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Nanofabrication of 50 nm zone plates through e-beam lithography with local proximity effect correction for x-ray imaging 被引量:3
1
作者 朱静远 张思超 +8 位作者 谢珊珊 徐晨 张丽娟 陶旭磊 任玉琦 王玉丹 邓彪 邰仁忠 陈宜方 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第4期456-461,共6页
High resolution Fresnel zone plates for nanoscale three-dimensional imaging of materials by both soft and hard x-rays are increasingly needed by the broad applications in nanoscience and nanotechnology.When the outmos... High resolution Fresnel zone plates for nanoscale three-dimensional imaging of materials by both soft and hard x-rays are increasingly needed by the broad applications in nanoscience and nanotechnology.When the outmost zone-width is shrinking down to 50 nm or even below,patterning the zone plates with high aspect ratio by electron beam lithography still remains a challenge because of the proximity effect.The uneven charge distribution in the exposed resist is still frequently observed even after standard proximity effect correction(PEC),because of the large variety in the line width.This work develops a new strategy,nicknamed as local proximity effect correction(LPEC),efficiently modifying the deposited energy over the whole zone plate on the top of proximity effect correction.By this way,50 nm zone plates with the aspect ratio from 4:1 up to 15:1 and the duty cycle close to 0.5 have been fabricated.Their imaging capability in soft(1.3 keV)and hard(9 keV)x-ray,respectively,has been demonstrated in Shanghai Synchrotron Radiation Facility(SSRF)with the resolution of 50 nm.The local proximity effect correction developed in this work should also be generally significant for the generation of zone plates with high resolutions beyond 50 nm. 展开更多
关键词 FRESNEL zone PLATES electron beam LITHOGRAPHY LOCAL proximity effect correction x-ray imaging 50 NM resolution
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Machine Learning based Optical Proximity Correction Techniques
2
作者 Pengpeng Yuan Taian Fan +2 位作者 Yaobin Feng Peng Xu Yayi Wei 《Journal of Microelectronic Manufacturing》 2020年第4期59-68,共10页
The shrinking of the size of the advanced technological nodes brings up new challenges to the semiconductor manufacturing community.The optical proximity correction(OPC)is invented to reduce the errors of the lithogra... The shrinking of the size of the advanced technological nodes brings up new challenges to the semiconductor manufacturing community.The optical proximity correction(OPC)is invented to reduce the errors of the lithographic process.The conventional OPC techniques rely on the empirical models and optimization methods of iterative type.Both the accuracy and computing speed of the existing OPC techniques need to be improved to fulfill the stringent requirement of the research and design for latest technological nodes.The emergence of machine learning technologies inspires novel OPC algorithms.More accurate forward simulation of the lithographic process and single turn optimization methods are enabled by the machine learning based OPC techniques.We discuss the latest progress made by the OPC community in the process simulation and optimization based on machine learning techniques. 展开更多
关键词 Optical proximity correction Machine Learning Deep Learning LITHOGRAPHY
