加权平均算法在地电阻率日均值计算中的应用

针对目前地电阻率观测中受电磁干扰影响而出现的数据精度低和应用效能不高的问题,提出将每小时固定点观测视为非等精密度测量过程,引入“权重”的概念,应用加权平均法计算地电阻率日均值。与常规算术平均值相比,加权日均值大幅减小了电磁干扰影响,可更为客观和真实地反映地电阻率变化特性。无论观测条件和电磁环境如何变化,都可以采用加权平均算法计算日均值,为地震分析预报提供科学、可靠的数据资料。

润滑表面膜在线电测技术研究

为了在线研究摩擦副中表面膜的变化,提出采用摩擦副间的动态接触电阻定性地表征表面膜状态的测试技术．测量电路包括四臂电桥测电阻,信号放大、光耦隔离等模块．针对往复运动的特点,提出了可揭示表面膜状态的数据处理方法,并在自制的缸套/活塞环摩擦试验机上进行润滑条件下表面膜形成和损伤的试验研究．研究表明:采用接触电阻法可在线观测表面膜的形成、损伤及恢复等表面膜变化比较显著的过程．

CdZnTe核辐射探测器表面物理和化学钝化研究

表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe(CZT)探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。本文比较了探测器表面的物理和化学钝化工艺:采用H2O2溶液和KOH KCl溶液对CZT样品进行湿化学钝化处理,采用RFPCVD法在CZT样品表面沉积类金刚石薄膜(DLC)进行物理干法钝化。借助俄歇电子能谱(AES)和显微拉曼光谱以及ZC36微电流测试仪等手段研究了CZT表面组成与器件电学性能之间的关系。AES结果表明KOH KCl溶液钝化可以改善CZT样品表面的化学组分比,H2O2溶液钝化可以将表面富Te层转化为高阻氧化层,钝化前后的I V特性曲线表明两种化学钝化方法均可以有效地减小器件表面漏电流,达到满意的钝化效果。CZT样品表面物理钝化通过在样品表面沉积DLC薄膜加以实现,显微拉曼光谱表明CZT表面钝化层是高sp3含量的DLC薄膜,AES深度剖析表明DLC薄膜可以有效阻止CZT内部元素的外扩散,并且DLC薄膜内部C元素向CZT内部的扩散也是比较低的。DLC薄膜钝化后的CZT共面栅探测器表面栅距25μm的栅间电阻可以达到12GΩ,有效地降低了器件的表面漏电流。

关于用四针法测量条形导电纸电阻的研究

该文将本来用于测量金属材料电阻的四针法移植到导电纸上。导电纸的均匀性比金属差，但只需小电流即能工作。研究表明，该方法对无限大平面导电纸是可行的。继而对管形导电纸作了尝试。最后对条形导电纸的电阻测量总结出经验公式。

基于电-声联合的液膜厚度测量方法研究

为了拓宽液膜厚度的测量范围,提出了一种联合应用电阻法与超声渡越时间法的液膜厚度测量新方法;设计了新型的电-声复合传感器,建立了用于优化传感器电极结构参数的数值模型,以灵敏度和线性度为优化目标确定了最优电极参数,通过开展液膜厚度测量实验验证了联合测量方法的有效性;研究结果表明:同轴金属电极适合于测量较薄液膜,在2.4~4.4mm厚度范围内的相对误差为-4.93%至5.35%;超声探头更适用于测量较厚液膜,在3.4~10.0mm厚度范围内的相对误差为-3.68%至2.20%;通过联合应用电阻法和超声法可以拓展两种方法各自的测量范围并且提高测量结果的可靠性;所提出的电学-声学联合测量方法具有测量范围宽、非侵入、响应快、精度和灵敏度高、安全性好等优点,能够广泛适用于工业生产和实验室研究等场合。

导电聚合物薄膜电阻率测量系统的设计

介绍一种实用的导电聚合物薄膜电阻率测量系统。电阻率的测量原理基于四探针法与比率测量法,以低值恒压激励代替恒流激励,使2种方法结合在一起;然后以ARM7微控制器为系统核心,构建了量程自适应的半自动式系统架构;对电路实际能达到的分辨率和设计要求分辨率进行详细的分析;最后测量了系列标准电阻和部分导电聚合物薄膜样品的电阻率值,与标准方法进行了对比,分析了系统各项指标。

薄膜硅光伏组件的漏电通道模型及绝缘电阻的定量测试

为了研究薄膜硅光伏组件在高电压下的绝缘失效机制,建立了一个薄膜硅组件的漏电通道模型,并定量测试组件在湿热(damp heat,DH)实验前后各漏电通道的绝缘电阻,采用了独特的措施来避免各漏电通道之间的相互干扰,获得了较准确的结果。在DH实验之前,组件边缘的绝缘电阻比前后玻璃高20倍至2个数量级,前后玻璃处的漏电决定了组件绝缘性能。经过1 000 h的DH实验之后,边缘绝缘电阻大幅下降约2个数量级,成为小面积(300 mm×300 mm)组件绝缘性能的决定性因素,但是在大面积(1 300 mm×1 100 mm)组件中,前后玻璃在很多情况下仍是组件漏电流的主要通道。

eFuse熔丝电阻值的测量方法

作为电编程熔丝(eFuse)中的存储介质,熔丝的电阻值用来表征所存储的数据。2种采用5端口法设计的测试单元被用来测量eFuse单元中熔丝的电阻值以及编程控制管的特性参数,并应用于后续通过测试芯片测量eFuse中熔丝电阻的方案中,以间接测量eFuse编程通路的电阻值并消除漏电电流影响的方式准确推算出熔丝的电阻值。最后,提出了1种在常规eFuse中增加辅助电路来测量熔丝电阻的设计方案及测量方法。

确定微纳米尺度金属薄膜拉伸分叉点的实验研究

为了确定微纳米尺度金属薄膜的拉伸分叉点,本文使用磁控溅射镀膜技术,在PI(聚酰亚胺)基底上沉积500nm厚的铜薄膜,制作薄膜/基底结构拉伸试件。在单轴拉伸作用下,通过测量拉伸加载过程中铜薄膜的电阻变化情况,得到薄膜电阻随应变变化的关系,并与理论推导的结果进行对比分析,从而确定了塑性阶段理论曲线与实验曲线分离的点,即铜薄膜的分叉点。以此为基础,研究了铜薄膜在单轴拉伸作用下的分叉行为。研究结果表明,沉积于PI基底上的微纳米尺度铜薄膜在单轴拉伸下,经过弹性变形阶段后,很快就发生分叉,然后产生破坏,而塑性变形阶段和局部化阶段较短;弹性阶段薄膜的电阻变化速率很小,塑性阶段薄膜的电阻变化速率稍有增大,而当薄膜表面开始出现微裂纹后,电阻变化速率急剧增大。