类Be等电子序列的奇宇称高激发态结构(J=1)

应用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ），计算了类Ｂｅ原子体系（Ｂｅ－ＭｇⅨ）的高激发态结构（奇宇称，Ｊ＝１），得到了表征高激发态性质的ＥＱＤＴ参量及２ｐｎｓ，２ｐｎｄ和２ｓｎｐ组态的全部Ｒｙｄｂｅｒｇ能级位置及通道混合系数。从各种相互作用之间竞争的角度，讨论了高激发态结构沿该等电子序列的变化规律。

Be等电子序列高激发态结构(J=0,1,2,偶宇称)

本文应用本征通道量子亏损理论(EQDT)系统地研究了J=0,1,2,偶宇称Be等电子序列(BeI—SiⅪ)的高激发态结构.得到了描述高激发态结构的EQDT基本参量(μ,U_(i))以及它们随有效核电荷数增大的变化规律.以这些参量作为输入,获得了类Be体系2sns,2snd和2pnp(双激发态)组态的全部Rydberg能级及混合系数.计算结果表明,在高激发态,我们的理论结果与实验值相对误差在10^(-5)左右.

类氖原子体系的高激发态（偶宇称）

在计及自旋－轨道相互作用和组态相互作用条件下，用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ）方法系统地计算了氖等电子序列（从ＮｅＩ到ＣａＸＩ）偶字称的高激发态结构。所得结果与已有的实验数据符合得很好。

Be等电子序列的奇宇称(J=2)的高激发态结构

应用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ），研究ＢｅⅠ等电子序列（奇宇称，Ｊ＝２）的高激发态结构，得到了表征高激发态结构的ＥＱＤＴ参量（Ｕｉα，μα），以这些参量作为输入，获得了２ｓｎｐ、２ｐｎｓ、２ｓｎｆ、２ｐｎｄ组态的Ｒｙｄｂｅｒｇ能级位置及通道混合系数。