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PPA BASED PREDICTION-CORRECTION METHODS FOR MONOTONE VARIATIONAL INEQUALITIES 被引量:1
3
作者 何炳生 蒋建林 +1 位作者 钱迈建 许娅 《Numerical Mathematics A Journal of Chinese Universities(English Series)》 SCIE 2005年第1期14-30,共17页
In this paper we study the proximal point algorithm (PPA) based predictioncorrection (PC) methods for monotone variational inequalities. Each iteration of these methods consists of a prediction and a correction. The p... In this paper we study the proximal point algorithm (PPA) based predictioncorrection (PC) methods for monotone variational inequalities. Each iteration of these methods consists of a prediction and a correction. The predictors are produced by inexact PPA steps. The new iterates are then updated by a correction using the PPA formula. We present two profit functions which serve two purposes: First we show that the profit functions are tight lower bounds of the improvements obtained in each iteration. Based on this conclusion we obtain the convergence inexactness restrictions for the prediction step. Second we show that the profit functions are quadratically dependent upon the step lengths, thus the optimal step lengths are obtained in the correction step. In the last part of the paper we compare the strengths of different methods based on their inexactness restrictions. 展开更多
关键词 计算方法 最接近点计算法 预测方法 变量 不等式
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Proximal SVM在脑功能分类中的应用研究
4
作者 谢松云 程西娜 丁艳 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2009年第11期209-211,共3页
为了研究PSVM分类器用于脑功能识别的有效性与优越性,对脑功能识别做出了深入的研究和分析。采用三名受试者在睁眼和闭眼状态下的脑电实测数据,从不同角度深入分析和比较了PSVM分类器与标准SVM分类器的性能,主要衡量指标为识别率和训练... 为了研究PSVM分类器用于脑功能识别的有效性与优越性,对脑功能识别做出了深入的研究和分析。采用三名受试者在睁眼和闭眼状态下的脑电实测数据,从不同角度深入分析和比较了PSVM分类器与标准SVM分类器的性能,主要衡量指标为识别率和训练时间。结果PSVM分类器优于标准SVM分类器之处在于,在保证识别率的同时,计算速度有了显著地提高。并且随着样本维数的增加,PSVM分类器的计算速度并没有下降。PSVM用于脑电信号功能识别是高效率的,这对今后的有实时要求的脑功能分类识别问题具有重要意义。 展开更多
关键词 近邻支持向量机 脑功能 训练时间 正识率
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一种基于IC电路设计的多次图形化方法
5
作者 王雷 张顾斌 张雪 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期713-718,共6页
集成电路光刻工艺中的多次图形化技术在版图拆分时着重强化图形分辨率,而非考虑电路复杂程度带来的图形复杂度和拆分难度,拆分后的版图依然包含多个电路设计单元,具有多种复杂结构,不利于光刻条件的进一步优化。以存储器为例,提出了一... 集成电路光刻工艺中的多次图形化技术在版图拆分时着重强化图形分辨率,而非考虑电路复杂程度带来的图形复杂度和拆分难度,拆分后的版图依然包含多个电路设计单元,具有多种复杂结构,不利于光刻条件的进一步优化。以存储器为例,提出了一种基于电路设计的多次图形化方法,根据电路功能单元或器件工作电压对设计版图进行识别分组。将版图进行重新布局拆分,使拆分后图形具备类似的空间周期和图形特征,克服了传统光刻工艺需要兼顾各种图形带来的缺陷。对图形结构空间周期进行全周期优化和最大化优化,降低了对光刻设备的依赖程度,为多次图形化技术提供了一种新的思路和可行性方案。 展开更多
关键词 多次图形化 版图拆分 存储器 光罩 工艺窗口 光学临近效应修正(OPC)
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A sparse matrix model-based optical proximity correction algorithm with model-based mapping between segments and control sites 被引量:4
6
作者 Bin LIN Xiao-lang YAN Zheng SHI Yi-wei YANG 《Journal of Zhejiang University-Science C(Computers and Electronics)》 SCIE EI 2011年第5期436-442,共7页
