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A 5.4mW and 6.1% efficiency fixed-tuned 214GHz frequency doubler with Schottky barrier diodes 被引量:4
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作者 姚常飞 Zhou Ming +2 位作者 Luo Yunsheng Kou Yanan Li Jiao 《High Technology Letters》 EI CAS 2015年第1期85-89,共5页
A Y-band frequency doubler is analyzed and designed with GaAs planar Schottky diode, which is flip-chip solded into a 50 μm thick quartz substrate. Diode embedding impedance is found by full- wave analysis with lumpe... A Y-band frequency doubler is analyzed and designed with GaAs planar Schottky diode, which is flip-chip solded into a 50 μm thick quartz substrate. Diode embedding impedance is found by full- wave analysis with lumped port to model the nonlinear junction for impedance matching without the need of diode equivalent circuit model. All the matching circuit is designed "on-chip" and the mul- tiplier is self-biasing. To the doubler, a conversion efficiency of 6.1% and output power of 5.4mW are measured at 214GHz with input power of 88mW, and the typical measured efficiency is 4.5% in 200 - 225 GHz. 展开更多
关键词 frequency doubler planar schottky diode quartz substrate EFFICIENCY
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Generation of self-oscillations from a singly resonant periodically poled potassium titanyl phosphate crystal frequency doubler
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作者 李渊骥 刘勤 +1 位作者 冯晋霞 张宽收 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第6期418-423,共6页
We report on the generation of self-oscillations from a continuously pumped singly resonant frequency doubler based on a periodically poled potassium titanyl phosphate crystal (PPKTP). The sustained square-wave and ... We report on the generation of self-oscillations from a continuously pumped singly resonant frequency doubler based on a periodically poled potassium titanyl phosphate crystal (PPKTP). The sustained square-wave and staircase curve of self-oscillations are obtained when the incident pump powers are below and above the threshold of subharmonic-pumped parametric oscillation (SPO), respectively. The self-oscillations can be explained by the competition between the phase shifts induced by cascading nonlinearity and thermal effect, and the influence of fundamental nonlinear phase shift by the generation of SPO. The simulation results are in good agreement with the experiment data. 展开更多
关键词 SELF-OSCILLATIONS singly resonant frequency doubler phase shift
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An E-band CMOS frequency quadrupler with 1.7-dBm output power and 45-dB fundamental suppression
3
作者 Xiaofei Liao Dixian Zhao Xiaohu You 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2022年第9期46-52,共7页
This paper presents an E-band frequency quadrupler in 40-nm CMOS technology.The circuit employs two push-push frequency doublers and two single-stage neutralized amplifiers.The pseudo-differential class-B biased casco... This paper presents an E-band frequency quadrupler in 40-nm CMOS technology.The circuit employs two push-push frequency doublers and two single-stage neutralized amplifiers.The pseudo-differential class-B biased cascode topo-logy is adopted for the frequency doubler,which improves the reverse isolation and the