化学气相沉积法制备高纯钛工艺研究

介绍了卤化物热裂解法制备电子级高纯钛的工艺过程。采用单因素实验，研究了反应过程中反应时间、TiI2蒸汽压、卤化区温度以及裂解区温度的影响。同时，结合热力学及动力学分析得到适宜的工艺条件为：反应时间25小时；TiI2蒸汽压3～3．5kPa；卤化区温度550—800℃；沉积区温度为1100—1200℃。在此条件下进行检验性实验，单次高纯钛产量超过3kg。产品经电镜扫描（SEM）观察，晶体横截面断口形貌整齐、规整，结晶情况良好。经电子束炉熔炼后的产品经辉光质谱（GDMS）检测，高纯钛中28种杂质元素总和小于2×10^-3％。