方法检测断层准确 ,估算落差精度高 ,且具有一定的抗噪能力。作者还对基本双相干相关法进行了改进 ,用改进后的计算公式对实际地震资料进行了处理 ,结果表明 。

内置式双位投种穴播器

设计了一种内置式双位投种穴播器,在牵引工作状态下自动滚动、实现入土成穴器入土。采用内置式双位投种方式,且上位一次变量排种器布置在轮盘的定盘中心,以减小向入土成穴器的输种距离和省略传动装置。入土成穴器采用定、动两瓣结构,非开启状态为常闭,动瓣在达到最大入土深度后按杠杆原理打开,完成下位二次投种、出土后关闭。样机试验证明,穴播器各项性能符合设计和农艺要求。

特高压交流线路工频过电压研究

特高压线路由于输电距离长、输送容量大、充电功率大,其工频过电压比超高压系统更为严重,但具体计算条件有些仍不够明确。在计算分析单、双回特高压线路工频过电压的基础上,从不同角度对各种工频过电压进行了对比研究,确定了单、双回特高压线路过电压研究中应重点考虑的工频过电压种类,并从原理上给出了解释。研究表明,单回线路应重点考虑单相接地甩负荷过电压,同塔双回线路应重点考虑单回运行方式下单相接地甩负荷过电压和双回无故障甩负荷过电压。

双季抛栽稻高产调控技术研究

研究了将增加穗肥比重、提早晒田和喷施GA33项技术组装成综合高产栽培技术 ,应用于双季抛栽稻的大田调控 ,对抛栽稻的产量及产量形成的影响。结果表明 ,与常规栽培技术比较 ,综合高产栽培技术能控制无效分蘖的生长 ,降低最高苗数 ,提高成穗率 ;增加中后期特别是抽穗后的干物质生产 ,提高总干物重及其在穗部的分配比例 ;增加中后期的养分吸收量和总吸收量 ;在稳定穗数的基础上 ,增加每穗粒数和结实率 ,最终提高产量 ,早、晚稻分别增产 1 5.0 0 %和 2 0 .62 %。

单刀双掷RF MEMS开关的研究与设计

介绍了一种基于横向金属接触的DC-5GHz单刀双掷RF MEMS开关的研究与设计.横向金属接触开关包括了一套有限的共面波导(FGCPW)传输线和左右摆动的悬臂梁.为了降低开启电压,设计了一种曲折型的折叠梁结构,通过理论分析与仿真实验验证了该结构的可行性,并利用Metal MUMPs工艺加以实现.测试结果显示,该开关在5GHz处的插入损耗为0.8dB,回波损耗大于20dB,隔离度为40dB.测得最低开启电压为33V.

X波段六位移相器设计

采用SiGe BiCMOS工艺设计了一个X波段六位移相器。该移相器工作频率8~12GHz,移相范围为360°,步进5.625°。移相器采用高通/低通滤波器结构,通过六级移相单元以及多个单刀双掷开关级联实现。测试结果显示,芯片在1.2V的电源电压下,10GHz频率处插损约为15dB,在64种移相状态下,RMS相位误差1.6°,幅度偏差0.3dB,端口回波损耗小于-16dB。芯片不包含焊盘的尺寸约为2.65mm×0.81mm。

空心双拐曲轴内高压成形加载路径优化的研究

内高压成形技术是一种利用液体作为传力介质,通过控制内压力和轴向推力来达到成形空心零件目的的先进制造技术,在航空、航天、汽车等轻量化领域获得了广泛的应用。管材的内高压成形过程十分复杂,成形结果与诸多因素有关,其中内压力及轴向进给的加载路径及其匹配关系对成形结果影响尤为显著,如何找出诸多影响因素对内高压成形的影响规律并进行合理的优化是内高压成形面临的重要问题。首先利用均匀设计法设计BP神经网络训练样本与检测样本。其次,分析BP神经网络和遗传算法,并进行融合,基于MATLAB语言编写BP神经网络的算法程序及遗传算法程序,对空心双拐曲轴内高压成形加载路径工艺参数进行了优化,得到其最优成形参数。并通过Dyna Form软件仿真验证了结果的准确性,从而完成对管材内高压成形加载路径的参数优化,进一步提高了管材内高压成形的成形质量。

Si基超薄势垒InAlN/GaN HEMT开关器件小信号模型

为了更好地表征Si基超薄InAlN/GaN HEMT开关器件的特性和开发更精确的开关电路模型,基于0.25μm HEMT工艺制备了不同栅极电阻的开关器件,提出了附加10 kΩ栅极电阻的器件结构,并对开关器件进行了小信号模型分析。采用传统的去嵌结构提取了开关器件的寄生电容、电感和电阻参数来得到相应的本征参数。采用误差因子评估模型的准确度,结果表明模型拟合和实测的S参数基本吻合。最后将模型应用在Ku波段单刀双掷(SPDT)开关电路的设计中,实测的开启状态下该电路的插入损耗小于2.28 dB,输入回波损耗大于10 dB,输出回波损耗大于12 dB;关断状态下其隔离度大于36.54 dB。所提出的Si基InAlN/GaN HEMT模型可以为Si基HEMT的电路设计和集成提供一定的理论指导。

二晚抛栽稻播种量、化控措施与抛栽秧龄的研究

研究表明，随着秧龄的延长，盘育秧的秧苗素质越来越不如湿润秧，主要表现为植株矮小，茎细，单株叶面积小，百苗干重轻，分蘖停止早并出现大量夭亡；稀播能改善秧苗素质，减少串根，采用两次化控控制株高，促进分蘖，减少串根有一定效果，抛栽稻和手插稻比较，在经济性状上表现为穗数增加，每穗粒数减少，结实率与千粒重降低；不同秧龄抛栽，早抛的各项经济性状均比晚抛的好，产量比晚抛的高，特别是秧龄超过３０ｄ抛栽，产量减少明显。最后讨论了二晚抛栽稻的育秧技术。