conversion gain.Neutralization tech-nique is applied to increase the stability and the power gain of the amplifiers simultaneously.The stacked transformers are used for single-ended-to-differential transformation as well as output bandpass filtering.The output bandpass filter enhances the 4th-harmonic output power,while rejecting the undesired harmonics,especially the 2nd harmonic.The core chip is 0.23 mm^(2)in size and consumes 34 mW.The measured 4th harmonic achieves a maximum output power of 1.7 dBm with a peak conversion gain of 3.4 dB at 76 GHz.The fundamental and 2nd-harmonic suppressions of over 45 and 20 dB are achieved for the spectrum from 74 to 82 GHz,respectively. 展开更多
关键词 capacitor neutralization CMOS E-band frequency doubler frequency quadrupler push-push
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170GHz二倍频器2路功率合成技术研究
4
作者 徐鹏 徐辉 +6 位作者 王国瑾 张立森 梁士雄 宋旭波 顾国栋 郝晓林 冯志红 《空间电子技术》 2024年第4期59-64,共6页
文章研究并实现了基于170GHz二倍频器2路的功率合成。采用三维电磁场仿真设计并实现了E面T型功分/功合器。功率分配器采用WR10标准波导,80GHz~95GHz频带内,插入损耗在0.2dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。输出功率合成器采用WR... 文章研究并实现了基于170GHz二倍频器2路的功率合成。采用三维电磁场仿真设计并实现了E面T型功分/功合器。功率分配器采用WR10标准波导,80GHz~95GHz频带内,插入损耗在0.2dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。输出功率合成器采用WR5标准波导,160GHz~185GHz频带内,插入损耗在0.4dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。采用GaAs肖特基二极管单片集成技术设计并制备单路二倍频器,以满足一致性要求;基于170GHz二倍频器2路功率合成的测试结果表明,输入功率在600mW~800mW之间,163GHz~178GHz的输出功率在110mW~264mW,合成效率在80%以上。在171GHz的频点下,峰值输出功率可达264mW,峰值合成效率达到92%。 展开更多
关键词 太赫兹 二倍频器 功率合成
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W-band push–push monolithic frequency doubler in 1-μm InP DHBT technology 被引量:1
5
作者 姚鸿飞 王显泰 +5 位作者 吴旦昱 苏永波 曹玉雄 葛霁 宁晓曦 金智 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第9期122-127,共6页
A W-band frequency doubler MMIC is designed and fabricated using 1-μm InP DHBT technology. Ac tive halun is employed to transform the single-ended signal into differential output. Push-push configuration loaded with ... A W-band frequency doubler MMIC is designed and fabricated using 1-μm InP DHBT technology. Ac tive halun is employed to transform the single-ended signal into differential output. Push-push configuration loaded with harmonic resonant network is utilized to acquire the second harmonic frequency. A multi-stage differential structure improves the conversion gain and suppresses the fundamental frequency. The MMIC occupies an area of 0.55 x 0.5 mm2 with 18 DHBTs integrated. Measurements show that the output power is above 5.8 dBm with the suppression of fundamental frequency below -16 dBc and the conversion Rain above 4.7 dB over 75-80 GHz. 展开更多
关键词 frequency doubler W-BAND lnP DHBT push-push
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Frequency-stabilized semimonolithic frequency doubler with high output power 被引量:1
6
作者 罗玉 李莹 +2 位作者 谢常德 彭堃墀 潘庆 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第7期395-398,共4页
We present a semimonolithic frequency-doubler from 1080 to 540 nm with 80% doubling efficiency and up to 849-mW output power of green light. A frequency-stabilized laser diode (LD) pumped continuous wave (CW) Nd:YAP l... We present a semimonolithic frequency-doubler from 1080 to 540 nm with 80% doubling efficiency and up to 849-mW output power of green light. A frequency-stabilized laser diode (LD) pumped continuous wave (CW) Nd:YAP laser is used as the pump source of the doubler consisting of an α-cut KTP crystal and an input mirror. The frequency stabilities of the output second harmonic wave are better than ±246 kHz and ±2.3 MHz in 1 and 30 minutes, respectively, and the intensity fluctuation is less than ±0.65%. 展开更多
