采用逆导型IGBT的新型3A/600V DIP-IPM

三菱电机日前已开发出一种采用新型功率硅片技术的3A/600V超小型双列直插式智能功率模块(IPM),即第4代DIP-IPM。该技术将续流二极管的硅片集成到IGBT硅片上,从而将模块内部的硅片数量减少了一半,使得IPM的可靠性更高,功率密度更大。在此,介绍了这种新技术以及3A/600V第4代DIP-IPM的设计和特性。

双向IGBT理论模型及其封装形式可行性研究

针对常规IGBT在应用中存在的一些不足,提出了一种五层四端结构的新型双向IGBT功率半导体器件,其核心是以平面栅型IGBT为基础,通过对新器件采取对称结构和两路输入控制的方法,从而达到对新器件双向控制的目的。文中详细分析了它的原理,首先推导该双向IGBT的理论模型及其控制策略,然后建立实验电路验证,最后对该双向IGBT的封装形式做了一定的探讨。综合分析的结果表明,该双向IGBT具备双向导通和双向阻断能力,文中提出的双重关断方案,不但能有效减小器件在关断时的拖尾电流,还能提高器件的工作频率。

一种新型可装配式PGA陈列引脚封装千兆网络高频脉冲变压器

局域网的使用逐年走进千家万户,每条网线的两端都必须各有一个相应的网络变压器来匹配网线与网络芯片,所以网络变压器的不断创新与发展要跟上网络设备的更新换代。如何在提高电子消费品的性能和可靠性的同时,又能降低成本,将是提高网络变压器生产企业行业竞争力的唯一途径。该研究介绍的一种新型封装的网络变压器可以满足这些要求,为国家信息网络国产化建设起到巨大的推动作用。

一种实现双面通孔回流的焊接技术

本文主要介绍了一种可实现双面通孔回流（THR）的焊接技术，希望给业界同行提供一些借鉴。

双列直插器件(DIP)焊接过程中的应力评价

为探讨陶瓷封装双列直插器件在焊接后出现开裂的问题,应用云纹干涉法和Twyman/Green干涉法实时测试了该类型器件在焊接过程中的面内和离面变形情况,并将测试数据与有限元法相结合,评估了焊接过程中器件内部因印制板变形而产生的应力大小。由此对原先"焊接导致开裂"的说法做出了评价。同时,通过器件的变形测试,探讨了优化焊接工艺的方法。研究结果表明,焊接顺序对器件内部热应力和器件变形影响不大,而适当提高器件高度可有效减小焊接时的热应力。