Optical proximity correction (OPC) is a key step in modern integrated circuit (IC) manufacturing.The quality of model-based OPC (MB-OPC) is directly determined by segment offsets after OPC processing.However,in conven... Optical proximity correction (OPC) is a key step in modern integrated circuit (IC) manufacturing.The quality of model-based OPC (MB-OPC) is directly determined by segment offsets after OPC processing.However,in conventional MB-OPC,the intensity of a control site is adjusted only by the movement of its corresponding segment;this scheme is no longer accurate enough as the lithography process advances.On the other hand,matrix MB-OPC is too time-consuming to become practical.In this paper,we propose a new sparse matrix MB-OPC algorithm with model-based mapping between segments and control sites.We put forward the concept of 'sensitive area'.When the Jacobian matrix used in the matrix MB-OPC is evaluated,only the elements that correspond to the segments in the sensitive area of every control site need to be calculated,while the others can be set to 0.The new algorithm can effectively improve the sparsity of the Jacobian matrix,and hence reduce the computations.Both theoretical analysis and experiments show that the sparse matrix MB-OPC with model-based mapping is more accurate than conventional MB-OPC,and much faster than matrix MB-OPC while maintaining high accuracy. 展开更多
关键词 Matrix sparsity Optical proximity correction (OPC) CONVERGENCE SEGMENT Sensitive area
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Comparison of two approximal proximal point algorithms for monotone variational inequalities 被引量:1
7
作者 TAO Min 《Journal of Zhejiang University-Science A(Applied Physics & Engineering)》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第6期969-977,共9页
Proximal point algorithms (PPA) are attractive methods for solving monotone variational inequalities (MVI). Since solving the sub-problem exactly in each iteration is costly or sometimes impossible, various approximat... Proximal point algorithms (PPA) are attractive methods for solving monotone variational inequalities (MVI). Since solving the sub-problem exactly in each iteration is costly or sometimes impossible, various approximate versions of PPA (APPA) are developed for practical applications. In this paper, we compare two APPA methods, both of which can be viewed as predic- tion-correction methods. The only difference is that they use different search directions in the correction-step. By extending the general forward-backward splitting methods, we obtain Algorithm I; in the same way, Algorithm II is proposed by spreading the general extra-gradient methods. Our analysis explains theoretically why Algorithm II usually outperforms Algorithm I. For computation practice, we consider a class of MVI with a special structure, and choose the extending Algorithm II to implement, which is inspired by the idea of Gauss-Seidel iteration method making full use of information about the latest iteration. And in particular, self-adaptive techniques are adopted to adjust relevant parameters for faster convergence. Finally, some nu- merical experiments are reported on the separated MVI. Numerical results showed that the extending Algorithm II is feasible and easy to implement with relatively low computation load. 展开更多
关键词 单调变分不等式 近似邻近点算法 比较 预测 校正
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一种快速光刻模拟中二维成像轮廓提取的新方法 被引量:12
8
作者 陈志锦 史峥 +2 位作者 王国雄 付萍 严晓浪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期766-771,共6页
