期刊文献+
共找到174篇文章
< 1 2 9 >
每页显示 20 50 100
基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片
1
作者 徐伟 赵子润 +1 位作者 刘会东 李远鹏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期575-579,588,共6页
基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、... 基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、衰减和放大等电路拓扑结构,以获得良好的幅相特性;采用紧凑布局、双通道对称的版图设计,以实现小尺寸和高性能。测试结果表明,+5 V电压下,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩点输出功率大于8 dBm;发射通道增益大于1 dB,1 dB压缩点输出功率大于2 dBm;64态移相均方根误差小于2.5°,16态衰减均方根误差小于0.3 dB,芯片尺寸为3.90 mm×2.25 mm。该多功能芯片可实现对射频信号幅度和相位的高精度控制,可广泛应用于微波收发模块。 展开更多
关键词 双通道 多功能芯片 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT) 单刀双掷(spdt)开关 数控移相器 数控衰减器
下载PDF
采用共面波导的高性能反射型MMIC SPST和SPDT开关芯片系列 被引量:2
2
作者 戴永胜 陈堂胜 +6 位作者 俞土法 刘琳 高树平 杨立杰 张颖芳 陈继义 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2000年第4期453-453,共1页
关键词 共面波导 MMIC SPST spdt
下载PDF
一种宽带高隔离度SPDT开关的设计与实现 被引量:8
3
作者 张晨新 麻来宣 +1 位作者 梁建刚 龙戈农 《工程设计学报》 CSCD 北大核心 2006年第5期325-328,共4页
采用多个P IN管设计并制作了一种串/并联结构的宽带高隔离度微带单刀双掷(s ing le po le doub le throw,SPDT)开关.首先建立了所用型号的P IN管开路、短路的等效电路模型;然后借助于CAD软件Serenade进行了电路仿真和参数优化,得到了很... 采用多个P IN管设计并制作了一种串/并联结构的宽带高隔离度微带单刀双掷(s ing le po le doub le throw,SPDT)开关.首先建立了所用型号的P IN管开路、短路的等效电路模型;然后借助于CAD软件Serenade进行了电路仿真和参数优化,得到了很好的仿真结果;最后设计出电路制版图并制作了经济实用的微带开关,经过实验测量达到了技术指标要求. 展开更多
关键词 宽带 单刀双掷开关 插损 隔离度
下载PDF
SPDT 法控制非轴对称光学镜面的加工 被引量:1
4
作者 任要正 廖月明 陈懋圻 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期581-585,共5页
论述采用数控单点金刚石切削(SPDT)技术加工非轴对称光学镜面的设计与实现,介绍了该数控系统的软硬件结构及工艺参数的选择,分析了加工中的误差影响因素.实验表明:用数控SPDT加工非轴对称光学镜面是可行的.
关键词 数控切削 spdt 非轴对称 光学镜面
下载PDF
三毫米鳍线PIN管SPDT开关 被引量:1
5
作者 何立权 王春荣 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1992年第3期118-124,共7页
鳍线是适合于集成化电路的传输介质,鳍线PIN管开关具有结构简单、体积小、机械加工精度要求不高、可靠性高、成本低等优点,且易于和其他集成电路连接构成集成化子系统。用鳍线作为基本传输线与梁式引线二极管构成三毫米波段的鳍线PIN管S... 鳍线是适合于集成化电路的传输介质,鳍线PIN管开关具有结构简单、体积小、机械加工精度要求不高、可靠性高、成本低等优点,且易于和其他集成电路连接构成集成化子系统。用鳍线作为基本传输线与梁式引线二极管构成三毫米波段的鳍线PIN管SPDT开关。PIN管与鳍线采用并联型结构,其原理如图1所示。鳍线基片夹在波导架中,基片介质采用RT/DUROID 5880,梁式引线PIN管横跨槽缝焊接于两鳍上,PIN管在2。 展开更多
关键词 鳍线 PIN管 spdt开关
下载PDF
手机用GaAs SPDT开关的全离子注入技术 被引量:1
6
作者 钮利荣 徐筱乐 +1 位作者 蒋幼泉 杨端良 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期49-52,共4页
对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的 Ga As全离子注入技术进行了实验比较和讨论 ,认为 76mmGa As圆片经光片注入 Si离子后包封 40 nm Si O2 +60 nm Si N进行快速退火再进行 B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面... 对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的 Ga As全离子注入技术进行了实验比较和讨论 ,认为 76mmGa As圆片经光片注入 Si离子后包封 40 nm Si O2 +60 nm Si N进行快速退火再进行 B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面物理性能好、产品成本低、重复性和均匀性好、成品率高及器件性能优良。 展开更多
