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低温条件下半导体材料禁带宽度的测量 被引量：1
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作者 陆申龙 曹正东 《大学物理》 北大核心 1996年第10期37-39,共3页
介绍用硅三级管作为样品，在低温１５０Ｋ－２５０Ｋ范围内，测量其ＰＮ结正向特征，可精确求得玻耳兹曼常量及硅半导体材料禁带宽度的值．
关键词 低温恒温器 玻耳兹曼常量 禁带宽度 半导体
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