多烷基环戊烷/有机硅烷双层膜的制备及摩擦学性能研究

分别在羟基化硅片表面制备了多烷基环戊烷单组分润滑膜(MACs)、(3-胺丙基)三乙氧基硅烷自组装膜(APS-SAMs)和多烷基环戊烷/(3-胺丙基)三乙氧基硅烷双层润滑膜(MACs-APS),对比研究了不同润滑防护涂层的摩擦磨损性能.结果表明:在载荷0.1N、频率1Hz下,与APS-SAMs和MACs单组分膜相比,MACs-APS双层膜在保持较低摩擦系数的基础上,其耐磨性能显著提高,在失效前未发生明显磨损.在所制备的这种双层润滑薄膜体系中,流动性较好的MACs分子镶嵌在固定相APS-SAMs的网络中,因而产生较好的复合摩擦学性能.

基于EHW和双机热备技术的故障自修复电路系统设计

在充分利用EHW技术的自组织、自适应及自修复优点的基础之上,权衡传统冗余容错技术的可靠性和硬件资源消耗等指标,提出了EHW与双机热备技术相结合的故障自修复电路系统.对电路系统的模型进行了设计,对故障自修复流程进行了深入分析.基于EHW和双机热备技术的故障自修复电路系统具有重要的工程应用价值.

一种面向3D-IC中TSV阵列的动态双重自修复方法

硅通孔(TSV)是三维集成电路(3D-IC)的关键技术之一,缺陷TSV的片上自修复对于提升3D-IC的可靠性具有重要意义。针对现有片上缺陷TSV自修复方式对冗余TSV数量依赖性较高、可靠性较低等问题,提出了一种包含硬修复和软修复的双重自修复方法。该方法既可以对随机出现的缺陷TSV进行冗余TSV替换,从而实现硬修复;也可以在冗余TSV数量不足时,通过两种不同的软修复策略,对信号进行"并串-串并"转换,实现局部范围内的软修复。该方法能有效减少由大量冗余TSV造成的面积开销,降低缺陷TSV修复率对冗余TSV数量的依赖性,提高缺陷TSV的修复率和3D-IC的可靠性。