关键词 离子注入 包封退火 双层介质 spdt开关 手机 砷化镓
下载PDF
一种具有低插入损耗耗PIN SPDT开关设计 被引量:1
7
作者 吴云飞 董艳红 +2 位作者 侯宪春 张漫 何生晖 《佳木斯大学学报(自然科学版)》 CAS 2016年第6期939-942,共4页
目前射频单刀双掷开关是射频控制电路的基本器件,其主要作用是控制射频微波传输系统中微波信号的通断。经常被应用于诸如微波信号源用的脉冲调制器,以及目前公网RRU中的驻波检测与DPD校准侧,通过切换开关,实现驻波检测以及DPD校准等功能... 目前射频单刀双掷开关是射频控制电路的基本器件,其主要作用是控制射频微波传输系统中微波信号的通断。经常被应用于诸如微波信号源用的脉冲调制器,以及目前公网RRU中的驻波检测与DPD校准侧,通过切换开关,实现驻波检测以及DPD校准等功能,特别是对于TDD系统而言,大功率的射频开关可以起到Tx和Rx之间的切换,实现系统设计。可见目前射频开关在通信系统中扮演者重要的角色。本文首先通过详细的分析PIN二极管的各项参数性能,并在此基础上,分析了PIN开关的理论分析方法。通过以上分析建立一个PIN单刀双掷开关,通过仿真,各项指标良好。 展开更多
关键词 PIN二极管 射频开关 单刀双掷
下载PDF
1.0μm Gate-Length GaAs MHEMT Devices and SPDT Switch MMICs
8
作者 徐静波 黎明 +6 位作者 张海英 王文新 尹军舰 刘亮 李潇 张健 叶甜春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期668-671,共4页
1.0μm gate-length GaAs-based MHEMTs have been fabricated by MBE epitaxial material and contact-mode lithography technology. Pt/Ti/Pt/Au and Ti/Pt/Au were evaporated to form gate metals. Excellent DC and RF performanc... 1.0μm gate-length GaAs-based MHEMTs have been fabricated by MBE epitaxial material and contact-mode lithography technology. Pt/Ti/Pt/Au and Ti/Pt/Au were evaporated to form gate metals. Excellent DC and RF performances have been obtained, and the transconductance, maximum saturation drain current density, threshold voltage, current cut-off frequency,and maximum oscillation frequency of Pt/Ti/Pt/Au and Ti/Pt/Au MHEMTs were 502 (503) mS/mm, 382(530)mA/mm,0.1( - 0.5)V,13.4(14.8)GHz,and 17.0(17.5)GHz,respectively. DC-10GHz single-pole double-throw (SPDT) switch MMICs have been designed and fabricated by Ti/Pt/Au MHEMTs. Insertion loss,isolation,input,and out- put return losses of SPDT chips were better than 2.93,23.34,and 20dB. 展开更多
关键词 MHEMT Pt/Ti/Pt/Au Ti/Pt/Au spdt MMIC
下载PDF
高性能DC-20GHz反射型GaAs MMIC SPST和SPDT开关
9
作者 戴永胜 陈堂胜 +5 位作者 岑元飞 俞土法 李辉 陈继义 李拂晓 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期234-234,共1页
关键词 砷化镓 MMEC SPST spdt开关 集成电路
下载PDF
低压低能耗应用的InGaAs/AlGaAsPHEMT单片微波SPDT开关 被引量:2
10
作者 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期244-251,共8页
提出了微波频率下PHEMT在作开关运用时一种简化的等效电路模型,其模型参数可从对实际PHEMT芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能(插入损耗,隔离度,输入及输出反射损耗)... 提出了微波频率下PHEMT在作开关运用时一种简化的等效电路模型,其模型参数可从对实际PHEMT芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能(插入损耗,隔离度,输入及输出反射损耗)的模拟计算表明,与实验结果符合良好。在对串/并联PHEMT型SPDT开关的CAD优化设计基础上进行了InGaAs/AlGaAsPHEMT单片SPDT微波开关的实验研制。从研制的MMIC芯片上在片测试得到的结果为:对应新的个人通信频段的应用,在0~2GHZ范围内,插入损耗<1.0dB,隔离度>50dB,输入及输出反射损耗均优于24dB。研制的这种高性能单片开关还可在低至-2.0V的控制电压下工作。 展开更多
关键词 微波集成电路 微波半导体器件
下载PDF
非轴对称光学镜面的数控SPDT加工
11
作者 廖月明 任要正 +1 位作者 朱派龙 陈懋圻 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期47-50,共4页
