Classical Theory of Hot－Electron Transport in Electric and Magnetic Fields

Balance equation approach to the hot-electron transport in electric and magnetic fields is reformulated.The balance equations are re-derived from the Boltzmann equation. A new expression for the distribution function isreported in the present paper. It is homogeneous steady solution of the Boltzmann equation in constant relaxation timeapproximation. It holds when ωocτ < i or ωc < Te. As an example, the mobility of 2D electron gas in the GaAs-AlGaAsheterojunction is computed as a function of electric field and magnetic field.

非均匀能带结构简并半导体的电流方程

从基本的玻尔兹曼输运方程出发，推导了非均匀能带结构简并半导体中电子和空穴电流方程的一般形式，着重处理了方程中的载流子温度梯度项，给出了一种新的便于半导体器件数值分析的包含影响材料能带结构各主要因素的电流广义漂移扩散模型及相关系列公式，应用该模型对Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质结双极晶体管的热电子效应进行了数值模拟和讨论。

半导体输运的平衡方程理论

随着半导体器件尺寸变小,大量的载流子聚集在微小的空间区域,它们受到的电场也迅速增强。在这种情况下,半导体材料中的传导电流与电场的关系不再服从人们熟悉的线性欧姆定律,而是呈现复杂的非线性行为。由于同时往往伴随电子温度的升高(超过环境温度),强电场下的输运常称为热电子输运。 半导体中热载流子输运的研究已有几十年的历史,主要的理论方法是基于非平衡分布函数概念的玻耳兹曼方程方法。虽然分布函数原则上包含输运的全部信息,但它的求解是十分困难的,需用计算量很大的纯数值的,例如蒙特-卡罗方法。这对分析实验和器件设计不利。