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静电辅助气溶胶化学气相沉积法制备Al_2O_3薄膜
1
作者
王耀华
贺琦
+1 位作者
李成明
吕反修
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期65-67,75,共4页
以乙酰丙酮铝为前驱体,N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积(ESAVD)方法,在Si(100)衬底上制备了Al2O3薄膜,并采用场发射扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪和自动划痕仪等设备对制备的薄膜进行了表征。结果表明:采用ES...
以乙酰丙酮铝为前驱体,N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积(ESAVD)方法,在Si(100)衬底上制备了Al2O3薄膜,并采用场发射扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪和自动划痕仪等设备对制备的薄膜进行了表征。结果表明:采用ESAVD法制备的Al2O3薄膜平整致密而且晶粒细小,薄膜与基体之间及薄膜内部都未出现开裂现象;薄膜与基体的结合力约为5.56 N;沉积得到的薄膜为化学计量比为2∶3的氧化物薄膜;退火前的薄膜为非晶态,在1 200℃退火保温2 h后薄膜转变为-αAl2O3。
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关键词
静电辅助气溶胶化学气相沉积
氧化铝
薄膜
下载PDF
职称材料
静电辅助的气溶胶化学气相沉积法制备Y_2O_3薄膜
被引量:
2
2
作者
王耀华
吕反修
+2 位作者
贺琦
李成明
唐伟忠
《北京科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期1028-1032,共5页
采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积的方法成功地在Si(100)衬底上制备了Y2O3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XRP)对薄膜进行了表征.SEM分析结果显示,薄膜的颗粒为纳米级的,并且...
采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积的方法成功地在Si(100)衬底上制备了Y2O3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XRP)对薄膜进行了表征.SEM分析结果显示,薄膜的颗粒为纳米级的,并且薄膜致密、平整.AFM分析结果表明,薄膜的粗糙度为11nm.由XPS分析可知,薄膜为基本上符合化学计量比的氧化物.附着力测试表明,Y2O3薄膜与Si衬底的附着力为4.2N.X射线衍射分析结果表明,沉积得到的Y2O3薄膜在热处理前为非晶结构,热处理之后薄膜具有立方晶体结构,并且沿(111)面择优生长.
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关键词
静电辅助的气溶胶化学气相沉积
氧化钇
薄膜
粗糙度
原文传递
题名
静电辅助气溶胶化学气相沉积法制备Al_2O_3薄膜
1
作者
王耀华
贺琦
李成明
吕反修
机构
北京科技大学材料科学与工程学院
出处
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期65-67,75,共4页
文摘
以乙酰丙酮铝为前驱体,N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积(ESAVD)方法,在Si(100)衬底上制备了Al2O3薄膜,并采用场发射扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪和自动划痕仪等设备对制备的薄膜进行了表征。结果表明:采用ESAVD法制备的Al2O3薄膜平整致密而且晶粒细小,薄膜与基体之间及薄膜内部都未出现开裂现象;薄膜与基体的结合力约为5.56 N;沉积得到的薄膜为化学计量比为2∶3的氧化物薄膜;退火前的薄膜为非晶态,在1 200℃退火保温2 h后薄膜转变为-αAl2O3。
关键词
静电辅助气溶胶化学气相沉积
氧化铝
薄膜
Keywords
electrostatic spray assisted vapor deposition (esavd)
aluminum oxide
thin film
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
静电辅助的气溶胶化学气相沉积法制备Y_2O_3薄膜
被引量:
2
2
作者
王耀华
吕反修
贺琦
李成明
唐伟忠
机构
北京科技大学材料科学与工程学院
出处
《北京科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期1028-1032,共5页
文摘
采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积的方法成功地在Si(100)衬底上制备了Y2O3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XRP)对薄膜进行了表征.SEM分析结果显示,薄膜的颗粒为纳米级的,并且薄膜致密、平整.AFM分析结果表明,薄膜的粗糙度为11nm.由XPS分析可知,薄膜为基本上符合化学计量比的氧化物.附着力测试表明,Y2O3薄膜与Si衬底的附着力为4.2N.X射线衍射分析结果表明,沉积得到的Y2O3薄膜在热处理前为非晶结构,热处理之后薄膜具有立方晶体结构,并且沿(111)面择优生长.
关键词
静电辅助的气溶胶化学气相沉积
氧化钇
薄膜
粗糙度
Keywords
electrostatic spray assisted vapor deposition (esavd)
yttrium oxide
thin film
roughness
分类号
TB43 [一般工业技术]
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1
静电辅助气溶胶化学气相沉积法制备Al_2O_3薄膜
王耀华
贺琦
李成明
吕反修
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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职称材料
2
静电辅助的气溶胶化学气相沉积法制备Y_2O_3薄膜
王耀华
吕反修
贺琦
李成明
唐伟忠
《北京科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
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