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几种应用于触摸感应电路的ESD保护结构设计 被引量:4
1
作者 居水荣 陆建恩 张海磊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期254-258,278,共6页
电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路,因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力,另一方面这种ESD保护结构又不能使芯片的面积和成本增加太... 电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路,因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力,另一方面这种ESD保护结构又不能使芯片的面积和成本增加太多,基于此要求,介绍了3种应用在电容式触摸感应检测按键电路中的ESD保护结构。主要描述了这3种结构的电路形式和版图布局,着重阐述了为满足电容式触摸感应检测按键电路的具体要求而对这3种结构所作的改进。列出了这3种改进过后的ESD保护结构的特点、所占用芯片面积以及抗静电能力测试结果的比较。结果表明,经过改进后的3种ESD保护结构在保护能力、芯片面积利用率以及可靠性等方面都有了非常好的提升。 展开更多
关键词 静电放电(esd)保护结构 触摸感应检测按键电路 可控硅整流器 全芯片esd 保护 二极管加电阻esd保护
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0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计 被引量:7
2
作者 刘红侠 刘青山 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期867-870,926,共5页
为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速... 为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件,节省了电路的成本. 展开更多
关键词 静电放电 保护电路 反馈 动态传输
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GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理 被引量:1
3
作者 林丽艳 李用兵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期663-666,共4页
对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结... 对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结果进行分析,在3"+"3"-"和3"-"极性下,器件失效模式为栅源短路,在3"+"极性下器件电参数退化。运用热模型对ESD正负脉冲电压产生的温升进行了计算,器件的损伤机理为,在正向脉冲下为栅金属纵向电迁移导致肖特基势垒退化;在ESD负向脉冲下为高电场引起栅源端对击穿。 展开更多
关键词 GaAs场效应晶体管(FET) 静电放电(esd)实验 热模型 失效模式 损伤机理
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电子产品SMT生产过程中的ESD防护技术 被引量:1
4
作者 朱桂兵 《现代制造工程》 CSCD 2006年第10期86-89,共4页
随现代电子产品SMT制造业的发展和复杂程度的提高,静电放电对电子产品的危害也越来越严重。介绍静电的物理特征、静电放电的原因、静电对电子产品的危害以及静电源。重点提出在SMT生产过程中防护静电放电,避免静电对电子产品的危害,以... 随现代电子产品SMT制造业的发展和复杂程度的提高,静电放电对电子产品的危害也越来越严重。介绍静电的物理特征、静电放电的原因、静电对电子产品的危害以及静电源。重点提出在SMT生产过程中防护静电放电,避免静电对电子产品的危害,以及静电放电防护的误区解析。 展开更多
关键词 表面组装技术 静电放电 静电防护 接地
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金属结构设备ESD问题的整改及防护
5
作者 吴勇 张建虎 +2 位作者 雷磊 陈世纯 张军 《现代电子技术》 北大核心 2015年第24期118-120,共3页
随着微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂,静电放电(ESD)对电子设备的危害日益严重。参照IEC61000-4-2标准,对某型设备进行间接静电放电和直接静电放电试验研究。通过对该型设备的结构特点进行分析,归纳总结出其典型的结构特征,... 随着微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂,静电放电(ESD)对电子设备的危害日益严重。参照IEC61000-4-2标准,对某型设备进行间接静电放电和直接静电放电试验研究。通过对该型设备的结构特点进行分析,归纳总结出其典型的结构特征,即以金属结构为主体且金属外壳接大地的设备。通过试验及工程经验,介绍了以金属结构为主体且金属外壳接大地的设备静电放电问题,分析了可能产生的ESD问题的原因,并提出了相应的整改措施,在此基础上,提出相应的ESD防护设计措施。 展开更多