关键词 Continuous wave lasers frequency doublers Mirrors Optical pumping Optically pumped lasers Second harmonic generation Semiconductor lasers
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Well-balanced ambipolar diketopyrrolopyrrole-based copolymers for OFETs,inverters and frequency doublers 被引量:2
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作者 Jiaxin Yang Qingqing Liu +7 位作者 Mengxiao Hu Shang Ding Jinyu Liu Yongshuai Wang Dan Liu Haikuo Gao Wenping Hu Huanli Dong 《Science China Chemistry》 SCIE EI CSCD 2021年第8期1410-1416,共7页
Conjugated polymers with well-balanced ambipolar charge transport is essential for organic circuits at low cost and large area with simplified fabrication techniques.Aiming at this point,herein,a novel asymmetric thio... Conjugated polymers with well-balanced ambipolar charge transport is essential for organic circuits at low cost and large area with simplified fabrication techniques.Aiming at this point,herein,a novel asymmetric thiophene/pyridine-flanked diketopyrrolopyrrole-based copolymer(PPyTDPP-2FBT)is designed and synthesized.Due to the effect of incorporating F atoms on molecular energy alignment and conjugation conformation,the PPyTDPP-2FBT copolymer exhibits typical V-shaped ambipolar field-effect transfer characteristics with well-balanced hole and electron mobilities of 0.64 and 0.46 cm^(2)V^(−1)s^(−1),respectively.Furthermore,organic digital and analog circuits such as inverters and frequency doublers are successfully constructed based on solution-processed films of the PPyTDPP-2FBT copolymers which show a typical circuit operating mode with a high gain of 133 due to the well-balanced electrical properties.In addition,PPyTDPP-2FBT-based devices also demonstrate good stability and batch repeatability,suggesting their great potential applications in organic integrated electronic circuits. 展开更多
关键词 conjugated polymers balanced ambipolar transport property organic field effect transistor inverter frequency doubler
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A broadband GaAs MMIC frequency doubler on left-handed nonlinear transmission lines
8
作者 董军荣 黄杰 +2 位作者 田超 杨浩 张海英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期89-92,共4页
A broadband frequency doubler using left-handed nonlinear transmission lines(LH NLTLs) based on MMIC technology is reported for the first time.The second harmonic generation on LH NLTLs was analyzed theoretically. A... A broadband frequency doubler using left-handed nonlinear transmission lines(LH NLTLs) based on MMIC technology is reported for the first time.The second harmonic generation on LH NLTLs was analyzed theoretically. A four-section LH NLTL which has a layout of 5.4×0.8 mm^2 was fabricated on GaAs semi-insulating substrate. With 20-dBm input power,the doubler obtained 6.33 dBm peak output power at 26.8 GHz with 24-43 GHz—6 dBm bandwidth.The experimental results were quite consistent with the simulated results.The compactness and the broad band characteristics of the circuit make it well suit for GaAs RF/MMIC application. 展开更多
