低电离层elves现象的模拟研究

建立了雷暴放电产生的电磁场在对流层-低电离层之间耦合的时变模式,并用模式研究elves现象的时空特征．模拟结果表明,雷暴放电产生的电场包括准静电场和辐射场,其中由放电电流脉冲产生的辐射场是产生elves现象的直接原因．辐射场的电场强度分布与偶极辐射产生的电场强度的分布相似,在雷暴放电的正上方电场较弱,在地面附近辐射电场较强．模拟结果还表明,elves现象在向外扩张时具有双峰或单峰结构,在摄像仪的底片上相应出现双环或单环结构． elves现象在83km高度水平向外扩张的过程中,最大光辐射强度开始增大,然后逐渐减小．此外,利用球形电磁波假设,探讨了elves现象超光速水平扩张的原因．