关键词 静电放电 电子设备 金属结构 防护措施
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提高集成电路ESD防护能力的仿真方法 被引量:2
6
作者 李松 曾传滨 +1 位作者 罗家俊 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期776-780,共5页
为解决集成电路的全芯片静电防护设计中寄生电阻导致的防护空间压缩问题,提出了一种实用的能够在版图设计过程中提高集成电路静电放电(ESD)防护能力的仿真方法,用于评估和控制ESD电流通路上的寄生电阻,辅助ESD防护设计,预估器件静电防... 为解决集成电路的全芯片静电防护设计中寄生电阻导致的防护空间压缩问题,提出了一种实用的能够在版图设计过程中提高集成电路静电放电(ESD)防护能力的仿真方法,用于评估和控制ESD电流通路上的寄生电阻,辅助ESD防护设计,预估器件静电防护等级。详细介绍了仿真方法的原理和流程,以0.18μm SOI CMOS工艺制造的静态随机存储器电路为仿真和实验对象,应用此仿真方法,统计寄生电阻值,优化ESD防护设计,并进行ESD测试,记录未优化样品和优化样品的失效电压。通过对比寄生电阻和失效电压,证明降低寄生电阻可获得更好的ESD防护性能,而且器件失效电压和关键寄生电阻值R Vdd之间存在近似线性反比关系。 展开更多
关键词 全芯片静电放电防护设计 静电放电防护空间 寄生电阻 版图设计 静电放电测
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具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计
7
作者 何建 谭开洲 +6 位作者 陈光炳 徐学良 王建安 谢家雄 任敏 李泽宏 张金平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期612-616,共5页
提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实... 提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实现对VDMOS器件栅氧化层的ESD保护。完成了VDMOS的工艺流程设计,实现了保护电路中各子元件与主功率器件的工艺兼容。二维数值模拟表明:所设计的过流保护电路在室温下能实现38.4 A的限流能力,ESD保护能够达到2 000 V(HBM),能有效提高VDMOS在系统中的稳定性和可靠性。 展开更多
关键词 垂直导电双扩散场效应晶体管(VDMOS) 过流保护 静电放电(esd) 功率器件 可靠性
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ESD试验技术在组合仪表中的研究与应用
8
作者 刘姣 《汽车电器》 2022年第2期73-76,共4页
针对电磁干扰易对汽车电子产品造成危害的问题,本文基于ESD人体模型,按照PSA B217110标准,在神龙公司研发阶段的某车型组合仪表上对ESD试验技术进行研究与应用,并使用德国Vector公司的CANalyzer软件编写个性化的图形程序对试验结果进行... 针对电磁干扰易对汽车电子产品造成危害的问题,本文基于ESD人体模型,按照PSA B217110标准,在神龙公司研发阶段的某车型组合仪表上对ESD试验技术进行研究与应用,并使用德国Vector公司的CANalyzer软件编写个性化的图形程序对试验结果进行评估,同时针对试验结果提出进一步提高仪表防静电等级的解决方案。本文的相关研究对解决汽车电子部件的电磁干扰问题,提高车辆的安全性能以减少不必要的经济损失,具有一定的参考意义。 展开更多
关键词 电磁干扰 静电放电 汽车电子 汽车仪表 esd试验 静电防护
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保护环版图结构对ESD防护器械耐压能力的影响
9
作者 杨伟 《集成电路应用》 2020年第11期8-9,共2页
阐述静电放电保护原理,设计CMOS电路的静电释放ESD保护结构,以及等效电路的应用,提升整个电路的抗ESD能力,从而最大程度降低静电放电引起的不良后果。
关键词 集成电路设计 静电释放 防护电路 版图结构
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操纵杆防静电设计研究
10
作者 柳明燚 《电子质量》 2023年第3期90-94,共5页
阐述了操纵杆类操控设备在使用环境中可能遇到的以人体静电放电为代表的影响与干扰。通过在操纵杆设计初期的器件选型、电路设计和结构设计等方面进行有针对性地处理,在操纵杆的生产及加工工艺上加强接地和整体屏蔽处理等手段,全面地提... 阐述了操纵杆类操控设备在使用环境中可能遇到的以人体静电放电为代表的影响与干扰。通过在操纵杆设计初期的器件选型、电路设计和结构设计等方面进行有针对性地处理,在操纵杆的生产及加工工艺上加强接地和整体屏蔽处理等手段,全面地提升了操纵杆的静电防护能力,提高了其作为人机交互设备的工作稳定性与可靠性,并且降低了静电放电对其内部电子器件的损伤,保证了其长时间正常运行。 展开更多
