1
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平面型InGaAs/InP APD边缘提前击穿行为的抑制 |
肖雪芳
杨国华
王国宏
王树堂
陈良惠
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《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
1
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2
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基于0.35μm CMOS工艺的APD器件仿真分析 |
王巍
杜超雨
王婷
鲍孝圆
陈丽
王冠宇
王振
黄义
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《半导体光电》
CAS
北大核心
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2015 |
0 |
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3
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MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管 |
顾仁杰
沈川
王伟强
付祥良
郭余英
陈路
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《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
7
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4
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平面型InP/InGaAs雪崩光电二极管多级台阶结构研究 |
肖雪芳
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
0 |
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5
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三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计 |
朱帅宇
谢生
陈宇
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《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
3
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