在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上 ,提出了一种新的基于稀疏空间点光强计算的二维成像轮廓提取算法 .该算法能够根据版图特点合理选择采样线的位置 ,有效地确定轮廓线存在的范围 ,并根据在采样线上光强单调分布的特性来快速地搜寻... 在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上 ,提出了一种新的基于稀疏空间点光强计算的二维成像轮廓提取算法 .该算法能够根据版图特点合理选择采样线的位置 ,有效地确定轮廓线存在的范围 ,并根据在采样线上光强单调分布的特性来快速地搜寻轮廓点 .实验表明 ,这是一种快速高效的轮廓提取方案 ,能够适应光学邻近校正中巨大的运算量 . 展开更多
关键词 光刻 二维成像轮廓 提取 光学邻近校正 OPC 集成电路
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一种适于快速OPC的精确光刻胶剖面仿真算法 被引量:4
9
作者 王国雄 史峥 +2 位作者 付萍 陈志锦 严晓浪 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期168-171,共4页
光刻仿真工具是描述实际工艺的有效工具。利用光刻仿真工具 ,能够准确地描述由掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸的变化。利用了改进的空间图像仿真及可变光强阈值模型来获得准确的硅片... 光刻仿真工具是描述实际工艺的有效工具。利用光刻仿真工具 ,能够准确地描述由掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸的变化。利用了改进的空间图像仿真及可变光强阈值模型来获得准确的硅片图形。改进的空间图像的基本思想是 ,用空间图像与一个高斯滤波器进行卷积 ,从而使图像较原来变得模糊 ,以此来模拟光刻胶的实际扩散效应。描述了一种适用于快速光学邻近校正 ( OPC) 展开更多
关键词 精确光刻胶剖面仿真算法 光学邻近校正 光刻仿真 高斯滤波器 集成电路
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一种基于卷积核用于光刻模拟的计算稀疏空间点光强的方法(英文) 被引量:3
10
作者 史峥 王国雄 +2 位作者 严晓浪 陈志锦 高根生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期357-361,共5页
光学邻近校正 (OPC)系统要求一种精确、快速的方法来预测掩模图形转移到硅圆片的成像结果 .基于 Gabor的“降解为主波”方法 ,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似 ,并用高斯过滤器来模拟光刻胶横向扩散和一些掩模工艺... 光学邻近校正 (OPC)系统要求一种精确、快速的方法来预测掩模图形转移到硅圆片的成像结果 .基于 Gabor的“降解为主波”方法 ,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似 ,并用高斯过滤器来模拟光刻胶横向扩散和一些掩模工艺效应 ,由此提出了一种基于卷积核的精确、快速地用于光刻模拟的稀疏空间点光强计算方法 .这种模型的简单性从本质上给计算和分析带来了好处 . 展开更多
关键词 光刻仿真 光学邻近校正 卷积核 半导体
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无线传感器网络中基于接近度的无需测距定位算法 被引量:7
11
作者 孟颍辉 闻英友 +1 位作者 陈剑 赵宏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1712-1717,共6页
针对当前无需测距定位算法存在定位误差大的问题,本文提出了一种基于接近度的无需测距定位算法,接近度是本文定义的一个用来表示邻居节点距离远近的值.首先根据邻居节点之间的几何特征和邻居关系推导出一个线性函数,函数输出是接近度.... 针对当前无需测距定位算法存在定位误差大的问题,本文提出了一种基于接近度的无需测距定位算法,接近度是本文定义的一个用来表示邻居节点距离远近的值.首先根据邻居节点之间的几何特征和邻居关系推导出一个线性函数,函数输出是接近度.然后用锚节点之间的距离和接近度计算一个矫正值,矫正值和邻居节点之间接近度的乘积作为邻居节点之间的估计距离.最后根据估计距离计算未知节点的估计位置.仿真结果表明,本文算法的估计距离误差和定位误差都要低于当前同类型定位算法. 展开更多
关键词 无需测距 接近度 邻居关系 锚节点 矫正值
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一种基于SPLAT的离轴照明成像算法的研究与实现 被引量:4
12
作者 付萍 王国雄 +2 位作者 史峥 陈志锦 严晓浪 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期180-183,共4页
 如何提高光刻的分辨率已成为超深亚微米集成电路设计和制造的关键技术。文章简要介绍了分辨率提高技术之一的离轴照明的原理及其构造形式,介绍了部分相干的二维透射系统的仿真程序SPLAT的特点,并用SPLAT实现了一种新的照明结构,为实...  如何提高光刻的分辨率已成为超深亚微米集成电路设计和制造的关键技术。文章简要介绍了分辨率提高技术之一的离轴照明的原理及其构造形式,介绍了部分相干的二维透射系统的仿真程序SPLAT的特点,并用SPLAT实现了一种新的照明结构,为实际开发光学邻近校正(OPC,OpticalProximityCorrection)仿真工具增加了新的功能。 展开更多
关键词 光刻 深亚微米IC工艺 离轴照明 光学邻近校正 集成电路 SPLAT
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一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法(英文) 被引量:2
13
作者 康晓辉 李志刚 +2 位作者 刘明 谢常青 陈宝钦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期455-459,共5页
在电子散射能量沉积为双高斯分布的前提下,提出了一种提取电子束光刻中电子散射参数α,β和η的新方法.该方法使用单线条作为测试图形.为了避免测定光刻胶的显影阈值,在实验数据处理中使用归一化方法.此外,用此方法提取的电子散射参数... 在电子散射能量沉积为双高斯分布的前提下,提出了一种提取电子束光刻中电子散射参数α,β和η的新方法.该方法使用单线条作为测试图形.为了避免测定光刻胶的显影阈值,在实验数据处理中使用归一化方法.此外,用此方法提取的电子散射参数被成功地用于相同实验条件下的电子束临近效应校正. 展开更多
关键词 电子束光刻 临近效应 电子束临近效应校正
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基于规则的光学邻近矫正中规则的相关处理(英文) 被引量:2
14
作者 石蕊 蔡懿慈 +2 位作者 洪先龙 吴为民 杨长旗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期701-706,共6页
讨论了如何选择适当的规则 ,如何建立简洁实用的规则库 ,如何应用规则库 .提出了四种主要的光学邻近矫正规则 ,在实验结果中列举了规则库中的部分数据 .利用规则矫正后的版图光刻得到的硅片图形有了明显的改善 .规则库的自动建立部分 (O... 讨论了如何选择适当的规则 ,如何建立简洁实用的规则库 ,如何应用规则库 .提出了四种主要的光学邻近矫正规则 ,在实验结果中列举了规则库中的部分数据 .利用规则矫正后的版图光刻得到的硅片图形有了明显的改善 .规则库的自动建立部分 (OPCL)是基于规则的光学邻近矫正系统的重要组成部分 . 展开更多