关键词 操纵杆 静电放电 人体静电 静电防护 电路 印刷电路板设计 结构设计 安装工艺
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多层片式压敏电阻器的最新发展动向 被引量:6
11
作者 王兰义 吕呈祥 唐国翌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期8-11,共4页
介绍了多层片式压敏电阻器的现状,分析了当前工艺中存在的问题(内电极与瓷体材料的反应和端电极的爬镀)和解决的办法,指出了其最新的发展动向。在工艺技术和应用上,多层片式压敏电阻器向小型化、阵列化、模块化及低电容等方向发展;同时... 介绍了多层片式压敏电阻器的现状,分析了当前工艺中存在的问题(内电极与瓷体材料的反应和端电极的爬镀)和解决的办法,指出了其最新的发展动向。在工艺技术和应用上,多层片式压敏电阻器向小型化、阵列化、模块化及低电容等方向发展;同时还要从环境保护和生产成本角度来考虑,采取水基流延制备工艺和采用新配方或纳米材料来降低压敏陶瓷烧结温度。 展开更多
关键词 电子技术 多层片式压敏电阻器 综述 爬镀 水基流延 静电放电保护
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基于可控硅整流器的静电放电防护器件延迟特性 被引量:1
12
作者 陈永光 刘进 +2 位作者 谭志良 张希军 李名杰 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2891-2896,共6页
为提高静电放电(ESD)防护器件的开启速度,减小被保护电路的损伤概率,在0.18μm CMOS混合信号工艺下,研究了结构参数、脉冲幅值对基于可控硅整流器(SCR)的ESD防护器件开启时间的影响。在基区渡越时间的基础上,加上了结电容的影响因素,完... 为提高静电放电(ESD)防护器件的开启速度,减小被保护电路的损伤概率,在0.18μm CMOS混合信号工艺下,研究了结构参数、脉冲幅值对基于可控硅整流器(SCR)的ESD防护器件开启时间的影响。在基区渡越时间的基础上,加上了结电容的影响因素,完善了器件防护延迟模型,当注入脉冲电压值增大到700V时,模型最大误差<0.5ns,在分析快沿脉冲的防护时更符合实际情况。仿真结果表明:当阱间距取5.00μm,N+与P+间隔取0.50μm,SCR的开启时间可降为1ns。此外,在大幅值的脉冲注入下,由于结电容的充电速度加快,SCR的开启也更为迅速。实验结果验证了模型和仿真分析的准确性,在一定程度上增大阱间距的宽度,减小N+与P+的间隔可以缩短SCR的开启时间,为该类型防护器件的设计、参数优化提供了理论依据。 展开更多
关键词 可控硅整流器(SCR) 静电放电(esd)防护器件 延迟特性 快沿脉冲 结构参数 结电容
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高清多媒体接口的静电放电保护设计 被引量:3
13
作者 耿建平 何学良 《测控技术》 CSCD 北大核心 2012年第11期127-130,134,共5页
通过对静电放电(ESD)保护原理的研究,合理地选取了瞬态电压抑制二极管的参数,在Multisim软件中对ESD的保护电路进行了模型仿真。利用瞬态电压抑制二极管分别设计出高清多媒体接口的最小化传输差分信号保护电路、电源保护电路以及电平转... 通过对静电放电(ESD)保护原理的研究,合理地选取了瞬态电压抑制二极管的参数,在Multisim软件中对ESD的保护电路进行了模型仿真。利用瞬态电压抑制二极管分别设计出高清多媒体接口的最小化传输差分信号保护电路、电源保护电路以及电平转换保护电路,并建立了ESD人体放电模型来对电路进行仿真分析,仿真结果表明本设计方案可行。 展开更多
关键词 高清多媒体接口 静电放电 瞬态电压抑制器 电路保护
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静电及其防护 被引量:6
14
作者 樊明龙 倪永宏 《微电子技术》 2002年第6期19-21,共3页
静止的电荷有了接地通路时产生静电放电(ESD),在人类的日常生活中这种现象是不可避免地存在的。集成电路技术的发展使电子产品更加小型化和结构复杂化,更易受ESD的攻击,电子制造商每年都因此造成很大的损失。按照防护ESD的五项原则积极... 静止的电荷有了接地通路时产生静电放电(ESD),在人类的日常生活中这种现象是不可避免地存在的。集成电路技术的发展使电子产品更加小型化和结构复杂化,更易受ESD的攻击,电子制造商每年都因此造成很大的损失。按照防护ESD的五项原则积极防护是电子制造商降低生产成本,提高产品质量,赢得用户信誉的必由之路。 展开更多
关键词 静电 静电放电 危害 防护 电子产品 设计
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一种数字芯片故障检测仪设计 被引量:1
15
