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超大规模集成电路互连电迁移自由体积电阻模型
被引量:
10
1
作者
宗兆翔
杜磊
+2 位作者
庄奕琪
何亮
吴勇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期5872-5878,共7页
将晶核析出的Avrami方程应用于描述超大规模集成电路中金属Al薄膜互连电迁移过程中电阻的演变.根据电子散射理论,晶界电阻主要起源于晶界处空位或者空洞对电子的散射.为了描述这些离子的特征,引入了自由体积的概念,将晶界处电子散射这...
将晶核析出的Avrami方程应用于描述超大规模集成电路中金属Al薄膜互连电迁移过程中电阻的演变.根据电子散射理论,晶界电阻主要起源于晶界处空位或者空洞对电子的散射.为了描述这些离子的特征,引入了自由体积的概念,将晶界处电子散射这个复杂的过程简化用自由体积的有效散射截面来描述,从而建立了自由体积与电阻变化的定量关系,统一描述了电迁移过程中不同阶段的电阻变化.数值模拟结果表明,在第一个空洞成核时刻电阻会发生急剧变化,这一结果已被实验所证实.
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关键词
电迁移
al
互连
电阻变化
原文传递
题名
超大规模集成电路互连电迁移自由体积电阻模型
被引量:
10
1
作者
宗兆翔
杜磊
庄奕琪
何亮
吴勇
机构
西安电子科技大学技术物理学院
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期5872-5878,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:60376023)资助的课题.~~
文摘
将晶核析出的Avrami方程应用于描述超大规模集成电路中金属Al薄膜互连电迁移过程中电阻的演变.根据电子散射理论,晶界电阻主要起源于晶界处空位或者空洞对电子的散射.为了描述这些离子的特征,引入了自由体积的概念,将晶界处电子散射这个复杂的过程简化用自由体积的有效散射截面来描述,从而建立了自由体积与电阻变化的定量关系,统一描述了电迁移过程中不同阶段的电阻变化.数值模拟结果表明,在第一个空洞成核时刻电阻会发生急剧变化,这一结果已被实验所证实.
关键词
电迁移
al
互连
电阻变化
Keywords
electromigration
,
al interconnection
,
resistance changes
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超大规模集成电路互连电迁移自由体积电阻模型
宗兆翔
杜磊
庄奕琪
何亮
吴勇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
10
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