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用C离子的弹性反冲法测固体中氢分布
被引量:
2
1
作者
刘家瑞
朱沛然
+1 位作者
封爱国
李大万
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期7-12,共6页
文章介绍了用1.7MV小串列加速器提供的4—7MeV多电荷C离子,采用弹性反冲法(ERD)分析了α-Si:H中氢元素的深度分布。计算表明,近表面处的深度分辨率为15-30nm,可探测深度100—700nm。探讨了入射能量和散射几何条件的优化问题。比较了几...
文章介绍了用1.7MV小串列加速器提供的4—7MeV多电荷C离子,采用弹性反冲法(ERD)分析了α-Si:H中氢元素的深度分布。计算表明,近表面处的深度分辨率为15-30nm,可探测深度100—700nm。探讨了入射能量和散射几何条件的优化问题。比较了几种分析方法的测量结果。
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关键词
小串列
加速器
氢
分布
弹性反冲法
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职称材料
非晶硅a-Si:H膜中氢含量的深度分布研究
2
作者
彭秀峰
龙先灌
+5 位作者
何福庆
刘慢天
周心明
蔡伟
郑家贵
冯良桓
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1991年第3期325-330,共6页
用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si:H)作了氢剖析.测量了(本征)I-a-Si:H单层膜及PIN-a-Si:H多层膜.结果表明,在~1000A—~1500(?)表面层中,氢含量从外到内急剧下降,而在内部维持一稳定值,并且随着衬底温度增加,膜中氢含量线性减少.氢含量...
用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si:H)作了氢剖析.测量了(本征)I-a-Si:H单层膜及PIN-a-Si:H多层膜.结果表明,在~1000A—~1500(?)表面层中,氢含量从外到内急剧下降,而在内部维持一稳定值,并且随着衬底温度增加,膜中氢含量线性减少.氢含量的总误差小于10%,探测深度为~5000.
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关键词
氢化
非晶硅
薄膜
氢
深度分布
下载PDF
职称材料
题名
用C离子的弹性反冲法测固体中氢分布
被引量:
2
1
作者
刘家瑞
朱沛然
封爱国
李大万
机构
中国科学院物理研究所
中央民族学院物理系
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期7-12,共6页
基金
国家科学基金
文摘
文章介绍了用1.7MV小串列加速器提供的4—7MeV多电荷C离子,采用弹性反冲法(ERD)分析了α-Si:H中氢元素的深度分布。计算表明,近表面处的深度分辨率为15-30nm,可探测深度100—700nm。探讨了入射能量和散射几何条件的优化问题。比较了几种分析方法的测量结果。
关键词
小串列
加速器
氢
分布
弹性反冲法
Keywords
Hydrogen
depth
profile
of hydrogen
elastic recoil detection technique
分类号
TL52 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
非晶硅a-Si:H膜中氢含量的深度分布研究
2
作者
彭秀峰
龙先灌
何福庆
刘慢天
周心明
蔡伟
郑家贵
冯良桓
机构
四川大学原子核科学技术研究所
四川大学材料科学系
材四川大学料科学系
出处
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1991年第3期325-330,共6页
文摘
用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si:H)作了氢剖析.测量了(本征)I-a-Si:H单层膜及PIN-a-Si:H多层膜.结果表明,在~1000A—~1500(?)表面层中,氢含量从外到内急剧下降,而在内部维持一稳定值,并且随着衬底温度增加,膜中氢含量线性减少.氢含量的总误差小于10%,探测深度为~5000.
关键词
氢化
非晶硅
薄膜
氢
深度分布
Keywords
elastic recoil detection technique
,
hydrogenated amorphous silicon
,
depth profile.
分类号
O484.5 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用C离子的弹性反冲法测固体中氢分布
刘家瑞
朱沛然
封爱国
李大万
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
2
下载PDF
职称材料
2
非晶硅a-Si:H膜中氢含量的深度分布研究
彭秀峰
龙先灌
何福庆
刘慢天
周心明
蔡伟
郑家贵
冯良桓
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1991
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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