SOI-LDMOS器件改善电安全工作区后驼峰现象的研究

研究了高压SOI-LDMOS器件在引入P-sink结构改善电安全工作区(E-SOA)后I-V特性曲线呈现的驼峰现象(hump)。首先将驼峰现象出现后器件的源端总电流分成电子电流与空穴电流单独分析,确定高栅压下电子电流阶梯上升是驼峰现象产生的表面原因,进而通过仿真分析出Kirk效应导致的空穴电流在表面漂移区中电导调制是驼峰现象产生的根本原因。最后,根据对驼峰现象的分析,设计出新器件结构成功消除了驼峰现象,为今后不同类型LDMOS器件改善I-V曲线驼峰现象提供了理论指导。

功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化

在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响。通过研究p^+带嵌入方式、p^+图形形状、p^+分布密度、阵列单元栅宽及总栅数、金属引线方式等进行了版图设计优化和流片。管芯传输线脉冲(TLP)E-SOA测试结果表明,优化后的版图使NLDMOS在5 V工作电压下TLP E-SOA提升约30%,金属引线的加宽和叠加使NLDMOS的开态电流提升约7%。带状紧凑型p^+带且双栅极嵌入的优化版图设计能更好地稳定硅衬底电位,抑制寄生三极管的开启,增大E-SOA,提高器件可靠性。因此,版图设计优化对提升功率NLDMOS的性能和可靠性具有实际意义。

高可靠性电力二次系统建设方案在长洲水电厂的应用

文章介绍了高可靠性电力二次系统建设方案。方案基于全面防护、突出重点、分层分区、强化边界、简单性和可靠性的基本原则进行设计,结合先进的信息技术,实现了电力二次系统的安全防护,提高了系统的可靠性,保障电力系统的正常稳定运行,满足电力二次系统建设要求。实际应用表明该方案达到了设计要求,具有很好的实际效果。

Kirk effect and suppression for 20 V planar active-gap LDMOS

For 20 V planar active-gap lateral double-diffused MOSFET （LDMOS）, the sectional channel is utilized to decrease the electric field in the n-drift region below the poly gate edge in the off-state, compared with the conventional single channel. Then the n-drift concentration can be increased to decrease the Kirk effect, while keeping off-state breakdown voltage Vbd unchanged. Meanwhile the influence of the n-drift concentration and the n-drift length Ldrift （the drain n＋ diffusion to gate spacing） which are related to the Kirk effect is discussed. The trade-offs between Rdson.Area, breakdown voltage Vbd and the electrical safe operating area （e-SOA） performance of LDMOS are considered also. Finally the proposed planar active-gap LDMOS devices with varied values of Ldria are experimentally demonstrated. The experimental results show that the Kirk effect can be greatly suppressed with slight increase in the Rdson.Area parameter.