作者 华国环 徐瀚文 +1 位作者 桑春洋 张文锋 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2022年第1期80-84,100,共6页
设计了一款数字芯片故障检测仪,该检测仪能够方便、快捷地分析芯片的故障,并准确定位芯片的故障引脚。所设计的检测仪利用芯片内部各引脚的静电泄放保护机制,配合霍尔电流线圈检测芯片的短路和开路故障。同时根据芯片的功能定义,由MCU... 设计了一款数字芯片故障检测仪,该检测仪能够方便、快捷地分析芯片的故障,并准确定位芯片的故障引脚。所设计的检测仪利用芯片内部各引脚的静电泄放保护机制,配合霍尔电流线圈检测芯片的短路和开路故障。同时根据芯片的功能定义,由MCU产生相应的激励信号,通过芯片的输出响应是否正确判断其有无逻辑故障,并且通过电脑端和液晶屏实时显示检测结果。测试结果表明,该检测仪的准确率高达99.6%,待机功耗只有0.36 W,具有小型化便携式特点。 展开更多
关键词 数字逻辑芯片 静电放电保护 故障字典 检测故障
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SCR器件在深亚微米CMOS静电保护电路中的应用
16
作者 江清明 罗宏伟 周继承 《电子工艺技术》 2006年第5期277-280,284,共5页
CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,对ESD保护的要求也更加严格,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况,总结了SCR保护... CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此,对ESD保护的要求也更加严格,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况,总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理。旨在为集成电路设计人员提供ESD保护方面的设计思路以及努力方向。 展开更多
关键词 深亚微米 静电放电 SCR结构 可靠性
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工业生产中的静电防护 被引量:1
17
作者 孙丽娜 《广州化工》 CAS 2011年第16期166-167,共2页
为了加强工业生产中静电放电的安全意识,预防静电事故的发生,文章从静电的产生和防护措施等方面进行了分析与探讨,着重对工业生产中静电事故的预防提出了一些实际中的做法。
关键词 静电放电(esd) 静电防护 防护设计
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医用多普勒血流仪的空气放电机理及防护 被引量:1
18
作者 陈宝祥 《安全与电磁兼容》 2019年第6期67-69,75,共4页
分析了ESD空气放电的典型模型及标准放电波形的特征,并通过实验验证了测试操作方法不同对ESD空气放电电流波形的影响,给出传导耦合与辐射耦合的ESD干扰防护方法。结合某型医用多普勒血流仪的ESD空气放电案例,对空气放电干扰机理、测试... 分析了ESD空气放电的典型模型及标准放电波形的特征,并通过实验验证了测试操作方法不同对ESD空气放电电流波形的影响,给出传导耦合与辐射耦合的ESD干扰防护方法。结合某型医用多普勒血流仪的ESD空气放电案例,对空气放电干扰机理、测试及防护方法进行了验证,通过对芯片敏感管脚增加滤波电容及屏蔽关键走线,解决了多普勒血流仪的空气放电干扰问题。 展开更多
关键词 静电放电 医疗电子 空气放电 esd防护
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电子产品静电放电的防护措施 被引量:1
19
作者 沈震 《价值工程》 2011年第12期242-242,共1页
主要阐述了电子产品静电防护措施、电子产品和设备的防静电措施、电子产品防静电保护区和电子产品防静电接地措施等问题。
关键词 电子产品 静电 放电 防护
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高组装密度下电子产品生产制造中的静电防护 被引量:1
20
作者 张尕琳 《信息化研究》 2022年第3期74-78,共5页
针对大规模、超大规模集成电路应用背景下电子产品生产制造过程中的静电防护问题,本文在简要分析静电产生与静电放电、静电对电子产品的危害后,重点讨论了电子产品生产制造过程中的静电防护。从生产车间的接地系统设计和生产作业过程的... 针对大规模、超大规模集成电路应用背景下电子产品生产制造过程中的静电防护问题,本文在简要分析静电产生与静电放电、静电对电子产品的危害后,重点讨论了电子产品生产制造过程中的静电防护。从生产车间的接地系统设计和生产作业过程的静电防护两个方面,介绍了通过防静电地线的铺设、防静电地坪的使用、人体静电防护、生产过程中静电装备选用、生产现场静电防护、储运过程静电防护和静电监测与日常监管等途径,就做好高组装密度下电子产品生产制造过程中的静电防护工作提供了具体方案。 展开更多
关键词 高组装密度 电子产品 静电放电 静电防护 防静电地线
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