高热导率材料的发展和应用

概述了高热导率材料的分类、优缺点、制备方法和应用,包括陶瓷基封装材料、聚合物基封装材料和金属基封装材料。重点论述了金属基复合材料的应用和分类,金属层合板轧制工艺的研究,Cu/MoCu/Cu-Cu-MoCu-Cu(CPC)金属基层状复合材料的发展等。

电子封装用金属基复合材料的研究进展

金属基复合材料凭借其优异的性能以及较成熟的制备工艺,成为电子封装领域研究的重要方向之一。综述典型的电子封装用金属基复合材料的研究现状,阐述金属基复合材料的热物理性能设计,列举铝基、铜基电子封装复合材料热物理性能的影响因素和改进措施,介绍常见的制备方法,最后对金属基电子封装材料的发展趋势进行展望。

新型电子封装用金刚石/金属复合材料的组织性能与应用

随着微电子技术的高速发展,金刚石/金属复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视,它与传统的电子封装材料相比,具有更优异的性能,是未来封装、热沉材料最有潜力的发展方向之一。对金刚石/金属复合材料的性能、制备工艺及应用发展进行了综述,并提出了未来的研究开发方向。

新一代高导热金属基复合材料界面热导研究进展

热物理性质不同的材料之间存在界面热阻,界面热阻对热传输过程产生极大的影响,并在很大程度上决定了复合材料的导热性能。金刚石颗粒增强金属基复合材料(Metal matrix composites,MMCs)充分发挥了金刚石的高热导率和低热膨胀系数的优点,有望获得高的热导率以及与半导体相匹配的热膨胀系数,可满足现代电子设备在散热能力上提出的越来越高的要求,作为新一代电子封装材料已引起广泛关注。界面热导(界面热阻的倒数)既是决定复合材料导热能力的关键因素,也是研究的难点,复合材料制备工艺、界面改性方式(金属基体合金化或金刚石表面金属化)以及改性金属种类均会影响界面热导。详细论述了界面热导理论及实验研究的最新成果,并对金刚石/金属复合材料在未来研究中面临的主要问题进行探讨。

高导热金刚石/玻璃复合材料的制备和性能研究

首先对金刚石颗粒进行化学镀Cu,并控制氧化,从而在金刚石颗粒表面获得Cu-Cu2O复合结构。然后,在800℃无压烧结制备了金刚石/玻璃复合材料,观察了其表面和界面形貌,并测定了其相对密度和热导率。结果表明,通过对镀Cu金刚石的控制氧化,明显改善了玻璃对金刚石颗粒表面的润湿性,避免了玻璃对金刚石颗粒表面的侵蚀,提高了复合材料的热导率;复合材料的热导率随金刚石含量的增加而增加,当金刚石质量分数为70%时,热导率最高达到了14.420W/(m·K)。

电子封装材料用金刚石/铜复合材料的研究进展

电子技术的快速发展对封装材料的性能提出了更严格的要求。针对封装材料的发展趋势,金刚石/铜复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视,概述了金刚石/铜复合材料作为封装材料的优良性能及其制备工艺进展,并对其发展方向进行了展望。

电子封装用金属基复合材料的研究现状

介绍了典型的电子封装用复合材料,着重介绍了不同类型的金属基复合材料（MMC）;综述了以铝碳化硅（SiC/Al）和Si/Al为代表的金属基复合材料的国内外研究现状和进展,阐述了SiC/Al复合材料常见的制备工艺,比较了粉末冶金、铸造法、喷射沉积、浸渗法等不同制备工艺的优缺点并讨论了不同制备工艺的影响因素,分析了这些工艺所制备的复合材料的热膨胀系数和热导率等热物理性能;介绍了SiC/Al复合材料在国内外航空航天、飞行器、民用汽车和光电子器件等领域的研究应用实例,在此基础上指出了目前研究还需解决的基础理论研究和多学科交叉等问题,展望了SiC/Al复合材料未来的研究和发展方向。

镀钛金刚石增强玻璃基复合材料的性能

现代电子封装迫切需要开发新型高导热陶瓷(玻璃)基复合材料.本文在对镀钛金刚石进行镀铜和控制氧化的基础上,利用放电等离子烧结方法制备了金刚石增强玻璃基复合材料,并观察了其微观形貌和界面结合情况,测定了复合材料的热导率和热膨胀系数.实验结果表明:复合材料微观组织均匀,Ti/金刚石界面是复合材料中结合最弱的界面,复合材料的热导率随着金刚石粒径和含量的增大而增加,而热膨胀系数随着金刚石含量的增加而降低.当金刚石粒径为100μm、体积分数为70%时,复合材料热导率最高达到了40.2W·m-1·K-1,热膨胀系数为3.3×10-6K-1,满足电子封装材料的要求.