关键词 GAAS MMIC technology LH NLTLs frequency doubler
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基于肖特基平面二极管的150GHz和180GHz固定调节式倍频源(英文) 被引量:10
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作者 姚常飞 周明 +2 位作者 罗运生 王毅刚 许从海 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期102-107,共6页
利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体... 利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体电路性能,提取相应的S参数文件,分析倍频器的效率.150 GHz二倍频器在149.2 GHz测得最高倍频效率7.5%,在147.4~152 GHz效率典型值为6.0%;180 GHz二倍频器在170 GHz测得最高倍频效率14.8%,在150~200 GHz效率典型值为8.0%. 展开更多
关键词 二倍频器 肖特基平面二极管 谐波平衡分析 效率
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基于倒扣技术的190~225GHz肖特基二极管高效率二倍频器(英文) 被引量:5
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作者 姚常飞 周明 +1 位作者 罗运生 寇亚男 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期6-9,28,共5页
基于分立式GaA s肖特基势垒二极管,研制出了190~225 GHz高效率二倍频器.50μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻... 基于分立式GaA s肖特基势垒二极管,研制出了190~225 GHz高效率二倍频器.50μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻抗匹配电路.在202 GHz,测得最高倍频效率为9.6%,当输入驱动功率为85.5 mW时,其输出功率为8.25 mW;在190~225 GHz,测得倍频效率典型值为7.5%;该二倍频器工作频带宽、效率响应曲线平坦,性能达到了国外文献报道的水平. 展开更多
关键词 GaAs肖特基二极管 二倍频器 太赫兹 效率
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VCSEL直接倍频蓝光固态激光器的研究 被引量:13
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作者 马莹 王成 缪同群 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期253-259,共7页
980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)采用直接倍频和在复合腔中倍频两种方式实现了490nm蓝光输出。整形采用0.23p@980nm的自聚焦透镜(GRINlens),倍频晶体选择非线性系数相对较大、允许角相对较宽的LBO晶体。在VCSEL输出功率为530mW时,选取... 980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)采用直接倍频和在复合腔中倍频两种方式实现了490nm蓝光输出。整形采用0.23p@980nm的自聚焦透镜(GRINlens),倍频晶体选择非线性系数相对较大、允许角相对较宽的LBO晶体。在VCSEL输出功率为530mW时,选取透过波长为980nm、长度为0.23pitch的自聚焦透镜整形,倍频晶体选择2mm×2mm×5mm的LBO晶体,输出了50μW的490nm蓝光,在增加了曲率半径R=50mm的外腔镜后得到了70μW的490nm蓝光。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 直接倍频 复合腔 LBO晶体 自聚焦透镜 二次谐波振荡
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微波二极管检波特性分析 被引量:10
12
作者 刘丹 尹应增 史小卫 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期810-813,818,共5页
基于矩量法技术对微波二极管检波器的检波特性进行了分析.通过计算机仿真,研究了高频波纹及工作频率对微波二极管检波特性的影响.并将这一分析方法拓展到对倍压整流检波电路的分析,该方法已应用于设计微波电子标签的检波电路.在同等接... 基于矩量法技术对微波二极管检波器的检波特性进行了分析.通过计算机仿真,研究了高频波纹及工作频率对微波二极管检波特性的影响.并将这一分析方法拓展到对倍压整流检波电路的分析,该方法已应用于设计微波电子标签的检波电路.在同等接收功率的条件下,倍压整流检波电路得到了更高的输出电压,提高了微波射频识别系统的灵敏度,取得了良好的预期效果. 展开更多
关键词 矩量法 微波二极管检波器 高频波纹 工作频率 倍压整流检波电路
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Q频段变容二极管二倍频器设计 被引量:4
13
作者 郭健 许正彬 +1 位作者 钱澄 窦文斌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期550-553,共4页
采用商用变容二极管MA46H146设计了一款Q频段串联单管二倍频器。通过拟合该变容二极管的电容-电压曲线以补充该二极管技术资料中不完整的模型参数。针对宽带倍频的设计目的,该变容二极管的输入匹配网络采用高低阻抗线低通滤波器与相移... 采用商用变容二极管MA46H146设计了一款Q频段串联单管二倍频器。通过拟合该变容二极管的电容-电压曲线以补充该二极管技术资料中不完整的模型参数。针对宽带倍频的设计目的,该变容二极管的输入匹配网络采用高低阻抗线低通滤波器与相移传输线实现,输出匹配网络由低插入损耗带通滤波器及相移传输线实现。测试结果与仿真结果吻合,该二倍频器在输入功率为14.5dBm,变容管偏置电压1.2 V时,43~49GHz频段内倍频效率大于12.6%,最高效率34.7%。 展开更多
关键词 商用变容二极管 二倍频 Q频段
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300 MHz核磁共振频率源的研制 被引量:4
14
作者 乔勇 季文彬 蒋瑜 《波谱学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期495-501,共7页
