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用C离子的弹性反冲法测固体中氢分布 被引量：2
1
作者 刘家瑞 朱沛然 +1 位作者 封爱国 李大万 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期7-12,共6页
文章介绍了用1.7MV小串列加速器提供的4—7MeV多电荷C离子,采用弹性反冲法(ERD)分析了α-Si:H中氢元素的深度分布。计算表明,近表面处的深度分辨率为15-30nm,可探测深度100—700nm。探讨了入射能量和散射几何条件的优化问题。比较了几... 文章介绍了用1.7MV小串列加速器提供的4—7MeV多电荷C离子,采用弹性反冲法(ERD)分析了α-Si:H中氢元素的深度分布。计算表明,近表面处的深度分辨率为15-30nm,可探测深度100—700nm。探讨了入射能量和散射几何条件的优化问题。比较了几种分析方法的测量结果。 展开更多
关键词 小串列 加速器 氢 分布 弹性反冲法
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非晶硅a-Si:H膜中氢含量的深度分布研究
2
作者 彭秀峰 龙先灌 +5 位作者 何福庆 刘慢天 周心明 蔡伟 郑家贵 冯良桓 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1991年第3期325-330,共6页
用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si:H)作了氢剖析.测量了(本征)I-a-Si:H单层膜及PIN-a-Si:H多层膜.结果表明,在～1000A—～1500(?)表面层中,氢含量从外到内急剧下降,而在内部维持一稳定值,并且随着衬底温度增加,膜中氢含量线性减少.氢含量... 用弹性反冲法对氢化非晶硅(a-Si:H)作了氢剖析.测量了(本征)I-a-Si:H单层膜及PIN-a-Si:H多层膜.结果表明,在～1000A—～1500(?)表面层中,氢含量从外到内急剧下降,而在内部维持一稳定值,并且随着衬底温度增加,膜中氢含量线性减少.氢含量的总误差小于10％,探测深度为～5000. 展开更多
关键词 氢化 非晶硅 薄膜 氢 深度分布
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