关键词 光刻 光学邻近矫正 规则库 半导体
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掩模制作中的邻近效应 被引量:2
15
作者 杜惊雷 石瑞英 +1 位作者 崔铮 郭永康 《微纳电子技术》 CAS 2002年第11期36-40,共5页
计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻... 计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果。 展开更多
关键词 掩模制作 邻近效应 光学邻近效应 掩模畸变 光刻模拟 光学邻近校正 微光刻
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具有产能约束和价格干预的供应链网络双渠道均衡 被引量:11
16
作者 胡劲松 李增强 +2 位作者 胡小根 周岩 张桂涛 《计算机集成制造系统》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期849-858,共10页
为获得各Nash均衡量以便为网络各成员生产运营决策提供理论依据,刻画了各决策者的最优行为。研究由多个相互竞争制造商、多个相互竞争分销商与面临随机市场需求的多个相互竞争零售商组成的供应链网络双渠道均衡问题。借助变分不等式理论... 为获得各Nash均衡量以便为网络各成员生产运营决策提供理论依据,刻画了各决策者的最优行为。研究由多个相互竞争制造商、多个相互竞争分销商与面临随机市场需求的多个相互竞争零售商组成的供应链网络双渠道均衡问题。借助变分不等式理论,建立制造商存在生产能力限制以及需求市场中存在限制性价格上限的供应链网络双渠道均衡模型。利用变分不等式的对数二次逼近的预测校正法,设计供应链网络双渠道均衡解的求解算法。结合算例分析生产能力限制和限制性价格上限对网络双渠道均衡的影响。结果表明,当政府对竞争市场实行限制性价格上限时,将造成需求市场中的商品短缺,导致制造商、分销商和零售商的总利润减少;当存在产能限制时,将导致无价格限制的商品均衡价格更高,以及需求市场中商品短缺量更大。 展开更多
关键词 供应链网络 产能约束 价格干预 NASH均衡 变分不等式 双渠道 对数二次逼近的预测校正法
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电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用 被引量:6
17
作者 陈宝钦 赵珉 +8 位作者 吴璇 牛洁斌 刘键 任黎明 王琴 朱效立 徐秋霞 谢常青 刘明 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期683-688,共6页
电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电... 电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电子束直写系统所开展的纳米器件和纳米结构制造工艺技术方面的研究。重点阐述了如何利用电子束直写技术实现纳米器件和纳米结构的电子束光刻。针对电子束光刻效率低和电子束光刻邻近效应等问题所采取的措施;采用无宽度线曝光技术和高分辨率、高反差、低灵敏度电子抗蚀剂相结合实现电子束纳米尺度光刻以及采用电子束光刻与X射线曝光相结合的技术实现高高宽比的纳米尺度结构的加工等具体工艺技术问题展开讨论。 展开更多
关键词 电子束光刻 电子束直写 电子束邻近效应校正 纳米制造 纳米器件 纳米结构
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用于光刻模拟的快速计算稀疏空间点光强的方法 被引量:1
18
作者 王国雄 史峥 +3 位作者 严晓浪 陈志锦 高根生 熊军 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第7期783-786,794,共5页
使用光刻仿真工具模拟掩模图形到硅圆片的转移成像结果 ,可以分析集成电路在工艺规则下产品的可靠性和部分电学特性 基于Gabor的“主波分解”方法 ,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似 ,再对空间图像进行高斯卷积来模... 使用光刻仿真工具模拟掩模图形到硅圆片的转移成像结果 ,可以分析集成电路在工艺规则下产品的可靠性和部分电学特性 基于Gabor的“主波分解”方法 ,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似 ,再对空间图像进行高斯卷积来模拟光刻胶的实际扩散效应 ,从而获得一种精确、快速用于光刻模拟的稀疏空间点光强计算方法 根据光学系统的传输交叉系数的特性 。 展开更多
关键词 光刻仿真 集成电路 可靠性 电学特性 矩阵分解
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193 nm光刻散射条技术研究 被引量:3
19
作者 康晓辉 张立辉 +3 位作者 范东升 王德强 谢常青 刘明 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期360-363,共4页
介绍了193nm光刻中的散射条技术,并利用标量衍射和傅里叶光学理论,对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析,从理论上解释了散射条的工作原理。通过商用光刻模拟软件PROLITH,对散射条的参数进行了优化,并总结出193nm光刻... 介绍了193nm光刻中的散射条技术,并利用标量衍射和傅里叶光学理论,对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析,从理论上解释了散射条的工作原理。通过商用光刻模拟软件PROLITH,对散射条的参数进行了优化,并总结出193nm光刻中孤立线散射条的优化方法。 展开更多
关键词 光刻 亚分辨率辅助图形 散射条 离轴照明 分辨率增强 光学临近效应校正
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考虑产能约束的模糊供应链网络均衡研究 被引量:12
20
作者 胡劲松 徐元吉 《管理学报》 CSSCI 北大核心 2012年第1期139-143,共5页
在考虑制造商存在产能约束情形下,研究由多个相互竞争的制造商与零售商组成且零售商处面临着模糊需求的供应链网络均衡问题。利用模糊事件的可信性理论,推导零售商的模糊期望利润。通过变分不等式,构建具有模糊需求的单商品供应链网络... 在考虑制造商存在产能约束情形下,研究由多个相互竞争的制造商与零售商组成且零售商处面临着模糊需求的供应链网络均衡问题。利用模糊事件的可信性理论,推导零售商的模糊期望利润。通过变分不等式,构建具有模糊需求的单商品供应链网络均衡状态。最后,利用对数二次近似预测校正算法,讨论分析制造商产能约束对供应链均衡解的影响。 展开更多
关键词 产能约束 变分不等式 模糊需求 可信性测度 对数二次近似预测校正算法
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