论述采用数控单点金刚石车削(SPDT)技术加工非轴对称光学镜面的原理,介绍加工系统的结构、加工工艺参数及误差评定方法,实验表明,用数控SPDT技术加工非轴对称光学镜面是理想的。
关键词 非轴对称 光学镜面 金刚石切削 数控加工
下载PDF
铝镜消应力支撑及SPDT辅助装配设计 被引量:5
12
作者 龙波 邢廷文 廖胜 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期1-6,共6页
单点金刚石车削(SPDT)技术的发展为铝镜的批量化生产和应用奠定了工艺和技术基础。为减小安装预紧力、安装面不平引起的镜面变形从而保证光学像质,总结了典型的铝镜消应力支撑结构形式及设计原则。SPDT技术为光学辅助装配开辟了新的技... 单点金刚石车削(SPDT)技术的发展为铝镜的批量化生产和应用奠定了工艺和技术基础。为减小安装预紧力、安装面不平引起的镜面变形从而保证光学像质,总结了典型的铝镜消应力支撑结构形式及设计原则。SPDT技术为光学辅助装配开辟了新的技术途径,分别针对单侧单镜、双侧单镜及分离双镜的情况进行了SPDT辅助装配设计的说明,结合实例阐述了光学面、结构安装面、基准传递面、干涉检测参考基准面的集成式SPDT加工实现高精度装配基准传递保证反射面之间高对准精度的流程,该方法可提高光学系统装配效率,缩短产品研制周期。 展开更多
关键词 铝镜 消应力支撑 spdt辅助装配
下载PDF
宽带小型化高隔离度SPDT开关的研制 被引量:2
13
作者 王玉章 田殷 +2 位作者 王正伟 来晋明 羊恺 《现代电子技术》 2011年第2期154-156,共3页
微波开关是微波控制电路中的基本部件,是实现在各种恶劣环境和特定的空间内将微波信号进行切换的特定功能元件,它在雷达、电子对抗、微波通信、卫星通信以及微波测量等方面有着广泛的应用。在此通过合理的电路布局和结构设计,结合微... 微波开关是微波控制电路中的基本部件,是实现在各种恶劣环境和特定的空间内将微波信号进行切换的特定功能元件,它在雷达、电子对抗、微波通信、卫星通信以及微波测量等方面有着广泛的应用。在此通过合理的电路布局和结构设计,结合微组装工艺,实现了在3~12GHz范围内,插入损耗小于3.2dB,隔离度大于70dB,整体尺寸小于20mm×15mm×10mm的一种宽带小型化SPDT开关。 展开更多
关键词 spdt开关 宽带 小型化{高隔离度 微组装
下载PDF
基于介质谐振器和PCB技术的SPDT滤波开关 被引量:1
14
作者 张朋飞 秦伟 +1 位作者 刘疆 陈建新 《重庆邮电大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2022年第4期694-699,共6页
针对时分双工(time division duplex,TDD)子系统同时对滤波器和开关的需求,将二者相融合提出了一种滤波开关设计方案。介质谐振器滤波器因具有高Q值、低损耗等特点而被广泛研究,然而其不易与PIN管集成,难以实现开关功能。基于介质谐振... 针对时分双工(time division duplex,TDD)子系统同时对滤波器和开关的需求,将二者相融合提出了一种滤波开关设计方案。介质谐振器滤波器因具有高Q值、低损耗等特点而被广泛研究,然而其不易与PIN管集成,难以实现开关功能。基于介质谐振器和印刷电路板(printed circuit board,PCB)技术设计了一种低损耗、高隔离度的单刀双掷(single pole double throw,SPDT)滤波开关。设计以介质谐振器滤波器为滤波主体,同时在PCB上实现SPDT开关功能,滤波功能和开关功能可独立设计,降低了设计难度。开关电路在导通状态时等效为一段传输线,因而仅会增加很少的插入损耗。加工并测试了一个设计实例,测试结果表明,打开状态下的带内损耗为0.92 dB左右,关闭状态下的隔离度优于47 dB。与传统单纯PCB滤波开关相比,该设计具有更低的插入损耗、更高的隔离度。 展开更多
关键词 介质谐振器 印刷电路板(PCB)技术 滤波开关 单刀双掷(spdt)
下载PDF
一种宽带吸收式SPDT开关的设计与实现 被引量:1
15
作者 廖雯 唐光庆 +2 位作者 邓立科 吴光春 张雨 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第3期360-362,共3页
射频开关作为微波通信系统的一种关键部件,广泛应用于各种军用电子系统中。该文详细介绍了一种基于PIN二极管的单刀双掷开关的设计技术和实现方法,测试结果表明,该开关在2-8GHz频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于70dB。
关键词 单刀双掷开关 PIN二极管 插入损耗 隔离度
下载PDF
一种改进型宽带SPDT开关的设计及其应用 被引量:2
16
作者 吴青锋 张晓苗 应涛 《应用科技》 CAS 2009年第5期9-11,共3页
描述了单刀双掷PIN管开关的原理,提出了一种改进的3倍频程宽带开关,并给出了设计和测量结果,具有频带宽、隔离度高和插损低的特点,弥补了传统并联二极管带宽窄的缺点,结合其在实际天线阵列中的应用,验证了该开关的实用性,给出了其在天... 描述了单刀双掷PIN管开关的原理,提出了一种改进的3倍频程宽带开关,并给出了设计和测量结果,具有频带宽、隔离度高和插损低的特点,弥补了传统并联二极管带宽窄的缺点,结合其在实际天线阵列中的应用,验证了该开关的实用性,给出了其在天线阵中的测量结果. 展开更多
关键词 单刀双掷 PIN开关 宽带 共形天线阵
下载PDF
A novel multifunctional electronic calibration kit integrated by MEMS SPDT switches 被引量:3
17