介绍了基于Analog Device公司AD9954设计的数字化频率源,可以实现宽带高频(5MHz^125 MHz、280 MHz^301 MHz)、高稳定度(1×10-9)、低相位噪声(301 MHz,≤-127 dBc/Hz@250 kHz offset)频率输出以及频率、相位和幅度的高速切换.该数... 介绍了基于Analog Device公司AD9954设计的数字化频率源,可以实现宽带高频(5MHz^125 MHz、280 MHz^301 MHz)、高稳定度(1×10-9)、低相位噪声(301 MHz,≤-127 dBc/Hz@250 kHz offset)频率输出以及频率、相位和幅度的高速切换.该数字化频率源可应用于300 MHz核磁共振谱仪和磁共振成像仪,可部分取代昂贵的进口频率源.本文最后给出核磁实验结果. 展开更多
关键词 核磁共振 频率源 直接数字合成 模拟倍频结合 相位噪声
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基于石英基片工艺的D频段平衡式二倍频器设计(英文) 被引量:5
15
作者 郭健 许正彬 +1 位作者 钱澄 窦文斌 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期491-496,共6页
设计了一款D频段基于商用平面肖特基二极管DBES105a以及石英基片的二倍频器.通过对传统的用于平衡式混频器及倍频器的鳍线/悬置微带线巴伦耦合器进行改进,提出了一种方便为肖特基二极管外加偏置的平衡式倍频结构.首先,提出了一种适用于... 设计了一款D频段基于商用平面肖特基二极管DBES105a以及石英基片的二倍频器.通过对传统的用于平衡式混频器及倍频器的鳍线/悬置微带线巴伦耦合器进行改进,提出了一种方便为肖特基二极管外加偏置的平衡式倍频结构.首先,提出了一种适用于石英基片的波导/鳍线过渡结构,并且通过仿真及实验对该结构进行了验证,测试结果表明,这种过渡结构的损耗只有0.15 dB.在驱动功率为26.3 mW、外加反偏电压为0.4 V时,倍频器的测试最大输出功率为3.39 mW,对应倍频效率为12.9%.在外加偏置电压偏离最佳偏置点时,倍频器的输出功率从3.1mW降低到2.0 mW.这也说明:为了达到最大倍频输出功率,也需要为肖特基变阻二极管倍频器提供外加直流偏置. 展开更多
关键词 D频段 平衡式倍频器 石英基片 鳍线 悬置微带线耦合器 直流偏置
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基于分段FFT的GPS L1/L2C信号快速捕获算法 被引量:6
16
作者 曾庆喜 唐琳琳 +1 位作者 王庆 陈小惠 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第5期640-645,共6页
软件接收机要实现对L1/L2C双频GPS信号的跟踪,必须捕获到L1信号中的C/A码和L2C信号中的CM或CL码。但由于L2C信号的长度较长,采用直接捕获的方法计算量大、占用存储空间大,无法在软件接收机上实现。针对以上问题,提出一种适合于软件接收... 软件接收机要实现对L1/L2C双频GPS信号的跟踪,必须捕获到L1信号中的C/A码和L2C信号中的CM或CL码。但由于L2C信号的长度较长,采用直接捕获的方法计算量大、占用存储空间大,无法在软件接收机上实现。针对以上问题,提出一种适合于软件接收机实现的基于分段FFT的GPS L1辅助L2C信号快速精确捕获算法。本算法通过捕获到的L1信号辅助L2C信号实现载波多普勒频移搜索,同时利用分段FFT技术进行L2C码相位并行搜索,最终对实现L2C信号的捕获。计算和仿真实验结果表明,该捕获算法的计算量减少了约200倍,并且大大节省了存储空间,实现了软件接收机中L1/L2C双频信号的快速精确捕获。 展开更多
关键词 GPS 软件接收机 快速捕获 L1辅助L2C 分段FFT
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D频段新型二倍频器设计 被引量:4
17
作者 刘伟 张勇 +1 位作者 卢秋全 林为干 《微波学报》 CSCD 北大核心 2013年第2期21-24,29,共5页
利用阻性二极管实现了一种D频段二倍频器,设计了一种新型双鳍线输入过渡结构,并成功应用于该二倍频器,该结构能更好地实现输入波导与二极管的匹配。该二倍频器采用肖特基势垒二极管MA4E2038,电路制作在0.05 mm厚石英基片上。仿真结果表... 利用阻性二极管实现了一种D频段二倍频器,设计了一种新型双鳍线输入过渡结构,并成功应用于该二倍频器,该结构能更好地实现输入波导与二极管的匹配。该二倍频器采用肖特基势垒二极管MA4E2038,电路制作在0.05 mm厚石英基片上。仿真结果表明,在146.8 GHz处获得最高倍频效率10.3%。实物测试结果显示,在自偏置情况下倍频器在148 GHz处获得最高倍频效率2.3%,在0.7 V偏置电压下倍频器在154 GHz处获得最大输出功率1.1 mW。输出功率可以满足多数应用下对信号源的需求,该倍频器对处于大气窗口的140GHz通信系统具有借鉴作用。 展开更多
关键词 二倍频 阻性二极管 D频段 双鳍线过渡
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基于开关电容的自动跟踪滤波器的设计及研究 被引量:11
18
作者 陈怀超 丛培田 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2003年第10期38-39,共2页
介绍了一种开关电容式自动跟踪滤波器。这种跟踪滤波器以状态变量滤波器为基础,通过锁相倍频器和开关电容实现滤波器的中心频率与控制频率相等。该滤波器不仅能在跟踪滤波的同时放大同频信号,而且还具有处理速度快、整体结构简单等优点... 介绍了一种开关电容式自动跟踪滤波器。这种跟踪滤波器以状态变量滤波器为基础,通过锁相倍频器和开关电容实现滤波器的中心频率与控制频率相等。该滤波器不仅能在跟踪滤波的同时放大同频信号,而且还具有处理速度快、整体结构简单等优点。此外,还给出了具体电路的参数和试验测试结果。 展开更多
关键词 自动跟踪滤波器 锁相环倍频器 开关电容 设计
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高压倍加电路脉冲工作特性的研究 被引量:3
19
作者 卢洪波 魏宝杰 袁进儒 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期22-24,共3页
论述了直流变换式高压倍加电路的频率持性和负载特性,分析了影响这些特性的原因,提出了选择最佳工作频段的方法和原则。
关键词 高压倍加电路 负载特性 电路理论 频率响应
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硒镓银倍频器的输出特性 被引量:2
20
作者 杨立书 鲁士平 +4 位作者 程干超 杨琳 吴海信 杜立人 史保森 《量子电子学》 CSCD 1994年第4期285-287,303,共4页
我们用坩埚下降法生长出φ20×60mm的硒镓银(AgGaSe2)单晶。在11mm长的AgGaSe2倍频器中获得了TEACO2激光的倍频输出,在15.16mJ泵浦光下5.3μm倍频光单脉冲输出能量为402μJ,其内... 我们用坩埚下降法生长出φ20×60mm的硒镓银(AgGaSe2)单晶。在11mm长的AgGaSe2倍频器中获得了TEACO2激光的倍频输出,在15.16mJ泵浦光下5.3μm倍频光单脉冲输出能量为402μJ,其内部能量转换效率为2.66%,外部匹配角宽度约为4°。 展开更多
关键词 TEACO2激光 倍频器 非线性光学 晶体
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