55 nm工艺静态随机存储器的软错误率预测

针对重离子诱导的55nm工艺静态随机存储器中的单粒子翻转现象,采用Geant4蒙特卡洛仿真方法对其软错误率展开研究与预测。仿真采用不同种类和能量的重离子,评估SRAM的翻转截面及多单元翻转的概率。通过分析不同能量、不同入射角度的重离子轰击所诱导的单粒子单个单元翻转与多单元翻转的比例,推导出粒子入射角度对翻转发生概率的影响规律。特别针对空间环境中的宇宙射线模型,建立一种对粒子辐射影响下的55nm工艺SRAM的软错误率的预测方法。通过与辐照试验的结果对比,证明经过校准的嵌套敏感体模型能够更准确地评估SRAM的翻转截面。

高分辨率UAV SAR的三维运动误差分离与补偿

在基于SAR回波的数据处理中,多普勒调频率具有很高的估计精度且对场景的依赖性很小,可以更广泛地用于自聚焦处理。基于多普勒调频率参数估计,针对回波包络及相位分别提出了误差提取模型,并通过包络误差校正和相位误差补偿两个步骤实现了高精度的运动补偿处理。实测数据表明,本文方法可以在低精度导航信息情况下获取高分辨率雷达图像。

栅氧退化效应下纳米级SRAM单元临界电荷分析

集成电路工艺已经发展到纳米量级。在纳米级工艺下,芯片集成度不断提高,电压不断降低,软错误问题已经开始对地面的集成电路产生影响。与此同时,晶体管的氧化层随着特征尺寸的降低越来越薄,在较高的电场压力下栅氧退化效应越来越严重。软错误问题和栅氧退化问题是集成电路当前和未来所面临的两个可靠性挑战。首先通过建立解析模型的方法分析了栅氧退化效应对SRAM单元临界电荷的影响,然后对65nm的SRAM单元在不同栅氧退化程度下的临界电荷大小进行了SPICE模拟。解析模型和模拟实验的结果都表明,栅氧退化效应越严重,SRAM单元的临界电荷越小,二者之间呈近似的指数关系。模拟实验还表明,在同一栅氧退化程度下,不同工艺水平的SRAM单元的软错误率呈线性关系。

突发信道下战术AAL2/ATM差错控制性能分析

AAL2是为了满足对时延敏感的低速率或可变速率的短分组业务需求而提出的一种组合信元ATM适配技术 ,在战术通信网中也得到了应用。利用 Gilbert信道模型分析了在战术环境下标准 ATM信元结构 AAL 2 CPS分组的丢失率性能。研究表明 ,在战术环境下为了保证端到端话音传输质量 ,应该采用一定的差错控制机制来保护 AAL 2信元。通过分析 ,比较了几种不同信元头差错保护机制下 ,无线 ATM信元丢失率和不同前向差错控制方式下 ,AAL2 CPS分组的最大分组丢失率性能 ,从而推导出在突发信道环境下一种效率和可靠性均较高的战术

融合相邻单元高低页存储可靠性的闪存译码算法

结合高密度NAND闪存数据的写入与读取机制,以及高低页之间的关联关系和干扰噪声对阈值电压分布的影响特性,本文提出了一种融合相邻单元高低页存储可靠性的BP译码算法。该算法利用读取顺序和编程顺序之间的关系,通过相邻字线低页的译码信息来辅助改善高页的纠错性能。仿真实验表明,相较传统的BP译码算法,该算法在没有增加额外复杂度的情况下能有效降低高页的误码率。

SO_(2)紫外相机标准泡定标法的误差校正

针对标准泡法在远距离SO_(2)监测定标不准确的实际问题,开展定标误差校正方法研究。首先,基于标准泡定标法原理以及大气辐射传输理论,提出消除光稀释效应影响的图像校正方法;然后,在充分分析窗片与滤光片反射以及气溶胶散射效应的基础上,对反射效应及散射特性对定标结果的影响进行量化;最后,综合上述影响因素计算得到光稀释效应校正及散射特性修正的定标曲线,并比较误差校正的标准泡定标法与DOAS定标法在反演SO_(2)柱密度图像以及SO_(2)排放速率之间差异。结果表明,所提出的校正方法可将标准泡法与DOAS法的定标结果差异从59%降低至7%,验证了该误差校正方法的有效性和准确度。

非理想信道状态信息下的稳健干扰安排设计

为了减小多小区环境下信道误差对传统算法稳健性的影响,通过设立误差约束,并对收发端矩阵进行迭代运算,给出了一种稳健的最小化干扰泄露算法,推导了新的目标约束下具有信道误差的系统和速率表达式.仿真结果表明,该干扰安排算法与未考虑信道误差的算法相比,可以有效地提高小区边缘用户的误码率性能.