作者 Shan-Shan Wang Qian-Nan Wu +4 位作者 Yue-Sheng Gao Jian-Gang Yu Qian-Long Cao Lu-Lu Han Meng-Wei Li 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第11期644-649,共6页
Design and simulation results of a novel multifunctional electronic calibration kit based on microelectromechanical system(MEMS)single-pole double-throw(SPDT)switches are presented in this paper.The short-open-load-th... Design and simulation results of a novel multifunctional electronic calibration kit based on microelectromechanical system(MEMS)single-pole double-throw(SPDT)switches are presented in this paper.The short-open-load-through(SOLT)calibration states can be completed simultaneously by using the MEMS electronic calibration,and the electronic calibrator can be reused 10^(6) times.The simulation results show that this novel electronic calibration can be used in a frequency range of 0.1 GHz–20 GHz,the return loss is less than 0.18 dB and 0.035 dB in short-circuit and open-circuit states,respectively,and the insertion loss in through(thru)state is less than 0.27 dB.On the other hand,the size of this novel calibration kit is only 6 mm×2.8 mm×0.8 mm.Our results demonstrate that the calibrator with integrated radiofrequency microelectromechanical system(RF MEMS)switches can not only provide reduced size,loss,and calibration cost compared with traditional calibration kit but also improves the calibration accuracy and efficiency.It has great potential applications in millimeter-wave measurement and testing technologies,such as device testing,vector network analyzers,and RF probe stations. 展开更多
关键词 microelectromechanical system(MEMS) electronic calibration kit single-pole double-throw(spdt)switch short-open-load-through(SOLT)calibration
下载PDF
SPDT微波开关的设计 被引量:2
18
作者 赵芳丽 《科技创新导报》 2008年第21期8-9,共2页
在收发共用的天线体制雷达系统中,天线收发开关是一种重要的装置。这个系统对微波开关的隔离度、转换速度、插损等要求比较高。本文就以HMC284微波开关芯片为基础,设计了一种高隔离度的SPDT微波开关。
关键词 收发开关 隔离度 插损 spdt
下载PDF
金属反射镜的SPDT技术及再结晶退火温度对其表面反射率的作用(英文) 被引量:1
19
作者 于劲 张学军 马文生 《光学机械》 CSCD 1992年第1期68-72,共5页
讨论用单点金刚石切削技术制作金属反射镜,并给出其表面粗糙度(R_a,R_(max))和反射率的测试结果。另外,初步探讨了再结晶退火温度对镜面反射率的作用。
关键词 金属反镜 spdt技术 反射率 温度
下载PDF
一种低插损高隔离度毫米波SPDT开关 被引量:1
20
作者 彭雄 刘韬 +1 位作者 陈昆 乔哲 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第2期216-220,共5页
基于55 nm CMOS工艺,设计了一种工作于28 GHz的对称型单刀双掷(SPDT)开关。采用串并联拓扑结构实现高隔离度,通过MOS管与电感器构成的开关电感进行LC阻抗匹配,从而实现了低插入损耗和较小芯片面积。开关管采用悬浮衬底设计,减小了插入损... 基于55 nm CMOS工艺,设计了一种工作于28 GHz的对称型单刀双掷(SPDT)开关。采用串并联拓扑结构实现高隔离度,通过MOS管与电感器构成的开关电感进行LC阻抗匹配,从而实现了低插入损耗和较小芯片面积。开关管采用悬浮衬底设计,减小了插入损耗,提高了线性度。仿真结果表明,该SPDT开关在工作频率下,插入损耗小于1.7 dB,隔离度大于30 dB,输入输出回波损耗小于-20 dB,输入1 dB压缩点为12 dBm。芯片尺寸为240μm×180μm。 展开更多
关键词 spdt开关 开关电感 浮体 CMOS工艺
下载PDF
上一页 1 2 9 下一页 到第
使用帮助 返回顶部