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应用NAND型闪存的高速大容量图像存储器 被引量:16
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作者 余辉龙 何昕 +1 位作者 魏仲慧 王东鹤 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2548-2554,共7页
针对单片闪存存储速度低,容量小,且存在无效块的问题,提出了一种高速大容量图像存储器的可靠性存储方案。通过分析闪存的组织结构和特征,并区分闪存写入无效块和非写入无效块,提出了基于CAM的数据分类匹配检测机制,以提高无效块信息匹... 针对单片闪存存储速度低,容量小,且存在无效块的问题,提出了一种高速大容量图像存储器的可靠性存储方案。通过分析闪存的组织结构和特征,并区分闪存写入无效块和非写入无效块,提出了基于CAM的数据分类匹配检测机制,以提高无效块信息匹配速度,并采用SRAM阵列冗余备份防止数据写入错误。在此基础上,提出了具有双总线结构的双流水线机制,多个流水线级出现写入无效块时,不中断流水线,保证存储器写入速度。通过搭建硬件平台进行实验测试,结果表明,该方法能够在5个系统时钟周期内实现无效块匹配,其持续存储速度达到960 Mb/s,持续读取速度达到1.152 Gb/s,擦除速度达到27.3 Gb/s,系统存储容量为80 GB。 展开更多
关键词 无效块管理 内容可寻址存储器 冗余备份 双流水线 双总线结构
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一种井下大容量存储设备的设计
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作者 范宁 《控制工程》 CSCD 北大核心 2015年第S1期121-125,共5页
设计了一种以dsPIC33FJ128MC804数字信号控制器为主控芯片的井下大容量存储设备。该设备通过半双工485现场总线接收信息帧,利用SPI串行总线先将数据存储在非易失磁阻存储芯片构成的缓冲存储器内,再把数据从缓冲存储器转存到闪存阵列中... 设计了一种以dsPIC33FJ128MC804数字信号控制器为主控芯片的井下大容量存储设备。该设备通过半双工485现场总线接收信息帧,利用SPI串行总线先将数据存储在非易失磁阻存储芯片构成的缓冲存储器内,再把数据从缓冲存储器转存到闪存阵列中。设计中使用无读写次数限制的缓冲存储器,延长了设备的使用寿命;使用基于非易失磁阻存储芯片的双备份方式存储地址,并对地址进行CRC校验,实现了掉电地址保护功能。该设备能够适应井下高温环境,满足了数据实时存储的要求。 展开更多
关键词 存储设备 缓存 双备份地址 高温
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