电子束散射角限制投影光刻掩模研制

掩模制作是电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL)的关键技术。通过优化工艺,制作出具有“纳米硅镶嵌结构”的低应力SiNx薄膜作为支撑;开发了电子束直写胶图形的加法工艺,在支撑薄膜上得到清晰的钨 / 铬散射体图形。研制出的SCALPEL掩模,其晶片尺寸为80mm,图形线宽达到0.1m,经缩小投影曝光得到78nm的图形分辨力。

现代光刻技术

作为当前集成电路制造的主流技术,光学光刻在趋近其分辨力极限的同时,面临着越来越大的挑战,即便在波前工程和分辨力增强技术的帮助下,光学光刻的分辨力也难以满足快速发展的半导体产业的技术需求。接近式 X 射线光刻技术(XRL)、散射角限制电子束投影光刻技术(SCALPEL)、电子束直写光刻技术(EBDW)、极紫外线即软 X 射线投影光刻技术(EUVL)、离子投影光刻技术(IPL)等下一代光刻技术(NGL)将会在特征线宽为 100—70 nm 的技术节点介入集成电路制造的主流技术中。从目前 NGL 技术发展的趋势和市场需求的多元化来看,竞争的结果很可能是各种 NGL 技术并存。当特征尺寸进入纳米尺度(≤100 nm)以后,最终只有那些原子级的成像技术才能成为胜者。

缩小投影电子束曝光机的调试技术

详细介绍了在透射电镜上进行缩小投影电子束曝光技术原理性实验的主要调试过程。它充分利用了透射电镜本身的功能与特点。整个调试方法不仅可获得高分辨率图形 ,而且为下一步的研究工作提供了比较好的工作参数。

电子束投影曝光装置实验结果分析

主要介绍了电子束缩小投影曝光机的工作原理及其特点 ,针对在原理论证机上做的实验 。

电子束缩小投影曝光系统的掩模研究

介绍了用于电子束投影曝光系统中薄膜加散射体掩模的制备。

电子束缩小投影曝光机数字对准处理技术

介绍电子束缩小投影曝光机对准系统的构成及原理 ,阐述数字处理技术在对准系统中的应用 ,以及对准数据的产生及数字处理的软件设计 。